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    봉지재 및 상기 봉지재를 포함하는 전자 소자
    3.
    发明公开
    봉지재 및 상기 봉지재를 포함하는 전자 소자 无效
    封装材料和包括其的电子器件

    公开(公告)号：KR1020120078300A

    公开(公告)日：2012-07-10

    申请号：KR1020100140561

    申请日：2010-12-31

    Applicant: 제일모직주식회사

    Inventor： 고상란 ,  김용국 ,  김우한 ,  김하늘 ,  안치원 ,  차승환

    IPC: C08L83/04 ,  C08K5/54 ,  C08G77/04 ,  H01L23/10

    CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  C08L83/04 ,  C08G77/04 ,  C08K5/54 ,  H01L23/296 ,  H01L33/56 ,  H01L51/5246

    Abstract: PURPOSE: An encapsulant is provided to lower viscosity of resin, to improve processability, and to uniformly distribute phosphors, thereby improving color uniformity and luminous efficiency. CONSTITUTION: An encapsulant comprises a first polysiloxane in chemical formula 1, a monomer in chemical formula 2a, a second polysiloxane in chemical formula 3. In chemical formula 1, the ratio of D1 to T1 is 1:1-1:10. The encapsulant has viscosity of 500-4000 cPs. The encapsulant additionally comprises a hydrosilylation catalyst and/or a phosphor. An electronic device comprises an encapsulant layer obtained by curing the encapsulant, and a luminescent part displaying color in a region of wavelength shorter than the phosphor.

    Abstract translation: 目的：提供密封剂以降低树脂的粘度，改善加工性能，并均匀分布磷光体，从而提高颜色均匀性和发光效率。 构成：封装剂包括化学式1中的第一聚硅氧烷，化学式2a中的单体，化学式3中的第二聚硅氧烷。在化学式1中，D1与T1的比例为1:1-1:10。 密封剂的粘度为500-4000cPs。 密封剂另外包括氢化硅烷化催化剂和/或磷光体。 电子设备包括通过固化密封剂而获得的密封剂层和在比荧光体短的波长区域显示颜色的发光部分。

    반도체 캐패시터용 충전제 및 상기 충전제를 사용한 반도체 캐패시터의 제조 방법
    4.
    发明授权
    반도체 캐패시터용 충전제 및 상기 충전제를 사용한 반도체 캐패시터의 제조 방법 有权
    用于半导体电容器的填料和使用该半导体电容器制造半导体电容器的方法

    公开(公告)号：KR101107004B1

    公开(公告)日：2012-01-25

    申请号：KR1020090100776

    申请日：2009-10-22

    Applicant: 제일모직주식회사

    Inventor： 우창수 ,  김상균 ,  조현모 ,  고상란 ,  김미영 ,  윤희찬 ,  이우진 ,  김종섭

    IPC: H01L21/108 ,  H01L21/8242

    Abstract: 말단에 3차 알킬옥시카르보닐기(tertiary alkyloxycarbonyl)를 가지는 실리콘계 중합체를 포함하는 반도체 캐패시터용 충전제를 제공한다. 또한 반도체 기판 위에 갭(gap)을 가지는 몰드를 형성하는 단계, 상기 반도체 기판 및 상기 몰드 위에 도전층을 형성하는 단계, 상기 갭 및 상기 도전층 위에 충전제를 도포하여 충전층을 형성하는 단계, 상기 충전층을 열처리하는 단계, 상기 충전층의 일부를 현상하여 상기 갭에 채워진 충전 패턴을 형성하는 단계, 상기 도전층의 일부를 제거하여 복수의 제1 전극으로 분리하는 단계, 상기 몰드 및 상기 충전 패턴을 제거하는 단계, 상기 제1 전극 위에 유전체층을 형성하는 단계, 그리고 상기 유전체층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 캐패시터의 제조 방법을 제공한다. 여기서, 상기 충전제는 말단에 화학식 1로 표현되는 3차 알킬옥시카르보닐기(tertiary alkyloxycarbonyl)를 가지는 실리콘계 중합체를 포함한다.
    반도체 캐패시터, 충전제, 현상성, 충전성, 보관 안정성

    레지스트 하층막용 조성물, 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 및 그로부터 제조된 반도체 집적회로 디바이스
    5.
    发明公开
    레지스트 하층막용 조성물, 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 및 그로부터 제조된 반도체 집적회로 디바이스 无效
    耐冲击组合物，使用其制造集成电路装置的方法和由该方法生产的半导体装置

    公开(公告)号：KR1020110075688A

    公开(公告)日：2011-07-06

    申请号：KR1020090132209

    申请日：2009-12-28

    Applicant: 제일모직주식회사

    Inventor： 고상란 ,  김상균 ,  조현모 ,  우창수 ,  김미영 ,  윤희찬 ,  이우진 ,  김종섭

    IPC: G03F7/11

    CPC classification number: G03F7/0752 ,  C07C33/26 ,  C08G77/50 ,  C08L83/06 ,  G03F7/091 ,  G03F7/092 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0332

