公开(公告)号：KR102147849B1

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：KR1020130092667

申请日：2013-08-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김현석 ,  김선재 ,  김태상 ,  류명관 ,  박준석 ,  손경석

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR102011874B1

公开(公告)日：2019-08-19

申请号：KR1020130023542

申请日：2013-03-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구본원 ,  진용완 ,  김주영 ,  박정일 ,  손경석 ,  양혜연 ,  이방린 ,  이은경 ,  이지열 ,  정지영

IPC: H01L51/50 ,  H01L29/786

公开(公告)号：KR101993383B1

公开(公告)日：2019-06-26

申请号：KR1020120158528

申请日：2012-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김현석 ,  김선재 ,  김태상 ,  류명관 ,  박준석 ,  서석준 ,  선종백 ,  손경석 ,  이상윤

IPC: H01L21/31 ,  H01L29/786

公开(公告)号：KR101963226B1

公开(公告)日：2019-04-01

申请号：KR1020120021409

申请日：2012-02-29

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 손경석 ,  류명관 ,  김태상 ,  김현석 ,  박준석 ,  선종백 ,  이상윤

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

公开(公告)号：KR101920709B1

公开(公告)日：2018-11-22

申请号：KR1020100074404

申请日：2010-07-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  김현석 ,  류명관 ,  이상윤 ,  이광희 ,  김태상 ,  김억수 ,  손경석 ,  맹완주 ,  박준석

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 트랜지스터와그 제조방법및 트랜지스터를포함하는전자소자에관해개시되어있다. 개시된트랜지스터는다층구조를갖는산화물채널층을포함할수 있다. 상기채널층은게이트절연층측으로부터순차로배열되는제1층및 제2층을포함할수 있다. 상기제1층은도전체(conductor)일수 있고, 상기제2층은상기제1층보다전기전도도가낮은반도체(semiconductor)일수 있다. 상기제1층은게이트전압조건에따라공핍영역(depletion region)이될 수있다.

公开(公告)号：KR101778223B1

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：KR1020080090007

申请日：2008-09-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  류명관 ,  유병욱 ,  이상윤 ,  김태상 ,  권장연 ,  손경석 ,  정지심

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L29/78618

Abstract: 박막트랜지스터가개시된다. 개시된박막트랜지스터는, 채널과소스및 드레인사이에형성된중간층을포함함으로써, 박막트랜지스터에서발생할수 있는드레인영역의높은오프전류를감소시켜안정된구동이가능한박막트랜지스터를제공한다.

公开(公告)号：KR101623961B1

公开(公告)日：2016-05-26

申请号：KR1020100029352

申请日：2010-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정지심 ,  이창승 ,  이재철 ,  이상윤 ,  권장연 ,  이광희 ,  손경석

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78606

Abstract: 트랜지스터와그 제조방법및 트랜지스터를포함하는전자소자에관해개시되어있다. 개시된트랜지스터는채널층, 소오스, 드레인및 게이트를덮는것으로높이방향으로성분이달라지는보호층(passivation layer)을포함할수 있다. 상기보호층은순차로적층된실리콘산화물층, 실리콘질산화물층및 실리콘질화물층을포함하는다층구조를가질수 있다. 또는상기보호층은순차로적층된고온산화물층및 질화물층을포함하는다층구조를가질수 있다. 상기채널층은산화물반도체를포함할수 있다.

Abstract translation: 公开了晶体管，其制造方法以及包括晶体管的电子器件。 所公开的晶体管可以包括覆盖沟道层，源极，漏极和栅极的钝化层，其组分在高度方向上变化。 保护层可以具有包括顺序堆叠的氧化硅层，氮氧化硅层和氮化硅层的多层结构。 或者保护层可以具有包括顺序堆叠的高温氧化物层和氮化物层的多层结构。 沟道层可以包括氧化物半导体。

公开(公告)号：KR1020150055475A

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：KR1020130137889

申请日：2013-11-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김억수 ,  류명관 ,  박준석 ,  손경석 ,  이선희

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869

Abstract: 높은온/오프전류비를가진박막트랜지스터가개시된다. 개시된박막트랜지스터는, 기판상의게이트전극과, 상기게이트전극상방의제1 채널과, 상기제1 채널의양단에각각연결된소스전극및 드레인전극과, 상기제1 채널상에서상기게이트전극과마주보게상기제1 채널의상면에접촉하며상기제1 채널보다전기전도도가높은제2 채널을포함한다. 상기제2 채널은상기소스전극및 드레인전극과이격되며, 상기게이트전극은평면도로볼 때상기소스전극및 상기드레인전극과오버랩되지않게상기소스전극및 상기드레인전극사이에형성된다.

Abstract translation: 公开了具有高导通/截止电流比的薄膜晶体管。 所公开的晶体管包括：基板上的栅电极; 栅电极上方的第一通道; 源极和漏极连接到第一通道的相对端; 以及第二通道，其与第一通道的上侧接触以与第一通道上的栅电极相对，并且具有比第一通道的导电性更高的导电性。 第二通道与源极和漏极分离。 栅电极形成在源电极和漏电极之间，不与平面图的源电极和漏电极重叠。 根据本发明，当薄膜晶体管截止时，通过偏移结构防止在栅极和源极和漏极之间形成高电场。 因此，可以减少关断电流。

公开(公告)号：KR101512818B1

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：KR1020080099608

申请日：2008-10-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손경석 ,  김태상 ,  권장연 ,  정지심 ,  이상윤 ,  류명관 ,  박경배 ,  유병욱

IPC: H01L29/786

Abstract: 개시된산화물반도체트랜지스터는산화물반도체로이루어진채널층과제1 게이트사이에형성되는제1 게이트절연막; 및채널층과제2 게이트사이에형성되는제2 게이트절연막;을포함하며, 상기제1 게이트절연막및 제2 게이트절연막은서로다른물질로이루어진다.

公开(公告)号：KR1020140106977A

公开(公告)日：2014-09-04

申请号：KR1020130021386

申请日：2013-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  인하대학교 산학협력단

Inventor： 손경석 ,  류명관 ,  정재경

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L21/324 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742

Abstract: Disclosed are a thin film transistor with high performance and a manufacturing method thereof. The thin film transistor according to one embodiment of the present invention includes a gate electrode which is formed on a substrate, a gate insulation layer which is formed on the gate electrode, a channel layer which is formed on the gate insulation layer, a first electrode which covers one end of the channel layer, a second electrode which covers the other end of the channel layer, and a protective layer which covers the channel layer between the first and second electrodes. The channel layer includes an In-rich metal oxide layer. The protective layer is a single layer or multiple layers and includes at least aluminum oxide. The channel layer is processed by O2 HPA before or after the protective layer is formed.

Abstract translation: 公开了一种具有高性能的薄膜晶体管及其制造方法。 根据本发明的一个实施例的薄膜晶体管包括形成在基板上的栅极电极，形成在栅电极上的栅极绝缘层，形成在栅极绝缘层上的沟道层，第一电极 其覆盖沟道层的一端，覆盖沟道层的另一端的第二电极和覆盖第一和第二电极之间的沟道层的保护层。 沟道层包括富铟金属氧化物层。 保护层是单层或多层，并且至少包括氧化铝。 在保护层形成之前或之后，通道层由O 2 HPA处理。