公开(公告)号：KR100811122B1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：KR1020060003411

申请日：2006-01-12

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 강동헌 ,  이인경 ,  임건자 ,  김원래

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 반도체 제조 공정 중 CMP 공정에 사용되는 슬러리에 관한 것으로서, 두 종의 유기산을 혼합하여 사용함으로써, 기존의 슬러리에 비교하여 금속 불순물의 오염을 방지하면서 연마 속도를 얻을 수 있고, 과산화수소의 분해를 방지하는 디에틸렌글리콜을 첨가함으로써 슬러리의 산화력을 보존할 수 있도록 하여 연마재현성 및 슬러리의 저장안정성을 개선한 슬러리 조성물을 제공할 수 있다.
유기산, 디에틸렌글리콜, 연마재현성, 저장안정성

Abstract translation: 本发明涉及用于半导体制造工艺中的CMP工艺中的浆料，通过混合两种有机酸，可以获得抛光速度，同时与传统浆料相比，防止金属杂质的污染，并且过氧化氢 通过添加二甘醇以通过保持浆料的氧化能力来提高浆料的抛光再现性和储存稳定性。

公开(公告)号：KR100565424B1

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：KR1020030055759

申请日：2003-08-12

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김원래 ,  이재석 ,  강동헌 ,  라정인 ,  이인경 ,  이길성

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 반도체 제조공정에서 웨이퍼 표면의 평탄화를 목적으로 하는 CMP(Chemical mechanical polishing/planarization)공정에 사용되는 슬러리의 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속 산화물 미분말, 과산화수소, 무기산, 카르복시산, PDTA-금속 착물 및 pH조절제로 테트라메틸암모늄하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide, TMAH)을 시용하여 슬러리의 분산 안정성을 향상시킨 금속배선 연마용 슬러리 조성물에 관한 것이다.

반도체 웨이퍼, CMP, 금속배선, 프로필렌디아민테트라아세테이트, 카르복시산, 테트라메틸암모늄하이드록사이드

公开(公告)号：KR100552380B1

公开(公告)日：2006-02-20

申请号：KR1020030005010

申请日：2003-01-25

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김원래 ,  이재석 ,  강동헌 ,  이인경 ,  이길성

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 과산화물, 무기산, 금속원자와 산소원자 간의 결합에너지가 OW의 결합에너지보다 작은 프로필렌다이아민테트라아세테이트(PDTA)-금속 착물, 탄소-탄소 이중결합을 포함하지 않는 카르복시산, 금속산화물 미분말 및 탈이온수를 포함하는 금속배선용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 기존의 연마용 슬러리에 비해 연마속도 및 연마재현성이 우수하고 심 현상과 같은 연마결함을 덜 유발하므로 균일하고 우수한 연마품질을 보장해 준다.
반도체, CMP, 금속배선, 프로필렌다이아민테트라아세테이트, 카르복시산, 심 현상

公开(公告)号：KR100546788B1

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：KR1020030066879

申请日：2003-09-26

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  김원래 ,  강동헌 ,  라정인 ,  이인경 ,  이길성

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 고선택비를 나타내는 금속 배선 연마용 슬러리 조성물(Slurry Composition for Polishing Metal having High-selectivity)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속 산화물 미분말, 과산화물, 무기산, 카르복시산, 금속 착물, 및 메틸트리클로로실란과 트리클로로니트로메탄 중에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함하는 금속배선 연마용 CMP슬러리 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 의해 금속배선연마시 절연층과의 선택비를 높인 연마용 슬러리를 조성물을 제공할 수 있다.
반도체 웨이퍼, CMP, 금속배선, 프로필렌디아민테트라아세테이트 착물, 카르복시산, 메틸트리클로로실란, 트리클로로니트로메탄

公开(公告)号：KR100524025B1

公开(公告)日：2005-10-27

申请号：KR1020030101136

申请日：2003-12-31

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 강동헌 ,  이재석 ,  김원래 ,  라정인 ,  이인경 ,  이길성

