公开(公告)号：KR100901759B1

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：KR1020070092830

申请日：2007-09-12

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 윤희찬 ,  김상균 ,  임상학 ,  김미영 ,  고상란 ,  어동선 ,  김종섭 ,  김도현

IPC: G03F7/11

CPC classification number: G03F7/0752 ,  C08G77/50 ,  C08L83/06 ,  C09D183/04 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144

Abstract: A hardmask composition for an under-photoresist layer is provided to ensure excellent reproducibility of pattern and storage stability, good adhesion with a resist, and excellent solvent resistance for a developer used after exposing the resist, and to reduce film reduction in plasma etching. A hardmask composition for an under-photoresist layer comprises an organic silane-based polymer generated from a compound represented by the chemical formula 1; at least one selected from the group consisting of pyridinium p-toluenesulfonate, amidosulfobetain-16, [-]-camphor-10-sulfonic acid ammonium salt, ammonium formate, triethylammonium formate, trimethyammonium formate, tetramethylammonium formate, pyridinium formate, tetrabutylammonium acetate, tetrabutylammonium azide, tetrabutylammonium benzoate, tetrabutylammonium bisulfate, tetrabutylammonium bromide, tetrabutylammonium chloride, tetrabutylammonium cyanide, tetrabutylammonium fluoride, tetrabutylammonium iodide, tetrabutylammonium sulfate, tetrabutylammonium nitrate, tetrabutylammonium nitrite, tetrabutylammonium p-toluenesulfonate and tetrabutylammonium phosphate; and solvent. In chemical formula 1, Rw, Rx, Ry and Rz are independently H or C1-5 alkyl; and n is an integer of 4-20.

Abstract translation: 提供了用于底光致抗蚀剂层的硬掩模组合物，以确保图案和储存稳定性的优异再现性，与抗蚀剂的良好粘附性，以及在曝光抗蚀剂之后使用的显影剂具有优异的耐溶剂性，并且减少等离子体蚀刻中的膜减少。 用于底光致抗蚀剂层的硬掩模组合物包含由化学式1表示的化合物产生的有机硅烷基聚合物; 选自对甲苯磺酸吡啶鎓，酰胺磺基甜菜碱-16，[ - ] - 樟脑-10-磺酸铵盐，甲酸铵，甲酸三乙铵，甲酸三甲基铵，甲酸四甲铵，甲酸吡啶鎓，四丁基铵乙酸盐，四丁基铵 叠氮化物，四丁基铵苯甲酸盐，四丁基铵硫酸氢盐，四丁基溴化铵，四丁基氯化铵，四丁基铵氰化物，四丁基氟化铵，四丁基碘化铵，四丁基铵硫酸盐，四丁基铵硝酸盐，四丁基铵亚硝酸盐，四丁基铵对甲苯磺酸盐和四丁基铵磷酸盐; 和溶剂。 在化学式1中，Rw，Rx，Ry和Rz独立地为H或C 1-5烷基; n为4-20的整数。

公开(公告)号：KR1020070122250A

公开(公告)日：2007-12-31

申请号：KR1020060057559

申请日：2006-06-26

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김상균 ,  김종섭 ,  어동선 ,  오창일 ,  임상학 ,  윤희찬

IPC: G03F7/075

Abstract: A hardmask composition for an underlying layer of photoresist is provided to be superior in film characteristics, storage stability, and hardmask characteristics, and to transfer a good pattern to a material layer. A hardmask composition for an underlying layer of photoresist comprises: an organosilane-based polymer produced from compounds represented by the formula 1 of [RO]3Si-[CH2]nPh, the formula 2 of [RO]3Si-H, and the formula 3 of [RO]3Si-CH3 in the presence of an acid catalyst; an organic base or a derivative thereof; and a solvent. In the formula 1, Ph is phenyl, n is 0-2, and R is methyl or ethyl. In the formula 2, R is methyl or ethyl. In the formula 3, R is methyl or ethyl.

