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公开(公告)号：KR1020080105264A
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：KR1020070052620
申请日：2007-05-30
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: G01R1/067 , G01R1/06755 , G01R3/00 , G01R31/2601
Abstract: The insulating method of the probe for the probe card using the glass ink coating is provided to obtain the excellent insulating property by coating the glass ink on the probe for the probe card. The method for insulating the probe for the probe card comprises as follows. A step is for making the probe(100) in the plating or the etching process. The step is for performing coating using the glass ink(110) after probe is cleaned. The step is for polishing both ends of the coated probe and being inserted into the probe unit. A step is for connecting the probe unit to the PCB circuit part after fixing epoxy probe.
Abstract translation: 提供使用玻璃油墨涂层的探针卡的探针的绝缘方法，以通过在探针卡的探针上涂覆玻璃墨来获得优异的绝缘性。 探针卡的探头绝缘方法如下。 步骤是在电镀或蚀刻工艺中制造探针（100）。 该步骤是在探针清洁之后使用玻璃油墨（110）进行涂覆。 该步骤用于抛光涂覆的探针的两端并插入探针单元中。 固定环氧树脂探头后，将探针单元连接到PCB电路部分。
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公开(公告)号：KR100849391B1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：KR1020050063670
申请日：2005-07-14
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 읽기/쓰기가 가능한 원자력 현미경 캔틸레버에 관한 것으로, 보다 자세하게는 원자력 현미경 캔틸레버에 MOSFET를 내장시켜 정보의 읽기/쓰기가 가능한 원자력 현미경 캔틸레버를 제조하기 위한 것이다.
본 발명의 읽기/쓰기가 가능한 원자력 현미경 캔틸레버는 금속층, 제1 실리콘층, 산화막 및 제2 실리콘층이 순차적으로 적층된 캔틸레버 지지부; 상기 캔틸레버 지지부의 제2 실리콘층만이 연장되어 형성된 캔틸레버 아암부; 상기 캔틸레버 아암부의 제2 실리콘층에 형성된 탐침; 상기 탐침의 하부에 형성된 채널; 상기 탐침의 중심부로부터 소정 거리만큼 이격된 양 측면에 형성된 소스/드레인; 및 상기 소스/드레인 사이에 형성된 게이트로 구성됨에 기술적 특징이 있다.
캔틸레버, 탐침, 읽기/쓰기, MOSFET-
公开(公告)号：KR100709282B1
公开(公告)日：2007-04-19
申请号：KR1020040112875
申请日：2004-12-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 및 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 마이크로 결정질 실리콘 박막 트랜지스터를 사용하여 캐리어의 이동도가 높고, 추가적인 열처리 공정이 필요하지 않은 박막 트랜지스터 및 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 박막 트랜지스터는 투명한 기판; 상기 기판 상에 형성되어 있는 게이트; 상기 게이트를 덮고 있는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 형성되어 있는 마이크로 결정질 실리콘 박막; 상기 마이크로 결정질 실리콘 박막의 소정 부분을 덮고 있는 제1 절연막; 상기 제1 절연막의 소정 부분을 덮고 있는 N-형 마이크로 결정질 실리콘 박막; 상기 N-형 마이크로 결정질 실리콘 박막의 소정 부분을 덮고 있는 제2 절연막 및 상기 제2 절연막과 N-형 마이크로 결정질 실리콘 박막 사이에 형성된 금속층으로 구성됨에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 박막 트랜지스터 및 제조 방법은 마이크로 결정질 실리콘 박막 트랜지스터를 사용함으로써 간단한 공정으로 능동형 디스플레이 구동소자, 능동형 액정 디스플레이 구동소자 또는 능동형 유기 디스플레이 구동소자에 적용이 가능한 장점이 있고, 간단한 공정으로 우수한 특성을 갖는 구동소자를 제작하여 생산 단가의 감소와 제품 특성이 향상되는 효과가 있다.
