公开(公告)号：KR1020090036462A

公开(公告)日：2009-04-14

申请号：KR1020070101667

申请日：2007-10-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 부엘만사이먼 ,  고형수 ,  정주환 ,  홍승범

IPC: G01R33/00

CPC classification number: G11B9/02 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/1409

Abstract: An electric field sensor with a vertical thin film structure is provided to control the density of foreign material accurately since there is no need of a diffusion process in forming a high resistance semiconductor layer. In a substrate(13), a low resistance semiconductor layer(10) in which impurity is doped to the high concentration is prepared in the top layer. The high resistance semiconductor layer(20) is located in the partial domain on the low resistance semiconductor layer. The impurity is doped to the low concentration, and a conductive layer(30) is located on the high resistance semiconductor layer. The change of the electric field is detected by the change of a current flowing through the low resistance semiconductor layer.

Abstract translation: 提供具有垂直薄膜结构的电场传感器，以便在形成高电阻半导体层时不需要扩散处理来精确地控制异物的密度。 在衬底（13）中，在顶层中制备杂质掺杂到高浓度的低电阻半导体层（10）。 高电阻半导体层（20）位于低电阻半导体层的部分域中。 杂质被掺杂到低浓度，并且导电层（30）位于高电阻半导体层上。 通过流过低电阻半导体层的电流的变化来检测电场的变化。

公开(公告)号：KR1020090008010A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：KR1020070071286

申请日：2007-07-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고형수 ,  박철민 ,  정주환 ,  홍승범 ,  전대영

IPC: G11B5/127

CPC classification number: G11B9/02 ,  G11B5/6082 ,  H01L29/78

Abstract: An electric field reproduction/record head and a manufacturing method thereof, and an information storage apparatus including the electric field reproduction/record head are provided to improve operation stability and recording density of reproduction/record head by applying the electric field recording method to the drive system of HDD. An electric field reproduction/record head comprises a resistance region(20) which is formed within a substrate, having an end surface facing a recording medium, a source(30a) and a drain(30b) which are formed in either side of the resistance region of the substrate, and an insulating layer(40) and a write electrode(50) which are successively provided in the resistance region. The length(‘±) and width(w) of the resistance region satisfy the following equation, (‘±/w)>=0.2 or (‘±/w)>=1.

Abstract translation: 提供电场再现/记录头及其制造方法以及包括电场再现/记录头的信息存储装置，以通过将电场记录方法应用于驱动器来提高再现/记录头的操作稳定性和记录密度 硬盘系统 电场再现/记录头包括形成在基板内的电阻区域（20），具有面向记录介质的端面，形成在电阻的两侧的源极（30a）和漏极（30b） 区域，以及连续地设置在电阻区域中的绝缘层（40）和写入电极（50）。 电阻区域的长度（'±）和宽度（w）满足下列等式，（'±/ w）= 0.2或（'±/ w）= 1。

公开(公告)号：KR1020080018434A

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：KR1020060080530

申请日：2006-08-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍승범 ,  정주환 ,  고형수

IPC: G11B9/14

CPC classification number: G11B9/04 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/149

Abstract: A device for storing high density data and a recording/reproducing method thereof are provided to safely record/reproduce the data in a recording medium by separating the tip of a probe from the recording medium. A device for storing high density data uses a recording medium(200) and a probe(100). The recording medium is a thin film made of a phase change material or an oxide resistance variable material. A tip(140), having a channel structure of a field-effect transistor, is formed at the lower part of the probe and separated from the top of the recording medium.

Abstract translation: 提供一种用于存储高密度数据的装置及其记录/再现方法，用于通过将探针的尖端与记录介质分离来将数据安全地记录/再现在记录介质中。 用于存储高密度数据的装置使用记录介质（200）和探针（100）。 记录介质是由相变材料或氧化物电阻变化材料制成的薄膜。 具有场效应晶体管的沟道结构的尖端（140）形成在探针的下部并与记录介质的顶部分离。

公开(公告)号：KR100790895B1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：KR1020060113388

申请日：2006-11-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고형수 ,  정주환 ,  홍승범 ,  박철민

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01Q60/30 ,  G01Q80/00 ,  H01C13/00 ,  Y10T29/49082

Abstract: A semiconductor probe having a resistive tip and a method for fabricating the same are provided to prevent abrasion of a resistive region by forming a plane with a dielectric layer of the resistive region, an electric field shield, and a dielectric layer. A resistive tip is doped with a first impurity. A stage of the resistive tip is doped with a second impurity of low density. The second impurity has polarity different from the polarity of the first impurity. A first and second semiconductor electrode regions are formed on an inclined surface of the resistive tip. The first and second semiconductor electrode regions are doped with the second impurity of high density. A dielectric layer(160) is formed on the resistive tip. An electric field shield(162) is formed on a dielectric layer. The electric field shield and the dielectric layer are formed as a plane on the end of the resistive tip. A cantilever(170) is positioned at an end of the resistive tip.