Abstract translation: 提供了用于光致抗蚀剂的下层的硬掩模组合物，以在膜特性，储存稳定性和硬掩模特性方面优越，并将良好的图案转印到材料层。 用于光致抗蚀剂底层的硬掩模组合物包括：由[RO] 3 Si 3 - [CH 2] n Ph的式1表示的化合物，[RO] 3 Si-H的式2和式3的化合物产生的有机硅烷基聚合物 的[RO] 3Si-CH 3在酸催化剂存在下反应; 有机碱或其衍生物; 和溶剂。 在式1中，Ph为苯基，n为0-2，R为甲基或乙基。 在式2中，R是甲基或乙基。 在式3中，R是甲基或乙基。

公开(公告)号：KR100734225B1

公开(公告)日：2007-07-02

申请号：KR1020050120796

申请日：2005-12-09

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 곽동학 ,  이영기 ,  윤희찬 ,  김종섭

IPC: H01M4/58 ,  H01M4/02 ,  H01M4/04

Abstract: 본 발명은 리튬 이차전지용 고용량 고안전성 양극활물질, 그 제조방법 및 이를 포함하는 리튬 이차전지에 관한 것으로, Li
a Ni
1
-(v+w+x+y+z) Mn
v Co
w M
x M'
y M"
z O
2 로 나타내어지는 (상기식에서 M, M', M"은 각각 서로 독립적으로 Al, Mg, Sr, Ca, P, Pb, Y 및 Zr로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나 이상이며, 이 때 0.9 ≤a≤ 1.1, 0.295 ≤1-(v+w+x+y+z)≤0.85, 0.05≤v≤0.35, 0.10≤w≤0.35, 0.015≤x+y+z≤0.03 이다.)리튬-니켈 코발트 망간 복합금속 산화물로서 비수계 전해질의 리튬 이차 전지용 양극활물질에 관한 것이다.
본 발명의 양극활물질은 니켈, 코발트, 망간의 함량과 기타 첨가물의 함량을 적당히 조절하고 불순물인 황, 염소, 나트륨을 기존보다 현저하게 감소시켜서 제조한 양극활물질로서, 코발트계 화합물을 대체할 만한 열적 안정성 및 에너지 밀도가 뛰어나고, 저가인 실제 전지에 사용 가능한 물성을 갖는 양극 활물질을 제조할 수 있다. 또한 착제와 침전제를 이용한 공침법으로 출발 물질을 합성하기 때문에 후처리가 필요없고, 필요에 따라 물성 조절이 용이한 양극활물질을 제조할 수 있다.
본 발명에 따른 양극활물질은 비수계 전해질의 리튬 이차 전지에 적용할 경우, 초기용량 및 0.1C 방전용량과 1.0C 방전용량의 비로 정의된 고율특성이 높으며, 열적 안정성이 높으므로 그 결과 전해액과의 반응성을 억제하는 것이 가능하다. 불순물인 황, 염소, 나트륨을 미제어시 공침법으로 제조된 출발물질은 흡습이 잘 되어 Li화합물과 혼합 전에 필요한 공정인 분급이 잘 안될 뿐만 아니라 소성시 Li과 금속의 비조절이 힘들다. 그러나 불순물인 황, 염소, 나트륨을 제어한 양극활물질을 적용한 전지의 경우에는, 사이클 특성이 향상되고 전지를 고온에 방치 했을 때 전지의 부풀림이 현저하게 감소한다.
비수계 전해질, 고용량, 고안정성, 양극 활물질, 리튬 니켈코발트망간 복합금속 산화물

公开(公告)号：KR100697979B1

公开(公告)日：2007-03-23

申请号：KR1020050089089

申请日：2005-09-26

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 어동선 ,  오창일 ,  이진국 ,  윤희찬 ,  남이리나 ,  김도현 ,  김종섭

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/0757

Abstract: An anti-reflective hard mask composition with minimum acid residual content is provided to have anti-reflection property satisfactory for lithographic process, and exhibit excellent optical and mechanical properties, and etching selectivity by comprising aromatic ring containing polymer with specific chemical formula with strong absorption at short wavelength area. The hard mask composition includes (a) an aromatic ring containing polymer which comprises at least one selected from groups represented by a formula(1), wherein n ranges from 1 to less than 190; R1 and R2 are independently hydrogen, hydroxy group, C1-C10 alkyl group, C6-C10 aryl group, allyl group or halogen atom; R3 and R4 are independently hydrogen or reactive site or chromophore site reacting with cross-linking ingredient; R5 is hydrogen, C1-C10 alkyl group, C6-C10 aryl group or allyl group; R6 and R7 are independently hydrogen or alkoxy substituted silane structure represented by a formula(2), wherein n ranges from 1to less than 100, R8 is methyl, ethyl, C3-C10 alkyl or C6-C10 aryl group, and (b) cross-linking ingredient, (c) acid catalyst, and (d) organic solvent.