마이크로 결정질 박막, 박막 트랜지스터, 구동소자-
公开(公告)号：KR1020070004158A
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020050059519
申请日：2005-07-04
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G11B7/2433 , G11B7/004
Abstract: A recording medium of a probe type information storing apparatus, a recording method, a reproducing method, and an erasing method are provided to significantly raise the recording density by additively forming a metal-insulator phase change thin film on a phase change thin film. A lower electrode(110) is positioned on a silicon substrate(100). A phase change thin film(120) is positioned on the lower electrode(110), wherein the phase change thin film(120) has a crystalline state. A metal-insulator phase change thin film(130) is positioned on the phase change thin film(120). The lower electrode(110) is formed of any one of Pt, Au, and an amorphous carbon thin film.
Abstract translation: 提供探针型信息存储装置，记录方法，再现方法和擦除方法的记录介质，通过在相变薄膜上相加形成金属 - 绝缘体相变薄膜来显着提高记录密度。 下电极（110）位于硅衬底（100）上。 相变薄膜（120）位于下电极（110）上，其中相变薄膜（120）具有结晶状态。 金属 - 绝缘体相变薄膜（130）位于相变薄膜（120）上。 下电极（110）由Pt，Au和非晶碳薄膜中的任一种形成。
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公开(公告)号：KR100617471B1
公开(公告)日：2006-08-29
申请号：KR1020040059291
申请日：2004-07-28
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 고종횡비 탐침을 가지는 압전 액츄에이터 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 상부면이 평평한 직육면체 형상의 탐침 지지부, 전자빔 유도 증착에 의한 탐침 중간부 및 전자빔 융착에 의한 탄소나노튜브 탐침 첨두부로 구성되는 고종횡비 탐침을 가지는 압전 액츄에이터 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 직육면체 형상의 탐침 지지부를 가지는 실리콘 질화막 캔틸레버를 형성하는 단계, 상기 캔틸레버의 로드부에 2축 구동 압전 액츄에이터를 형성하는 단계, 상기 탐침 지지부에 전자빔 유도 증착법을 통해 탐침 중간부를 형성하는 단계 및 상기 탐침 중간부에 탄소나노튜브를 부착하여 탐침 첨두부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고종횡비 탐침을 가지는 압전 액츄에이터 캔틸레버 제조방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 고종횡비 탐침을 가지는 압전 액츄에이터 캔틸레버 및 그 제조방법은 상부면이 평평한 직육면체 형상의 탐침 지지부를 형성함으로써 전자빔유도 증착에 의한 탐침 중간부 형성의 재현성을 높이고 전자빔융착에 의한 탄소나노튜브 부착과 그 각도 조절이 용이할 뿐만 아니라 2축 구동 압전 액츄에이터에 의해 측정시의 왜곡을 감소시킴으로서 보다 정밀하고 신뢰성 있는 측정을 가능하게 하는 효과가 있다.
고종횡비, 캔틸레버, 탐침, 2축 구동 압전 액츄에이터, 탄소나노튜브-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060011234A
公开(公告)日：2006-02-03
申请号：KR1020040059941
申请日：2004-07-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G11B9/14
Abstract: 본 발명은 탐침형 정보저장장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 외부 진동에 대한 영향을 최소화할 수 있는 휴대용 정보저장장치에 관한 것이다.
본 발명의 탐침형 정보저장장치는 탐침 어레이, 신호처리부, 매체 및 구동기로 이루어진 탐침형 정보저장장치에 있어서, 상기 탐침 어레이와 신호처리부를 외부 케이스에 연결하기 위한 탐침부 스프링 및 상기 매체와 구동기를 외부 케이스에 연결하기 위한 구동부 스프링으로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 탐침형 정보저장장치는 탐침부와 매체부 주위에 스프링을 부가함으로써, 외부 진동에 대한 영향을 최소화할 수 있어 휴대용 정보저장장치로의 사용이 가능하고, 종래의 질량 보상 방법에 비해 기록 면적을 높일 수 있는 장점이 있으며, 탐침부와 매체부 사이의 진동이 줄어들기 때문에 신호대 잡음비가 높아져 고속화 또는 대용량화가 가능한 효과가 있다.