Abstract translation: 提供具有电阻端头的半导体探针及其制造方法，以通过形成具有电阻区域，电场屏蔽层和电介质层的介电层的平面来防止电阻区域的磨损。 电阻尖端掺杂有第一杂质。 电阻尖端的阶段掺杂有低密度的第二杂质。 第二杂质的极性与第一杂质的极性不同。 第一和第二半导体电极区域形成在电阻尖端的倾斜表面上。 第一和第二半导体电极区域掺杂有高密度的第二杂质。 在电阻尖端上形成介电层（160）。 在电介质层上形成电场屏蔽（162）。 电场屏蔽层和电介质层形成为电阻端头端的平面。 悬臂（170）位于电阻尖端的端部。

公开(公告)号：KR1020070020682A

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：KR1020050074849

申请日：2005-08-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고형수 ,  정주환 ,  홍승범 ,  박홍식

IPC: H01L21/02 ,  G11B9/14 ,  G11B11/26

CPC classification number: G01Q70/16 ,  G01Q70/10 ,  G01Q70/14 ,  G01Q80/00 ,  G11B9/02 ,  G11B9/1409 ,  Y10S977/861

Abstract: 저단면비의 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 저단면비의 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침은, 제1불순물이 도핑되어 있으며, 그 첨두부에는 상기 제1불순물과 극성이 다른 제2불순물이 저농도로 도핑된 저항영역이 형성되고, 그 경사면에는 상기 제2불순물이 고농도로 도핑된 제1 및 제2반도체 전극영역이 형성된 저항성 팁; 및 상기 저항성 팁이 말단부에 위치하는 캔티레버;를 구비하며, 상기 저항성 팁의 높이는 상기 저항성 팁의 반경 보다 작은 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 반도체 탐침의 공간 분해능이 향상된다.

Abstract translation: 公开了具有低纵横比的电阻性尖端的半导体探针及其制造方法。 具有低横截面比的电阻性尖端的半导体探针的特征在于：掺杂第一杂质，在顶点形成其中具有与第一杂质不同极性的第二杂质轻度掺杂的电阻区， 一种电阻性尖端，其具有以高浓度掺杂有第二杂质的第一和第二半导体电极区域; 以及其中电阻性尖端位于远端处的悬臂，其中电阻性尖端的高度小于电阻性尖端的半径。 这改善了半导体探测器的空间分辨率。

公开(公告)号：KR100612867B1

公开(公告)日：2006-08-14

申请号：KR1020040088163

申请日：2004-11-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍승범 ,  정주환 ,  고형수 ,  박홍식 ,  민동기 ,  김은식 ,  박철민 ,  김성동 ,  백경록

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/101 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/02 ,  G11C11/22

Abstract: 탐침 어레이를 가지는 저항성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제시한다. 본 발명에 따른 저항성 메모리 소자 제조 방법은, 제1기판 상에 바닥 전극 및 강유전층을 순차적으로 형성하고, 제2기판 상에 데이터 기록 및 재생을 위한 저항성 탐침들의 어레이를 형성하는 과정을 포함한다. 탐침의 팁 부분이 강유전층의 표면에 대향되게 제1기판을 제2기판에 폴리머층을 포함하는 결합층을 이용하여 웨이퍼 수준 결합(wafer level bonding)시키는 과정을 포함한다.
저항성 탐침, 유전 분극, 도메인, 도핑, 공핍층

公开(公告)号：KR1020060090487A

公开(公告)日：2006-08-11

申请号：KR1020050011410

申请日：2005-02-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고형수 ,  김은식 ,  김성동 ,  정주환 ,  박홍식 ,  박철민 ,  홍승범