    Abstract: PURPOSE: A composition for a resist sub-layer, a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device using the same, and the semiconductor integrated circuit device manufactured by the same are provided to control the refractive index and the absorbance in a wavelength range which is lower than or equal to 250nm. CONSTITUTION: A composition for a resist sub-layer includes organic silane-based polycondensate and a solvent. The organic silane-based polycondensate is generated from a group represented by chemical formulas 1 or 2 under acidic catalyst and alkaline catalyst. In the chemical formulas, the R1 is halogen, hydroxyl group, alkoxy group, carboxylic group, ester group, cyano group, haloalkyl sulfite group, alkylamine group, alkylsilyl amine group, or alkylsilyloxy group. The Ar1 is substituted or non-substituted C6 to C12 arylene group. The Ar2 and the Ar3 are identical or different and substituted or non-substituted C6 to C12 aryl group. The m and the n are identical or different and are respectively 0 or the integer of 1 to 5.

    Abstract translation: 目的：提供一种抗蚀剂子层用组合物，使用该组合物的半导体集成电路器件的制造方法以及由其制造的半导体集成电路器件，以控制折射率和波长范围内的吸光度， 低于或等于250nm。 构成：抗蚀剂亚层的组合物包括有机硅烷基缩聚物和溶剂。 有机硅烷类缩聚物由酸式催化剂和碱性催化剂由化学式1或2表示的基团生成。 在化学式中，R1为卤素，羟基，烷氧基，羧基，酯基，氰基，卤代烷基亚硫酸酯基，烷基胺基，烷基甲硅烷基胺基或烷基甲硅烷氧基。 Ar 1是取代或未取代的C6至C12亚芳基。 Ar2和Ar3是相同或不同的取代或未取代的C6至C12芳基。 m和n相同或不同，分别为0或1〜5的整数。

    보관안정성이 우수한 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물
    6.
    发明公开
    보관안정성이 우수한 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 有权
    具有改进的储存稳定性的光电复合材料制成的HARDMASK组合物

    公开(公告)号：KR1020100070035A

    公开(公告)日：2010-06-25

    申请号：KR1020080128625

    申请日：2008-12-17

    Applicant: 제일모직주식회사

    Inventor： 고상란 ,  김상균 ,  임상학 ,  김미영 ,  윤희찬 ,  김도현 ,  어동선 ,  김종섭

    IPC: G03F7/075

    CPC classification number: G03F7/0752 ,  C08G77/18 ,  C08L83/04 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332

    Abstract: PURPOSE: A hard mask composition for a resist underlayer film is provided to obtain excellent storage stability, to transfer a superior pattern on a material layer due to excellent hard mask properties, and to have excellent etch resistance to plasma. CONSTITUTION: A hard mask composition comprises an organic silane-based polymer and a stabilizer. The stabilizer is selected from a group which is composed of acetic anhydride, methyl acetoactate, propionic anhydride, ethyl-2-methyl acetoacetate, butyric anhydride, ethyl-2-ethyl acetoacetate, valeric anhydride, 2-methylbutyric anhydride, nonanol, decanol, undecanol, dodecanol, propylene glycol propyl ether, propylene glycol ethyl ether, propylene glycol methyl ether propylene glycol, phenyltrimethoxysilane, diphenylhexamethoxydisiloxane, diphenylhexaethoxydisiloxane, dioctyltetramethyldisiloxane, hexamethyltrisiloxane, tetramethyldisiloxane, diphenylhexaethoxydisiloxane, dioctyltetramethyldisiloxane, hexamethyltrisiloxane, tetramethyldisiloxane, decamethyltetrasiloxane, dodecamethylpentasiloxane, and hexamethyldisiloxane.

    Abstract translation: 目的：提供用于抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物以获得优异的储存稳定性，由于优异的硬掩模性能而在材料层上转印优异的图案，并且具有优异的耐等离子体耐蚀刻性。 构成：硬掩模组合物包含有机硅烷基聚合物和稳定剂。 稳定剂选自由乙酸酐，乙酰丙酸甲酯，丙酸酐，乙酰乙酸乙酯，丁酸酐，乙酰乙酸乙酯，戊酸酐，2-甲基丁酸酐，壬醇，癸醇，十一烷醇组成的组 十二烷醇，丙二醇丙醚，丙二醇乙醚，丙二醇甲醚丙二醇，苯基三甲氧基硅烷，二苯基六甲氧基二硅氧烷，二苯基六乙氧基二硅氧烷，二辛基四甲基二硅氧烷，六甲基三硅氧烷，四甲基二硅氧烷，二苯基六乙氧基二硅氧烷，二辛基四甲基二硅氧烷，六甲基三硅氧烷，四甲基二硅氧烷，十甲基四硅氧烷，十二甲基五硅氧烷和六甲基二硅氧烷。

    포토레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한반도체 집적회로 디바이스의 제조방법
    7.
    发明公开
    포토레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 失效
    根据光刻胶涂覆的HARDMASK组合物及其制备半导体器件的方法

