公开(公告)号：KR100628888B1

公开(公告)日：2006-09-26

申请号：KR1020040112845

申请日：2004-12-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서정훈 ,  박영욱 ,  홍진기 ,  구경범 ,  이은택 ,  최윤호

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/5096 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/56 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01L21/32051

Abstract: 샤워 헤드 온도 조절 장치 및 이를 갖는 막 형성 장치는 샤워 헤드를 가열하기 위해 상기 샤워 헤드의 상부에 구비되는 히터, 상기 샤워 헤드의 열을 발산시키기 위해 상기 샤워 헤드의 상부에 구비되는 방열판을 구비한다. 상기 방열판의 내부에는 상기 샤워 헤드를 냉각시키기 위한 냉각 가스를 순환하기 위한 냉각 라인이 구비된다. 따라서 상기 히터, 방열판 및 냉각 라인을 이용하여 상기 샤워 헤드의 온도를 조절할 수 있다.

公开(公告)号：KR100543458B1

公开(公告)日：2006-01-20

申请号：KR1020030035657

申请日：2003-06-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서정훈 ,  최길현 ,  이종명 ,  박희숙

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53204 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 반도체 장치의 도전성 구조체 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 반도체기판 상에 하부 도전 패턴을 형성하고, 금속유기 전구체를 사용하여 베리어 금속막을 증착한 후, 증착된 베리어 금속막을 정화하는 단계를 포함한다. 베리어 금속막을 정화하는 단계는 TiCl
4 가스 및 아르곤 가스를 포함하는 공정 가스를 사용하여, 200 내지 500 ℃의 온도에서 실시하는 것이 바람직하다.

公开(公告)号：KR1020060003939A

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：KR1020040051855

申请日：2004-07-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서정훈 ,  박영욱 ,  홍진기

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45589

Abstract: 동일 챔버 내에서 원자층적층 공정 및 화학기상증착 공정을 이용한 반도체 장치의 막 형성 방법 및 이를 수행하기 위한 반도체 장치의 막 형성 장치에서, 반도체 기판을 챔버 내로 도입한 후, 샤워헤드와 기판 사이의 간격을 제1 간격으로 조절한다. 이어서, 원자층 증착 방법을 사용하여 기판 상에 제1 온도에서 제1 막을 형성한다. 이후, 샤워헤드와 기판사이의 간격을 제2 간격으로 조절하고, 화학기상증착 방법을 사용하여 제1 막 상에 제2 온도에서 제2 막을 형성한다. 우수한 전류특성을 갖는 반도체 장치의 막을 형성함과 동시에 반도체 제조 공정의 생산성을 향상시킬 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020050014966A

公开(公告)日：2005-02-21

申请号：KR1020030053396

申请日：2003-08-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서정훈 ,  박영욱 ,  한재종

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/32051 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/06 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/466 ,  H01L21/28556

Abstract: PURPOSE: A CVD apparatus having plural backside gas paths and a method for forming films using the CVD apparatus are provided to reduce variation of thickness of an Al layer on a wafer by controlling BSG(BackSide Gas) amounts supplied to local regions independently from one another. CONSTITUTION: A CVD(Chemical Vapor Deposition) apparatus, having plural backside gas paths, includes a reaction chamber, a heater table(20), a plurality of BSG paths(82,84), and a mass flow controller(70). The reaction chamber forms a predetermined film on a wafer using CVD. The heater table includes an upper surface having a wafer support region and a heater to heat the wafer support region. The BSG paths in the heater table include a plurality of BSG paths for supplying the BSG heated by the heater to a local region. The mass flow controller supplies BSG of different amounts to the plural BSG paths to control the temperature of the local regions independently from one another.

Abstract translation: 目的：提供具有多个后侧气体路径的CVD装置和使用该CVD装置形成膜的方法，以通过控制彼此独立地提供给局部区域的BSG（BackSide Gas）量来减小晶片上的Al层的厚度变化 。 构成：具有多个背面气体路径的CVD（化学气相沉积）装置包括反应室，加热台（20），多个BSG路径（82,84）和质量流量控制器（70）。 反应室使用CVD在晶片上形成预定的膜。 加热台包括具有晶片支撑区域的上表面和用于加热晶片支撑区域的加热器。 加热器台中的BSG路径包括用于将由加热器加热的BSG供应给局部区域的多个BSG路径。 质量流量控制器向多个BSG路径提供不同量的BSG，以彼此独立地控制局部区域的温度。

公开(公告)号：KR100446300B1

公开(公告)日：2004-08-30

申请号：KR1020020030294

申请日：2002-05-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤주영 ,  최길현 ,  김병희 ,  이종명 ,  양승길 ,  서정훈

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76882 ,  H01L2221/1089

Abstract: A metal interconnection of a semiconductor device is fabricated by forming a dielectric pattern including a hole therein on a substrate, and forming a barrier metal layer in the hole and on the dielectric layer pattern outside the hole. At least some of the barrier metal layer is oxidized. An anti-nucleation layer is selectively formed on the oxidized barrier metal layer outside the hole that exposes the oxidized barrier metal layer in the hole. A metal layer then is selectively formed on the exposed oxidized barrier layer in the hole.