IPC: H01L27/115

CPC classification number: G11B9/02 ,  G11C11/5657 ,  Y10S977/947

Abstract: 강유전체 기록 매체 및 그의 기록 방법이 개시된다.
개시되는 본 발명에 따른 강유전체 기록 매체는 극성 반전(polarization reversal)이 이루어지는 소정의 강제 전압(coercive voltage)을 가지는 강유전체층(ferroelectric layer); 상기 강유전체층 위에 형성되는 것으로, 상기 강제 전압보다 낮은 전압인 제 1 전압에서 저항이 작아지고, 상기 강제 전압보다 높은 전압인 제 2 전압에서 저항이 커지는 비휘발성의 이방성 전도층(anisotropic conduction layer);을 구비하고, 상기 강유전체층의 분극 상태와 상기 이방성 전도층의 저항 상태의 조합에 의해 다중 비트의 정보를 저장하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 강유전체 기록 매체 및 그의 기록 방법에 의하면, 강유전체 기록 매체의 하나의 도메인에서도 다중 비트를 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060084739A

公开(公告)日：2006-07-25

申请号：KR1020050005535

申请日：2005-01-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박철민 ,  정주환 ,  김준오 ,  홍승범

IPC: H01L21/66

Abstract: 수직 PN접합구조의 압전저항센서를 구비한 반도체 탐침이 개시된다. 개시된 수직 PN 접합구조의 압전저항센서를 구비한 반도체 탐침은, 기판의 일측에서 연장된 캔티레버의 자유단에 형성된 팁과, 상기 캔티레버의 일면 상에 형성되어서 상기 캔티레버의 수직변형에 따라 저항이 변하는 수직 PN접합구조의 압전저항센서를 구비한다. 상기 PN접합 압전저항센서는: 상기 캔티레버의 일면에서 상기 캔티레버의 길이방향으로 n형불순물로 도핑된 n형 영역과, 상기 n형 영역의 표면에서 p형 불순물로 도핑된 p형 영역으로 이루어진 PN 접합구조를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020060022411A

公开(公告)日：2006-03-10

申请号：KR1020040071221

申请日：2004-09-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  백경록 ,  정주환 ,  고형수 ,  박철민 ,  홍승범

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G11B9/1409 ,  G01Q60/30 ,  Y10S977/875 ,  Y10S977/878 ,  Y10S977/879

Abstract: Provided are a semiconductor probe with a resistive tip, and a method of fabricating the semiconductor probe. The method includes forming a stripe-shaped mask layer on a substrate doped with a first impurity, and forming first and second electrode regions by heavily doping portions of the substrate not covered by the mask layer with a second impurity opposite in polarity to the first impurity; annealing the substrate to decrease a gap between the first and second semiconductor electrode regions, and forming resistive regions lightly doped with the second impurity at portions contiguous with the first and second semiconductor electrode regions; forming a stripe-shaped first photoresist orthogonal to the mask layer, and etching the mask layer such that the mask layer has a square shape; forming a second photoresist on the substrate to cover a portion of the first photoresist and define a cantilever region; forming the cantilever region by etching portions not covered by the first and second photoresists; and removing the first and second photoresists, and forming a resistive tip having a semi-quadrangular pyramidal shape by etching portions of the substrate not covered by the mask layer.

公开(公告)号：KR100552686B1

公开(公告)日：2006-02-20

申请号：KR1020030058285

申请日：2003-08-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백경록 ,  전종업 ,  정주환 ,  홍승범 ,  민동기 ,  박홍식

IPC: H02N1/06

CPC classification number: H02N1/008 ,  H02K2201/18

Abstract: 본 발명은 대면적 스테이지를 구비한 2축 액츄에이터에 관하여 개시된다. 개시된 2축 액츄에이터는, 기판; 상기 기판 상에 고정된 대략 4각형상 변을 가지는 앵커부; 상기 앵커부 내의 양측에서 상기 기판으로부터 이격되어서 각각 서로 마주보는 제1방향으로 구동되는 제1구동부들; 상기 제1구동부들 사이에서 양측에서 서로 마주보는 방향으로 구동되는 제2구동부들; 상기 제2구동부들의 상부에 배치되어 상기 제2방향으로 구동되는 사각형상의 스테이지; 상기 스테이지 및 상기 앵커부로부터 소정거리 이격되며, 상기 각 제1구동부의 상부에서 그 양측에서 서로 마주보게 연장되어 하나의 몸체로 형성된 제3구동부; 상기 제1구동부가 상기 앵커부의 내면에 지지된 제1방향 변형 스프링부; 및 상기 제2구동부가 상기 제3구동부의 내면에 지지되도록 형성된 제2방향 변형 스프링부;를 구비한다. 이에 따르면, 스테이지를 구동부의 상부에 별도로 형성함으로써 구동장치 면적에 대해 스테이지 면적(저장면적)이 현저하게 증가되며, 또한 X 축 및 Y 축 이동시 축간 간섭이 없는 저장장치용 XY 스테이지 마이크로구동기가 된다.