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公开(公告)号：KR1020090004254A
公开(公告)日：2009-01-12
申请号：KR1020070068315
申请日：2007-07-06
Abstract: A manufacturing method of a porous substrate for the film type thin film is provided to uniformly form the grain size of the film type thin film by controlling the pore size of substrate to nano scale. A silicon substrate including an electrode layer is prepared for manufacturing the porous substrate for the film type thin film. An aluminum layer for the porous layer formation is formed on the electrode layer. The porous layer is formed by preceding the substrate with the cathode oxidation process. The first porous layer is formed on a part of the aluminum layer with the first cathode oxidation process. The first porous layer is removed. The second porous layer is formed on the rest of the aluminum layer with the second cathode oxidation process.
Abstract translation: 提供薄膜型薄膜用多孔基材的制造方法，通过将基板的孔径控制为纳米尺度，均匀地形成薄膜型薄膜的粒径。 制备包括电极层的硅衬底用于制造用于膜型薄膜的多孔基底。 在电极层上形成用于形成多孔层的铝层。 多孔层通过在阴极氧化工艺之前的衬底之前形成。 第一多孔层通过第一阴极氧化工艺形成在铝层的一部分上。 去除第一多孔层。 第二多孔层通过第二阴极氧化工艺在铝层的其余部分上形成。
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公开(公告)号：KR100463882B1
公开(公告)日：2004-12-31
申请号：KR1020020075821
申请日：2002-12-02
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01J5/20
Abstract: PURPOSE: A millimeter wave detection sensor is provided to increase sensitiveness of the sensor by comparing a reference voltage for a transition temperature of a temperature sensor with a value of a voltage for a measured heater temperature and adjusting a heater temperature to the transition temperature of the temperature sensor. CONSTITUTION: A millimeter wave detection sensor includes a first antenna(31) and a second antenna(32), a heater(41), a temperature sensor(40), an insulating layer, a first electrode port(61) and a second electrode port(62), a third electrode port(81) and a fourth electrode port(82), and a thermocouple temperature sensor(70). The first antenna(31) and the second antenna(32) are formed on an upper of a silicon substrate(100). The heater(41) is formed between the first antenna(31) and the second antenna(32) such that the heater(41) makes contact with the first antenna(31) and the second antenna(32).
Abstract translation: 目的：提供毫米波检测传感器以通过将用于温度传感器的转变温度的参考电压与用于测量的加热器温度的电压值进行比较并且将加热器温度调节到所述传感器的转变温度来增加传感器的灵敏度 温度感应器。 一种毫米波检测传感器，包括第一天线（31）和第二天线（32），加热器（41），温度传感器（40），绝缘层，第一电极端口（61）和第二电极 （62），第三电极端口（81）和第四电极端口（82）以及热电偶温度传感器（70）。 第一天线（31）和第二天线（32）形成在硅衬底（100）的上部。 加热器41形成在第一天线31和第二天线32之间，使得加热器41与第一天线31和第二天线32接触。
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公开(公告)号：KR1020040046545A
公开(公告)日：2004-06-05
申请号：KR1020020074493
申请日：2002-11-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/84
Abstract: PURPOSE: A diaphram manufacturing method for a micro device is provided to improve the stability of a diaphram structure by forming an octagonal diaphram using an etching mask having a cross type pattern. CONSTITUTION: A low stress etch stop layer(110) is formed on a silicon substrate(100). An etching mask layer(120) is formed at the lower portion of the silicon substrate. A cross type pattern(150) is formed at the center portion of the etch mask layer for partially exposing the silicon substrate. A diaphram for a micro device is formed by carrying out anisotropic etching process on the silicon substrate exposed through the cross type pattern. Preferably, the diaphram of the low stress etch stop layer is the shape of an octagonal structure.