탐침, 스프링, 저장, 매체, 구동-
公开(公告)号：KR1020050022032A
公开(公告)日：2005-03-07
申请号：KR1020030058707
申请日：2003-08-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N13/16
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing an AFM field effect transistor cantilever is provided to improve an information sensitivity by enlarging an aspect ratio of a probe. CONSTITUTION: A probe(300) is formed on an upper surface of a second silicon layer of an SOI substrate in which a first silicon layer, a first insulation layer and the second silicon layer are sequentially deposited. A second insulation layer, a third insulation layer, a polysilicon layer, and a photoresist layer are sequentially deposited on the second silicon layer. Then, a first mask pattern of a cantilever is formed on the polysilicon layer. A second mask pattern is formed by sequentially etching the polysilicon layer and the second insulation layer. After forming a pattern of the second silicon layer, a cantilever is formed. Then, a carbon tip is formed at a tip of the probe(300).
Abstract translation: 目的：提供一种制造AFM场效应晶体管悬臂的方法，通过扩大探头的纵横比来提高信息灵敏度。 构成：在SOI衬底的第二硅层的上表面上形成探针（300），其中第一硅层，第一绝缘层和第二硅层依次沉积。 第二绝缘层，第三绝缘层，多晶硅层和光致抗蚀剂层依次沉积在第二硅层上。 然后，在多晶硅层上形成悬臂的第一掩模图案。 通过依次蚀刻多晶硅层和第二绝缘层形成第二掩模图案。 在形成第二硅层的图案之后，形成悬臂。 然后，在探针（300）的前端形成有碳尖端。
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公开(公告)号：KR1020150077674A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130166405
申请日：2013-12-30
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: C09D11/52 , C08K3/08 , C09D11/033 , C09D11/10 , C09D11/38 , H05K3/1283
Abstract: 본발명은메탈메쉬형성용산화구리잉크조성물및 이를이용한메탈메쉬형성방법에관한것으로, 더욱상세하게는공정 take-time을줄이고공정비용을절감할수 있으며광조사를통한소결공정으로기판의손상을최소화할수 있는메탈메쉬형성용산화구리잉크조성물및 이를이용한메탈메쉬형성방법에관한것이다. 본발명의메탈메쉬형성용산화구리잉크조성물은, 산화구리, 구리산화막을갖는구리입자또는구리전구체: 및광 조사에의해산화된구리를환원시키는아스코르브산을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造金属网的纳米氧化铜油墨组合物和使用其的金属网的制造方法，更具体地说，涉及能够缩短加工时间并降低加工成本的组合物 通过烧结过程通过光辐射来最小化衬底的损伤。 根据本发明，用于制造金属网的氧化铜油墨组合物包括：铜颗粒或具有氧化铜和氧化铜膜的铜前体; 和由光辐射氧化的抗坏血酸还原铜。
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公开(公告)号：KR101517813B1
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：KR1020130062377
申请日：2013-05-31
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L41/083
Abstract: 산화아연 나노와이어 압전필름 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일실시예에 따른 산화아연 나노와이어 압전필름 및 그 제조방법은 유연기판; 유연기판 상에 마련되는 하부전극; 하부전극 상에 수직 성장되는 산화아연 나노와이어; 및 산화아연 나노와이어를 캐핑(capping)시키는 캐핑 레이어를 포함하고, 캐핑 레이어는 폴리실라잔, 실세스퀴옥산 및 실란 화합물을 포함하는 코팅액으로 형성된다.
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公开(公告)号：KR101291061B1
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：KR1020100132342
申请日：2010-12-22
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 수직 성장하는 ZnO 나노 구조체를 액상으로 성장시키기 위해, 씨드(seed) 층을 형성할 때 사용하는 전구체 용액에 고분자 입자를 혼합함으로써, 생성되는 나노 구조체의 밀도를 제어하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르는 고분자 나노 입자를 이용한 나노 구조체의 밀도는,
아연 전구체 용액에 고분자 입자를 첨가하여 혼합하는 단계;
상기 고분자 입자가 혼합된 아연 전구체 용액을 기판상에 도포하고, 안정화하는 단계;
상기 기판을 열처리하여 고분자 입자를 제거하여 씨드 층을 형성하는 단계;
상기 씨드 층 상에 나노 와이어 구조체를 성장시키는 단계에 의해 제어되는 것을 구성적 특징으로 한다.
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