Abstract translation: 半导体器件的金属互连通过在衬底上形成包括孔的电介质图案并且在孔内以及孔外的电介质层图案上形成阻挡金属层来制造。 至少一些阻挡金属层被氧化。 在孔外侧的氧化阻挡金属层上选择性地形成抗成核层，其暴露孔中的氧化阻挡金属层。 然后在孔中暴露的氧化阻挡层上选择性地形成金属层。

公开(公告)号：KR1020040043673A

公开(公告)日：2004-05-24

申请号：KR1020020072092

申请日：2002-11-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서정훈 ,  최길현 ,  김병희 ,  윤주영 ,  박성건

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal interconnection of a semiconductor device is provided to improve step coverage by increasing a metal deposition rate in a recess region in a metal interconnection formation process for burying the recess region like a contact hole. CONSTITUTION: An insulation layer pattern(20) with a recess region(22) is formed on a semiconductor substrate(10). A barrier metal layer(30) is formed on the inner wall of the recess region and on the upper portion of the insulation layer pattern. A step coverage control layer(40) that is thicker on the insulation layer pattern than on the inner wall of the recess region is formed on the barrier metal layer. An Al layer is formed on the step coverage control layer by a CVD(chemical vapor deposition) process.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的金属互连的方法，用于通过在金属互连形成工艺中在凹陷区域中增加金属沉积速率来改善步骤覆盖度，以用于掩埋像接触孔那样的凹陷区域。 构成：在半导体衬底（10）上形成具有凹陷区域（22）的绝缘层图案（20）。 在凹部的内壁和绝缘层图案的上部形成阻挡金属层（30）。 在阻挡金属层上形成有在绝缘层图案上比在凹陷区域的内壁上更厚的台阶覆盖控制层（40）。 通过CVD（化学气相沉积）工艺在台阶覆盖控制层上形成Al层。

公开(公告)号：KR2020010001972U

公开(公告)日：2001-01-26

申请号：KR2019990012492

申请日：1999-06-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서정훈

IPC: F24F1/00

Abstract: 본고안은천정형에어컨의응축수받이분리구조에관한것으로서, 열교환기의하측에응축수받이가분리가능케결합된천정형에어컨에있어서, 상기응축수받이의내부바닥중간부에형성된돌출부(75)와, 상기돌출부의내부에형성된체결구멍(73)과, 상기응축수받이의외부하측에서상기체결구멍을통하여삽입체결된체결부재(69)를포함하고있는것을특징으로하며, 이와같이구성되어있으므로, 응축수받이를분리하기가용이하다는효과가있다.

公开(公告)号：KR2020000001890U

公开(公告)日：2000-01-25

申请号：KR2019980011696

申请日：1998-06-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서정훈

IPC: F24F1/00

Abstract: 본 고안은, 본체와; 상기 본체내에 비스듬히 설치되어 실내공기를 열교환하며, 상단부는 상단브래킷에 의해 지지되고 하단부는 제상수를 집수하는 집수용기내에 수용된 증발기를 갖는 공조기기용 실내기에 관한 것으로서, 상기 집수용기내에는 상기 증발기가 좌우유동하는 것을 방지하는 하단브래킷이 장착되어 있는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 증발기가 본체의 전후 또는 좌우방향으로 유동하는 것을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR200146172Y1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR2019960016296

申请日：1996-06-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서정훈

IPC: F24F1/00

Abstract: 본 고안에 의한 공기조화기의 에어필터 안내장치는 흡입구로 유입된 공기에 함유되어 있는 이물질 등을 걸러내도록 흡입구내에 에어필터가 구비된 공기조화기에 있어서, 상기 흡입구(40)의 양측에 대향하게 설치된 가이드부재(120)의 내측면에 에어필터를 삽입설치 및 분리하기 용이하도록 에어필터안내부(123)가 상기 가이드부재(120)와 일체로 형성된 것을 특징으로 하므로 본 고안은 공기조화기의 흡입구에 에어필터를 설치 및 분리하기 용이하고 공기조화기의 전체 중량 감소에 따른 제조원가를 저감시킬 수 있는 매우 뛰어난 효과가 있다.

公开(公告)号：KR200139290Y1

公开(公告)日：1999-05-15

申请号：KR2019950024946

申请日：1995-09-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서정훈

IPC: F24F13/10 ,  F24F1/00

Abstract: 본 고안에 의한 공기조화기의 토출구 개폐장치는, 구동원에 의해 셔터부재(131)가 가이드부재(62)의 안내를 받아 상하이동되면서 토출구(50)를 폐쇄 또는 개방시키도록 구성된 공기조화기의 토출구 개폐장치에 있어서, 상기 토출구(50)에는 상기 셔터부재(131)가 토출구(50)를 폐쇄된 상태에서 토출구(50)를 통하여 빛이 침투되어 셔터부재의 결합상태가 노출되는 것을 차단하도록 그 양측단 후방에 설치된 리브(141)와, 상기 리브(141)와 셔터부재(131)와의 사이에 형성된 가시틈새(G')를 최소화시키도록 그 양측단에 형성된 플랜지부(142)를 구비한 것을 특징으로 있으므로, 토출구(50)측의 외관을 미려하게 할 수 있음과 동시에 일체감을 줄 수 있음은 물론 가시틈새(G')를 통해 더러운 떼부분이 외부로 노출되지 않도록 차단할 수 있는 것이다.