Abstract translation: 目的：提供一种微型装置的制造方法，以通过使用具有交叉型图案的蚀刻掩模通过形成八边形二膜来提高双层结构的稳定性。 构成：在硅衬底（100）上形成低应力蚀刻停止层（110）。 在硅衬底的下部形成蚀刻掩模层（120）。 在蚀刻掩模层的中心部分处形成交叉型图案（150），以部分地暴露硅衬底。 通过在通过十字型图案曝光的硅衬底上进行各向异性蚀刻工艺，形成微器件的膜。 优选地，低应力蚀刻停止层的膜是八边形结构的形状。
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公开(公告)号：KR1020040021259A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：KR1020020052856
申请日：2002-09-03
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01R29/08
CPC classification number: G01R21/04 , G01K11/006
Abstract: PURPOSE: A microwave power sensor and a fabricating method thereof are provided to perform easily an impedance matching operation by connecting a heating resistor to an input terminal and forming thermocouples at both sides of the heating resistor. CONSTITUTION: A microwave power sensor includes a semiconductor substrate(100), a membrane(20), the first and the second thermocouples(31,32), an RF input terminal(10), a heating resistor(12), the first and the second ground plates(11a,11b), the third ground plate(13), and the first and the second output terminals(51,52). The semiconductor substrate(100) includes an oxide layer. The membrane(20) is formed on a predetermined region of the semiconductor substrate. The first and the second thermocouples(31,32) are formed on the membrane. The RF input terminal(10) is formed on the oxide layer. The heating resistor(12) is connected to the RF input terminal. The first and the second ground plates(11a,11b) are formed on the oxide layer corresponding to both sides of the RF input terminal. The third ground plate(13) is connected to the RF input terminal and the first and the second ground plates. The first and the second output terminals(51,52) are connected to the first and the second thermocouples.
Abstract translation: 目的：提供微波功率传感器及其制造方法，通过将加热电阻器连接到输入端子并在加热电阻器的两侧形成热电偶来容易地进行阻抗匹配操作。 构成：微波功率传感器包括半导体衬底（100），膜（20），第一和第二热电偶（31,32），RF输入端子（10），加热电阻器（12），第一和 第二接地板（11a，11b），第三接地板（13）以及第一和第二输出端子（51,52）。 半导体衬底（100）包括氧化物层。 膜（20）形成在半导体衬底的预定区域上。 第一和第二热电偶（31,32）形成在膜上。 RF输入端（10）形成在氧化物层上。 加热电阻器（12）连接到RF输入端子。 第一和第二接地板（11a，11b）形成在与RF输入端子的两侧对应的氧化物层上。 第三接地板（13）连接到RF输入端子和第一和第二接地板。 第一和第二输出端子（51,52）连接到第一和第二热电偶。
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公开(公告)号：KR100288072B1
公开(公告)日：2002-02-28
申请号：KR1019980047080
申请日：1998-11-04
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01B11/16
Abstract: 본 발명은 집적 광학 소자로 마이켈슨 광 간섭을 이용한 변위 측정 장치를 구현한 것으로, 이 변위 측정 장치는 제1 광도파로, 광학 박막층, 제2 광도파로를 집적화하여 형성한다.
제1 광도파로는 기판의 일부에 형성되며, 한쪽 끝단에는 광원으로부터 광이 입사되며 다른 쪽 끝단에는 입사된 광을 반사시키기 위한 브래그 회절 격자가 형성되어 있다. 광학 박막층은 광 투과가 가능한 박막층으로서 제1 광도파로 및 기판 위에 형성된다. 제2 광도파로는 광학 박막층 위에 형성되는데, 광 결합 부분으로부터 제1 광도파로에서 제2 광도파로로 일부 전파된 광은 제2 광도파로의 제1 끝단에서 변위 측정 반사체에 조사 후 다시 반사되어 제2 광도파로 제1 끝단을 통해서 재입사된다. 제2 광도파로의 제2 끝단에서는 제1 광도파로의 브래그 회절 격자에 의해 반사된 광과 상기 변위 측정 반사체에 의해 반사되어 재입사된 광의 위상 차에 의해 간섭광이 형성된다. 이 간섭광은 변위 측정 반사체의 변위가 변화하면, 변위 변화에 따른 간섭광의 세기 변화가 나타나는데, 이 간섭광의 세기 변화를 광센서로 측정함으로써 대상물의 변위를 측정할 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990049177A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970068059
申请日：1997-12-12
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 리가(LIGA) 공정에 관한 것으로서, 우선, 패턴이 형성되어 있는 박막으로 이루어진 X-선용 마스크를 기판에 부착되어 있지 않고 양면이 노출되어 있는 감광막에 정렬시킨 다음, X-선을 조사하고 현상하여 감광막 패턴을 형성한다. 이때, 현상액에 의한 식각은 감광막의 윗면과 아래면을 통하여 이루어지므로 경사 식각이 가지는 폭이 줄어들어 기판에 부착되어 있는 채로 노광할 때보다 오차가 줄어든다. 또한, 감광막이 기판에 부착되어 있지 않으므로 X-ray의 광자에 의한 산란 또는 2차 전자 효과는 발생하지 않으므로, 현상 후에 감광막 패턴의 오차가 줄어든다.