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 바이오사이드를 포함하는 금속배선 연마용 CMP 슬러리에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속산화물 미분말, 2,2-디브로모-3-니트릴로프로피온아마이드 (2,2-dibromo-3-nitrilopropionamide), 과산화 화합물, 무기산, 유기산 및 탈이온수를 포함하는 금속배선 연마용 CMP 슬러리에 관한 것으로 본 발명에 의하면 금속배선의 CMP 공정시 연마 속도, 연마 선택비, 저장안정성에 영향을 주지 않으면서도 미생물의 오염을 방지할 수 있는 효과를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050049138A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：KR1020030083024

申请日：2003-11-21

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 라정인 ,  이재석 ,  김원래 ,  강동헌 ,  이인경 ,  이길성

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/00 ,  H01L21/3212

Abstract: 본 발명은 연마 재현성 및 저장안정성이 우수하면서도 연마결함을 야기시키지 않고 높은 연마속도를 제공할 수 있는 금속 CMP (Chemical Mechanical Polishing) 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 산화제로서 과산화 화합물 및 무기산, 1 이상의 카르복시기를 가지는 유기산 화합물, 리간드 화합물로서 트리메틸실릴트리플루오로메탄 술포네이트, 연마제로서 금속산화물, 필요에 따라 글리콜 화합물, 및 탈이온수를 포함한 금속 CMP용 슬러리 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 조성물은 화학적 연마능이 뛰어날 뿐만 아니라, CMP 공정에 적용시 발생하는 옥사이드 에로젼, 부식, 피트, 디싱, 스크래치 등의 연마결함을 현저히 감소시킬 수 있고, 슬러리의 저장안정성 및 연마재현성이 현저히 향상된다.

公开(公告)号：KR100460312B1

公开(公告)日：2004-12-04

申请号：KR1020010077859

申请日：2001-12-10

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  김원래 ,  도원중 ,  노현수 ,  이길성

IPC: C09K3/14

Abstract: PURPOSE: A slurry composition for polishing the metal wire is provided, which is improved in polishing velocity, polishing uniformity and long-termed storage due to dispersion stability. CONSTITUTION: The slurry composition comprises 1-30 wt% of fine-powdered metal oxide; 0.01-0.5 wt% of an iodine-based compound; 0.25-2 wt% of hydrogen peroxide; 0.01-0.05 wt% of a phosphorus-based compound; 0.03-0.05 wt% of acetic acid; and the balance of deionized water. Preferably the metal oxide is silica (SiO2) and/or alumina (Al2O3); the iodine-based compound is at least one selected from the group consisting o-iodobenzoic acid, 4-iodobenzoic acid, o-iodoaniline, m-iodoaniline and p-iodoanisole; and the phosphorus-based compound is trimethyl phosphorous acid and/or triethyl phosphorous acid.

Abstract translation: 目的：提供一种用于抛光金属丝的浆料组合物，其由于分散稳定性而提高了抛光速度，抛光均匀性和长期存储。 构成：浆料组合物包含1-30重量％的细粉金属氧化物; 0.01〜0.5重量％的碘系化合物; 0.25-2重量％的过氧化氢; 0.01〜0.05重量％的磷系化合物; 0.03-0.05重量％的乙酸; 和去离子水的平衡。 优选金属氧化物是二氧化硅（SiO 2）和/或氧化铝（Al 2 O 3）; 所述碘基化合物为选自邻碘苯甲酸，4-碘苯甲酸，邻碘苯胺，间碘苯胺和对碘苯甲醚中的至少一种; 并且磷基化合物是三甲基亚磷酸和/或三乙基亚磷酸。

公开(公告)号：KR100457417B1

公开(公告)日：2004-11-18

申请号：KR1020010087451

申请日：2001-12-28

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김원래 ,  이재석 ,  도원중 ,  노현수 ,  이길성

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 반도체 디바이스(device) 제조시 웨이퍼의 평탄화를 목적으로 하는 CMP(Chemical Mechanical Polishing/Planarization) 공정에 사용되는 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속산화물 미분말, 요오드가 방향족 고리에 치환된 구조의 화합물, 비닐계 고분자 화합물, 과산화수소, 인계 화합물, 질산 및 탈이온수를 포함하는 금속배선 연마용 슬러리조성물에 관한 것이며, 본 발명의 연마용 슬러리 조성물을 사용하면 높은 연마속도와 우수한 연마균일도를 달성할 수 있으며, 연마시 발생하는 이로젼, 디싱의 문제점을 보완할 수 있고, 분산안정성이 높아 장기 보관이 용이하다.