    公开(公告)号：KR1020090016355A

    公开(公告)日：2009-02-13

    申请号：KR1020070080920

    申请日：2007-08-10

    Applicant: 제일모직주식회사

    Inventor： 임상학 ,  김상균 ,  김미영 ,  고상란 ,  윤희찬 ,  어동선 ,  김종섭 ,  김도현

    IPC: G03F7/11 ,  G03F7/075

    CPC classification number: G03F7/11 ,  C07C47/57 ,  C07D487/04 ,  C08G77/50 ,  C08L83/06 ,  G02B5/045 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/091 ,  H01L21/31144

    Abstract: A hard mask composition for a photoresist under layer, and a method for preparing a semiconductor integrated circuit device by using the composition are provided to improve film characteristics and storage stability and to enhance the solvent resistance against a resist developer. A hard mask composition for a photoresist under layer comprises a silane condensate which is a condensation polymer of the hydrolyzate formed from at least one compound represented by the formula 1; an ammonium salt; and a solvent, wherein R1 is H, a substituted or unsubstituted C1-C30 aliphatic hydrocarbon group, a substituted or unsubstituted C1-C30 aromatic hydrocarbon group, a substituted or unsubstituted C1-C30 alicyclic hydrocarbon group, a substituted or unsubstituted C1-C30 silyl group, a substituted or unsubstituted C1-C30 allyl group, a substituted or unsubstituted C1-C30 acyl group, a vinyl group, an amine group, an acetate group, or an alkali metal; x is 0-2; and R2 is H, a substituted or unsubstituted C1-C4 aliphatic hydrocarbon group, an acetate group, Na, or K.

    Abstract translation: 提供了用于光致抗蚀剂层的硬掩模组合物，以及通过使用该组合物制备半导体集成电路器件的方法，以改善膜特性和存储稳定性，并提高对抗蚀剂显影剂的耐溶剂性。 用于光致抗蚀剂底层的硬掩模组合物包括硅烷缩合物，其是由至少一种由式1表示的化合物形成的水解产物的缩聚物; 铵盐; 和其中R 1为H，取代或未取代的C 1 -C 30脂族烃基，取代或未取代的C 1 -C 30芳族烃基，取代或未取代的C 1 -C 30脂环族烃基，取代或未取代的C 1 -C 30甲硅烷基 取代或未取代的C 1 -C 30烯丙基，取代或未取代的C 1 -C 30酰基，乙烯基，胺基，乙酸酯基或碱金属; x是0-2; R 2为H，取代或未取代的C 1 -C 4脂族烃基，乙酸基，Na或K.

    광학기기용 경화형 폴리실록산 조성물, 봉지재 및 광학기기
    9.
    发明公开
    광학기기용 경화형 폴리실록산 조성물, 봉지재 및 광학기기 有权
    用于光学设备和光学设备的可固化的聚硅氧烷组合物

    公开(公告)号：KR1020140083908A

    公开(公告)日：2014-07-04

    申请号：KR1020130163102

    申请日：2013-12-24

    Applicant: 제일모직주식회사

    Inventor： 김영호 ,  고상란 ,  김우한 ,  유홍정 ,  이은선 ,  김하늘 ,  백윤희 ,  송두리 ,  신동주 ,  안치원

    IPC: C08L83/04 ,  C08K5/5415 ,  C08G77/04 ,  H01L23/29

    CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

    Abstract: The present invention relates to a curable polysiloxane composition for an optical device, an encapsulant obtained by curing the same, and an optical device including the encapsulant. The curable polysiloxane composition includes: at least one kind of a first polysiloxane compound presented by chemical formula 1; at least one kind of a second polysiloxane compound having hydrogen bound to silicon (Si-H) on an end thereof; and at least one kind of a third polysiloxane compound having an alkenyl group bound to silicon on an end thereof. [Chemical formula 1] (R^1R^2R^3SiO_1/2)_M1(R^4R^5SiO_2/2)_D1(R^6R^7SiO_2/2)_D2(R^8SiO_2/_2-Y^1-SiO_2/_2R^9)_D3(R^10SiO_3/_2)_T1(R^11SiO_3/_2)_T2(R^12SiO_3/_2)_T3(SiO_3/_2-Y^2-SiO_3/_2)_T4(SiO_4/_2)_Q1.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于光学器件的可固化聚硅氧烷组合物，通过其固化获得的密封剂，以及包括该密封剂的光学器件。 可固化聚硅氧烷组合物包括：由化学式1表示的至少一种第一聚硅氧烷化合物; 至少一种在其一端具有与硅（Si-H）结合的氢的第二聚硅氧烷化合物; 和在其末端具有与硅结合的烯基的至少一种第三聚硅氧烷化合物。 [化学式1]（R 1，R 2，R 3，SiO 2/2）_M1（R 4 4R 5 SiO 2/2）_D 1（R 6 R 17 SiO 2/2）_D 2（R 8）8 SiO 2 / _2R ^ 9）_D3（R ^ 10SiO_3 / _2）_T1（R ^ 11SiO_3 / _2）_T2（R ^ 12SiO_3 / _2）_T3（SiO_3 / _2-Y ^ 2-SiO_3 / _2）_T4（SiO_4 / _2）_Q1。

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