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公开(公告)号：KR100204089B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960033264
申请日：1996-08-09
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G07D7/00
Abstract: 본 발명은 지폐 식별장치용 이미지센서의 구동방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 지폐 식별장치에서 지폐의 이미지 데이터를 추출하는 이미지센서에 인가되어 상기 이미지센서를 구동시키는 구동펄스의 주파수 및 듀티(duty)비를 가변하여 지폐의 인식율 및 지폐 인식속도를 향상시킬 수 있도록 한 지폐 식별장치용 이미지센서의 구동방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은, 지폐를 식별하는 지폐 식별장치에 적용되는 이미지센서의 구동방법에 있어서, (a) 상기 식별장치에서 식별하고자 하는 지폐를 복수의 영역으로 분할하는 단계와,(b) 상기 복수의 영역으로 분할된 지폐의 해당 이미지 각각을 최적으로 추출하기에 적합한 주파수 및 듀티비를 결정하고 이들을 조합하는 단계와, (c) 상기 주파수 및 듀티비가 조합된 소정의 구동펄스를 상기 이미지센서에 인가하여 상기 복수의 영역으로 분할된 지폐의 해당 이미지를 추출하도록 상기 이미지센서를 구동시키는 구동단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이로써, 본 발명은, 지폐의 인식율 및 지폐 인식속도를 향상시킬 수 있는 이점을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1019990027842A
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019970050372
申请日：1997-09-30
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명의 적외선 센서 어레이는 복수개의 홀을 갖고, 상기 홀마다 대응하여 도전성 페이스트가 채워진 마이크로 홀을 갖는 상부 그린 쉬트와, 상기 상부 그린 쉬트의 하부에 상기 홀에 대응하여 표면에 상부 전극이 형성되어 있고, 배면에는 하부 전극이 형성되어 있고, 상기 상부 전극은 상기 마이크로 홀에 연결되는 중간 그린 쉬트와, 상기 중간 그린 쉬트의 하부에 상기 중간 그린 쉬트에 대향하여 형성되고, 상기 하부 전극에 대향한 복수개의 홀을 갖고, 상기 홀마다 상기 하부 전극과 연결되고 도전성 페이스트가 채워진 마이크로 홀을 갖는 하부 그린 쉬트와, 상기 상부 그린 쉬트의 상부에 형성되는 필터를 포함한다. 본 발명의 적외선 센서 어레이는 테이프 캐스팅 방법을 이용하여 배선층이 포함된 세라믹 소자 및 필터를 직접 적층하는 일체형이기 때문에 세라믹 소자의 불필요한 배선에 의해 발생되는 기생 임피던스 성분을 최소화할 수 있고 PCB기판에 실장이 용이하다.
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公开(公告)号：KR1019990018078A
公开(公告)日：1999-03-15
申请号：KR1019970041171
申请日：1997-08-26
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H02J13/00
Abstract: 수신된 전자기파를 이용하여 타 소자에 DC 전력을 공급하는 원격 전력공급 장치가 개시된다. 본 발명의 원격 전력공급 장치는, 상기 전자기파를 수신받아 전기적인 에너지로 변환함으로써 시스템 내부의 전원공급이나 보조전원 또는 전원의 충전기능을 수행하는 원격 전력공급 장치에 있어서, 전자기파를 수신하기 위한 마이크로스트립 안테나와, 수신된 상기 전자기파로부터 발생된 전압을 정류하기 위하여 상기 마이크로스트립 안테나에 일체형으로 형성시킨 다이오드 및 정류된 상기 전압의 고주파 성분을 제거하기 위한 저역통과필터를 포함하여, 동작주파수를 높임으로써 안테나의 크기를 축소가 가능하고, 일체형 다이오드를 적용하여 장치의 소형화가 용이하고, 반도체 제조공정에 의하여 일체형으로 제조가 가능함으로써 소형화 및 대량생산이 용이하다.
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公开(公告)号：KR1019980060662A
公开(公告)日：1998-10-07
申请号：KR1019960080025
申请日：1996-12-31
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01P5/107
Abstract: 본 발명은 에너지 변환 장치에 관한 것으로, 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 하부에 형성된 제1 도전막과, 상기 반도체 기판 위에 형성된 절연막과, 상기 절연막 위에 형성된 제2 도전막과, 상기 제2 도전막과 상기 반도체 기판 사이에 형성되어 상기 제2 도전막에 수신된 전파를 정류하는 다이오드를 구비함으로써 가공이 쉽고 소형화가 가능하다.
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