公开(公告)号：KR1020040068385A

公开(公告)日：2004-07-31

申请号：KR1020030005010

申请日：2003-01-25

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김원래 ,  이재석 ,  강동헌 ,  이인경 ,  이길성

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: PURPOSE: Provided is a CMP(chemical mechanical polishing/planarization) slurry composition for metal lines, which has a high polishing rate even after a long storage time and thus shows excellent polishing reproducibility. CONSTITUTION: The CMP slurry composition for metal lines comprises a peroxide, an inorganic acid, a propylenediaminetetraacetate(PDTA)-metal complex in which the bonding energy between a metal atom and an oxygen atom is lower than that between O and W, a carboxylic acid having no double bond between carbon atoms, metal oxide micropowder and deionized water. More particularly, the CMP slurry composition comprises: 0.1-10 wt% of the peroxide; 0.001-0.1 wt% of the inorganic acid; 0.001-0.5 wt% of the PDTA-metal complex; 0.01-10 wt% of the carboxylic acid; and 0.1-25 wt% of the metal oxide micropowder, in deionized water.

Abstract translation: 目的：提供一种用于金属线的CMP（化学机械抛光/平坦化）浆料组合物，即使在长的保存时间后也具有高抛光速率，因此显示出优异的抛光再现性。 构成：金属线的CMP浆料组合物包括其中金属原子和氧原子之间的键合能低于O和W之间的键合能的过氧化物，无机酸，丙二胺四乙酸（PDTA） - 金属络合物，羧酸 在碳原子，金属氧化物微粉和去离子水之间没有双键。 更具体地，CMP浆料组合物包含：0.1-10重量％的过氧化物; 0.001-0.1重量％的无机酸; 0.001-0.5重量％的PDTA-金属络合物; 0.01-10重量％的羧酸; 和0.1-25重量％的金属氧化物微粉，在去离子水中。

公开(公告)号：KR1020040059585A

公开(公告)日：2004-07-06

申请号：KR1020020085259

申请日：2002-12-27

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  김원래 ,  강동헌 ,  이길성

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: PURPOSE: A slurry composition for polishing of metal is provided to prevent the edge of wafer from being over-polished to ensure an evenly polished surface and thereby increasing the yield of a cell positioned on the edge of wafer. CONSTITUTION: The slurry composition for polishing of metal comprises (a) a fine-powdered metal oxide; (b) an oxidizing agent; (c) a chelate complex; (d) a glycol; (e) a pH control agent including a quaternary ammonium base and acid; and (f) ultra pure water. The quaternary ammonium base is one selected from the group consisting of tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide and tetrapropylammonium hydroxide. The pH of slurry composition is appropriately controlled by adjusting the amount of the quaternary ammonium base and the acid, depending on the metal to be polished.

Abstract translation: 目的：提供用于抛光金属的浆料组合物以防止晶片的边缘被过度抛光，以确保均匀抛光的表面，从而提高位于晶片边缘上的电池的产量。 构成：用于抛光金属的浆料组合物包括（a）细粉末金属氧化物; （b）氧化剂; （c）螯合络合物; （d）二醇; （e）包含季铵碱和酸的pH控制剂; 和（f）超纯水。 季铵碱是选自四甲基氢氧化铵，四乙基氢氧化铵和四丙基氢氧化铵的一种。 通过调整季铵碱和酸的量来适当地控制浆料组合物的pH，这取决于待抛光的金属。