Abstract translation: 提供具有最小酸残留量的抗反射硬掩模组​​合物以具有对于平版印刷工艺满意的抗反射性能，并且通过包含具有特定化学式的具有强吸收性的芳香环聚合物表现出优异的光学和机械性能以及蚀刻选择性 短波长区域。 硬掩模组合物包括（a）含芳环的聚合物，其包含选自式（1）表示的基团中的至少一种，其中n的范围为1至小于190; R1和R2独立地是氢，羟基，C1-C10烷基，C6-C10芳基，烯丙基或卤素原子; R3和R4独立地是氢或与交联成分反应的反应位点或发色团位点; R5是氢，C1-C10烷基，C6-C10芳基或烯丙基; R6和R7独立地是氢或由式（2）表示的烷氧基取代的硅烷结构，其中n在1至小于100的范围内，R 8是甲基，乙基，C 3 -C 10烷基或C 6 -C 10芳基，和（b） 连接成分，（c）酸催化剂和（d）有机溶剂。

公开(公告)号：KR100660759B1

公开(公告)日：2006-12-22

申请号：KR1020050020601

申请日：2005-03-11

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이영기 ,  곽동학 ,  윤희찬 ,  김종섭

IPC: H01M4/58

CPC classification number: H01M4/525 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/0497 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/364 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/56 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/021

Abstract: 본 발명은 비수계 전해질 리튬 이차전지용 양극활물질, 그 제조방법 및 이를 포함하는 리튬 이차전지에 관한 것으로, 보다 상세히, Li
a Ni
1-(v+w+x+y+z) Mn
v Co
w M
x M'
y M"
z O
2 (상기식에서 M, M', M"은 Al, Mg, Sr, Ca, P, Pb, Y 및 Zr로 이루어진 군으로부터 선택되며, 0.9 ≤a≤1.05, 0.685 ≤1-(v+w+x+y+z)≤0.745, 0.05 ≤v ≤0.06, 0.20≤w≤0.24, 0.005≤x+y+z ≤0.015 이다.)로 나타내어지는 비수계 전해질의 리튬 이차 전지용 양극활물질에 관한 것이다.
본 발명의 양극활물질은 니켈, 코발트, 망간의 함량과 기타 첨가물의 함량을 적당히 조절하여 제조된 양극활물질로서, 코발트계 화합물을 대체할 만한 열적 안정성 및 에너지 밀도가 뛰어나고, 저가인 실제 전지에 사용 가능한 물성을 갖는 양극 활물질을 제조할 수 있다. 또한 착제를 이용한 공침법으로 출발 물질을 합성하기 때문에 후처리가 필요없고, 필요에 따라 물성 조절이 용이한 양극활물질을 제조할 수 있다. 본 발명에 따른 양극활물질은 비수계 전해질의 리튬 이차 전지에 적용할 경우, 초기용량 및 고율이 높으며, 열적 안정성이 높으므로 그 결과 전해액과의 반응성을 억제하는 것이 가능하다. 또한, 전지를 고온에 방치 했을 때 전지의 부풀림이 현저하게 감소한다.
비수계 전해질, 고용량, 고안정성, 양극 활물질, 리튬 니켈코발트망간 복합 금속 산화물

公开(公告)号：KR100595362B1

公开(公告)日：2006-06-30

申请号：KR1020040056875

申请日：2004-07-21

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이영기 ,  곽동학 ,  윤희찬 ,  양호석 ,  김종섭

IPC: H01M4/58

Abstract: 본 발명은 비수계 전해질 2차 전지용 양극 활물질에 관한 것으로, 보다 상세히, Li
2 Ni
x M
a O
2 (단, M은 Al, Si, P 및 Ga로 이루어진 군으로부터 선택된 원소이며, x＋a = 1이고, 0