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公开(公告)号：KR1020080034238A
公开(公告)日：2008-04-21
申请号：KR1020060100193
申请日：2006-10-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B1/16
CPC classification number: H04B1/0064 , H04B1/16
Abstract: A multi-band receiver and a multi-band tuner are provided to reduce power consumption by using a single chip. Receiving units(210-230) form one-to-one correspondence with respective band signals to receive multi-band signals. A mixer unit(240) converts one of the multi-band signals into one of a baseband signal and an IF(Intermediate Frequency) signal. An LO(Local Oscillation) unit(250) provides a local oscillating signal corresponding to one band signal to the mixer unit. If the converted signal corresponds to a baseband signal, a reconfigurable bandpass filter unit(260) serves as an LPF(Los Pass Filter), and if a signal outputted from a selected receiving unit corresponds to an IF signal, the reconfigurable bandpass filter unit serves as a complex bandpass filter. An LFPGA(Low Frequency Programmable Gain Amplification) unit(270) amplifies a signal outputted from the reconfigurable bandpass filter unit.
Abstract translation: 提供多频带接收机和多频带调谐器以通过使用单个芯片来降低功耗。 接收单元（210-230）与各个频带信号形成一一对应，以接收多频带信号。 混频器单元（240）将多频带信号之一转换为基带信号和IF（中频）信号之一。 LO（本地振荡）单元（250）向混频器单元提供对应于一个频带信号的本地振荡信号。 如果转换的信号对应于基带信号，则可重构带通滤波器单元（260）用作LPF（Los Pass Filter），如果从选择的接收单元输出的信号对应于IF信号，则可重构带通滤波器单元 作为一个复杂的带通滤波器。 LFPGA（低频可编程增益放大）单元（270）放大从可重构带通滤波器单元输出的信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100540865B1
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：KR1020020068339
申请日：2002-11-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N21/3563 , G01N21/8422
Abstract: 농도 측정방법 및 반도체 소자의 불순물 농도 측정방법이 개시되어 있다. 제1물질 및 상기 제1물질 보다 적은 양으로 복수개의 불순물을 포함하는 막이 형성된 반도체 기판에 적외선을 조사하여 상기 적외선의 일부를 흡수시키고, 흡수되지 않은 나머지 적외선을 투과시킨다. 상기 투과된 적외선과 투과되기 전의 적외선의 광량의 차이 및 상기 막이 형성되지 않은 반도체 기판이 흡수하는 적외선 광량의 차이로부터 상기 막이 포함하는 제1물질 및 복수개의 불순물 각각이 흡수하는 적외선 광량을 광 파수별로 파악한다. 상기 제1 물질이 흡수하는 일정 광량에 상응하는 광 파수영역에 대한 복수개의 불순물 각각이 흡수하는 일정 광량에 상응하는 광 파수영역의 비에 의해 각각의 불순물의 농도를 파악한다. 이와 같이, 실제 공정 중의 소자를 선택하여 측정하며 물질이 흡수하는 파수 영역에 의해 농도를 파악하므로 신뢰성 있는 데이터를 얻을 수 있다.
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公开(公告)号：KR100524211B1
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：KR1020030012808
申请日：2003-02-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/14 , H01L21/32155
Abstract: 반도체 소자 제조과정에서의 박막의 불순물 농도 측정방법 및 제어방법이 개시된다. 본 발명에 의한 박막의 불순물 농도 측정방법은 박막 증착 전 웨이퍼의 불순물 제 1 농도를 구하고, 웨이퍼에 박막을 증착한 후, 웨이퍼의 불순물 제 2 농도를 구하여 상기 2 농도와 상기 제 1 농도 차를 구하여 상기 웨이퍼에 증착된 박막의 불순물 농도를 계산한다. 또한 본 발명에 의한 박막의 불순물 농도 측정방법은 웨이퍼 샘플을 선택하여, 선택된 상기 웨이퍼의 불순물 제 1 농도를 구하고, 박막을 증착한 후, 웨이퍼의 불순물 제 2 농도를 구하여 제 2 농도와 제 1 농도의 차를 구하여 상기 웨이퍼에 증착된 박막의 불순물 농도를 구하고, 농도의 허용조건을 만족하는지 판단하여 만족하는 경우 박막의 도포 작업을 진행하고, 만족하지 않는 경우 불순물의 농도를 재조정한다.
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