公开(公告)号：KR100224712B1

公开(公告)日：1999-10-15

申请号：KR1019960047310

申请日：1996-10-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정승필 ,  조용준 ,  이문희

IPC: H01L21/304

Abstract: 신규한 반도체 건조방법 및 그 장치가 개시되어 있다. 소정의 배스에서 웨이퍼를 증류수로 린스한 후, 상기 증류수의 표면에 소량의 액체 알콜을 주입한다. 상기 배스 내의 증류수와 액체 알콜의 혼합물을 천천히 배출시킨다. 이와 동시에, 예열된 알콜 증기를 비활성가스를 이용하여 상기 배스 내에 분사시킴으로써 상기 웨이퍼를 건조시킨다. 물반점 문제를 해결하고, 공정원가 및 공정안정성을 개선할 수 있다.

公开(公告)号：KR100200742B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960047786

申请日：1996-10-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조용준 ,  송재인 ,  박흥수 ,  고영범

IPC: H01L21/304

Abstract: HBF4를 추가로 함유한 세정액을 사용하는 세정방법에 대하여 기재되어 있다. 이 세정방법은, CMP 공정 후의 세정방법에 있어서, 수산화암모늄(NH4OH)과 HBF4를 포함하는 세정액을 사용하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 유기물질과 파티클은 물론 금속오염이나 박막층의 긁힘, 피팅 등은 함께 제거할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019990026460A

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019970048573

申请日：1997-09-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송창룡 ,  장규환 ,  송재인 ,  조용준

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 방법은 먼저, 오존수 또는 UV-오존을 이용하여 자연 산화막(예컨대, 20Å 이하)을 생성시켜 웨이퍼 전 표면을 친수화되도록 하고, 이후 자연 산화막을 묽은 산화 용액(예컨대, 유기용제 또는 산 계열의 화학 물질)을 이용하여서 소정 두께(예컨대, 3Å 이상) 이상 식각함으로써 세정 효과를 극대화시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980040060A

公开(公告)日：1998-08-17

申请号：KR1019960059184

申请日：1996-11-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이광욱 ,  이문희 ,  조용준 ,  박임수

IPC: H01L21/304

Abstract: 세정장치의 일부를 구성하는 스핀건조기(Spin dryer)의 배기방식을 개선한 반도체 장치의 습식세정 스핀건조기에 관하여 개시되어 있다. 이를 위하여 본 발명은, 덮개부를 포함하는 본체부와, 상기 본체부로 유입되는 흡입 공기를 정화하기 위한 헤파필터(hepa filter)와, 모터와 연결되어 회전하면서 와류부를 형성하고 웨이퍼 카세트를 탑재할 수 있는 카세트부와, 상기 카세트부의 하부에 위치하면서 배기부를 형성하는 하부 배기 팬(exhaust fan)과, 상기 하부 배기팬의 하부에 있는 나선형의 배수부와, 상기 본체부의 내부에 원통형으로 새로이 설치되고 카세트부와 수직 방향으로 구성되는 측면 배기팬이 장착된 측면 배기팬 벽(side fanning wall)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 습식세정 스핀건조기를 제공한다. 따라서, 스핀건조기의 본체의 벽면에 측면 배기팬을 장착하여 파티클을 외부로 효과적으로 배출함으로써 웨이퍼 표면에 파티클에 의한 오염문제를 개선할 수 있는 반도체 장치의 습식세정 스핀건조기를 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980028648A

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：KR1019960047786

申请日：1996-10-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조용준 ,  송재인 ,  박흥수 ,  고영범

IPC: H01L21/304

Abstract: HBF4를 추가로 함유한 세정액을 사용하는 세정방법에 대하여 기재되어 있다. 이 세정방법은, CMP 공정 후의 세정방법에 있어서, 수산화암모늄(NH4OH)과 HBF4를 포함하는 세정액을 사용하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 유기물질과 파티클은 물론 금속오염이나 박막층의 긁힘, 피팅 등은 함께 제거할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019980028309A

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：KR1019960047310

申请日：1996-10-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정승필 ,  조용준 ,  이문희

IPC: H01L21/304

Abstract: 신규한 반도체 건조방법 및 그 장치가 개시되어 있다. 소정의 배스에서 웨이퍼를 증류수로 린스한 후, 상기 증류수의 표면에 소량의 알콜 액체를 주입한다. 상기 배스 내의 증류수와 알콜 액체를 천천히 배출시킨다. 이와 동시에, 예열된 알콜 증기를 비활성가스를 이용하여 상기 배스 내에 분사시킴으로써 상기 웨이퍼를 건조시킨다. 물반점 문제를 해결하고, 공정원가 및 공정안정성을 개선할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980015751A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960035189

申请日：1996-08-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정승필 ,  조용준 ,  이광욱 ,  박임수

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 스핀 드라이어에 대해 기재되어 있다. 회전 축을 중심으로 양측의 수평을 유지하기 위해 더미 웨이퍼를 사용하지 않으므로 작업이 단순화되고 더미 웨이퍼로 부터의 파티클 및 각종 오염원이 웨이퍼로 재흡착되는 것을 방지하고 회전 축의 부하(Load)가 줄어들어 설비의 마모 가능성이 최소화되고 설비의 라이프 타임이 향상된다.

公开(公告)号：KR2019980005360U

公开(公告)日：1998-03-30

申请号：KR2019960017577

申请日：1996-06-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정승필 ,  이문희 ,  조용준 ,  송재인

IPC: H01L21/304

Abstract: 본고안은반도체장치의습식처리장치에관한것으로서, 본고안에따른습식처리장치는대기와차단된기밀(氣密)구조의습식처리챔버를포함하는습식처리시스템과, 상기습식처리챔버내에각종처리에필요한약액을공급하는약액공급부와, 상기습식처리챔버에건조공정에필요한유체를도입시키기위한건조용유체도입부와, 상기습식처리챔버로부터유체를배출시키는배출부를포함하는것을특징으로하는반도체장치의습식처리장치를제공한다. 본고안에의하면, 웨이퍼표면의액체와공기사이의인터페이스에서발생하기쉬운파티클소스를제거함으로써파티클억제효과및 수율향상효과를높일수 있다.

Abstract translation: 该湿式处理装置包括湿式处理室，该湿式处理室包括气密且封闭的气密结构的湿式处理室，该湿式处理室包括化学处理室 和代理用于从所述液体处理室中的半导体装置供电的湿式处理装置，包括：用于引入在湿式处理腔室中的干燥步骤所需的流体的干燥流体导入部的排出部，排出所述液体供给部 等等。 在本文中，通过去除在晶片表面上的液体和空气之间的界面处可能发生的粒子源，可以提高粒子抑制效果和产率改善效果。

公开(公告)号：KR1019970030417A

公开(公告)日：1997-06-26

申请号：KR1019950041689

申请日：1995-11-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정승필 ,  조용준 ,  윤병문 ,  이병진

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 제조공정중에 사용되는 웨이퍼상의 파티클제어장치에 관한 것으로서, 그 구조는 회전력에 의해서 정방향 또는 역방향으로 회전되고 그리고 내부가 관통되어 있는 브러쉬홀더(16)를 구비하고 또한 상기 브러쉬홀더(16)의 내부를 통하여 연결되어 있고, 상기 브러쉬홀더(16)의 회전방향에 따라 회전되며, 그리고 상기 브러쉬홀더(16)의 회전력과는 별도의 회전력에 의해서 정방향 또는 역방향으로 회전되는 롤러형 브러쉬(20)를 포함한다. 상술한 본 발명의 파티클제거장치에 의하면, 웨이퍼의 표면에 대한 상기 롤러형 브러쉬의 접촉면적을 극대화할 수 있고, 그리고 기구적인 타격을 최소화할 수 있다.