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公开(公告)号:KR1020000050735A
公开(公告)日:2000-08-05
申请号:KR1019990000805
申请日:1999-01-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/03 , C04B35/495 , C04B35/46
CPC classification number: H01G4/1254 , H01G4/1218
Abstract: PURPOSE: A microwave dielectric composition prepared by using La(Mg2/3Nb1/3)O3 having a relatively low sintering temperature is provided which produces a ceramic dielectric substance having excellent microwave dielectric characteristics. CONSTITUTION: A composition comprises La(Mg2/3Nb1/3)O3 having a relatively low sintering temperature, TiO2 for improving the temperature coefficient characteristics of resonance frequency and one or plurality of W, Mo, Cr, Se, Te or Po for improving quality coefficient. The composition can prepare a ceramic dielectric substance showing excellent microwave dielectric characteristics such as high quality coefficient, dielectric constant and stable temperature coefficient even using inexpensive raw material.
Abstract translation: 目的:提供通过使用具有相对低的烧结温度的La(Mg2 / 3Nb1 / 3)O3制备的微波介电组合物,其产生具有优异的微波介电特性的陶瓷电介质。 构成:组合物包含具有相对较低烧结温度的La(Mg2 / 3Nb1 / 3)O3,用于提高共振频率的温度系数特性的TiO 2和用于改善质量的一个或多个W,Mo,Cr,Se,Te或Po 系数。 即使使用廉价的原料,该组合物也可以制备显示出优异的微波介电特性如高质量系数,介电常数和稳定的温度系数的陶瓷电介质。
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公开(公告)号:KR1020000013235A
公开(公告)日:2000-03-06
申请号:KR1019980031979
申请日:1998-08-06
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/46
CPC classification number: H01B3/12 , C04B35/465 , C04B35/64
Abstract: PURPOSE: A microwave dielectric ceramic composition for low temperature firing contains an appropriate amount of additives such as B2O3, Sb2O3 and Y2O3 to obtain a dense sintered compact even at a low temperature of 1200°C and has good microwave characteristics. CONSTITUTION: A microwave dielectric ceramic composition for low temperature firing comprises (Mg,Ca)TiO3 as a principal component, and additives such as B2O3, Sb2O3 and Y2O3 so as to obtain a dense sintered compact even at a low temperature of 1200°C and has good microwave characteristics, wherein 0.2-0.5 wt.% of B2O3 is added.
Abstract translation: 目的:用于低温焙烧的微波介电陶瓷组合物含有适当量的添加剂如B2O3,Sb2O3和Y2O3,即使在1200℃的低温下也能获得致密的烧结体,并具有良好的微波特性。 构成:即使在低温烧成的微波介电陶瓷组合物中,以(Mg,Ca)TiO 3为主成分,也可以添加B2O3,Sb2O3,Y2O3等添加剂,即使在1200℃的低温下也能得到致密的烧结体, 具有良好的微波特性,其中添加了0.2-0.5重量%的B2O3。
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公开(公告)号:KR1020000009936A
公开(公告)日:2000-02-15
申请号:KR1019980030621
申请日:1998-07-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01C7/10
Abstract: PURPOSE: A SrTiO3 disc and chip varistors fabrication method are provided to decrease the manufacturing cost and simplify the manufacturing process. CONSTITUTION: The disc-type varistors formation method comprises the steps of mixing, milling and calcinating of SrCO3, BaCO3, CaCO3, TiO2Nb2O5 and SiO2 powder; pressing the powder by disc-type mold; sintering at deoxidation atmosphere; re-oxidizing at 800-1000°C, thereby forming a disc-type varistors; forming electrodes at upper and lower parts of the disc-type varistors, respectively; and bonding a lead wire to the electrodes. Also, the chip-type ceramic varistors fabrication method is same as the disc-type.
Abstract translation: 目的:提供SrTiO3磁盘和片式压敏电阻制造方法,以降低制造成本,简化制造工艺。 构成:盘式变阻器的形成方法包括混合,研磨和煅烧SrCO3,BaCO3,CaCO3,TiO2Nb2O5和SiO2粉末的步骤; 用盘式模具压粉; 在脱氧气氛下烧结; 在800-1000℃再氧化,从而形成盘式变阻器; 分别在盘式变阻器的上部和下部形成电极; 并且将引线接合到所述电极。 此外,芯片式陶瓷压敏电阻的制造方法与盘式相同。
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公开(公告)号:KR1020000009736A
公开(公告)日:2000-02-15
申请号:KR1019980030345
申请日:1998-07-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01G4/30
CPC classification number: H01G4/1227 , H01G4/1254 , H01G4/30
Abstract: PURPOSE: A laminated ceramic capacitor and manufacturing method thereof are provided to improve electric permission and temperature stability thereof. CONSTITUTION: Main component formula of dielectric material for the laminated ceramic capacitor is (1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 - xPbTiO3 (x = 0 - 0.25 mole%). An additive of NiO, CuO and ZnO is added into the dielectric material with 0 - 5 mole%. Each dielectric component has a different temperature value Tepsilicon, max of maximum permission according to the x value and additive. Plural dielectric layers are laminated by the dielectric components. Thereby, electric permission and temperature stability can be improved.
Abstract translation: 目的:提供一种层压陶瓷电容器及其制造方法,以提高其电气许可和温度稳定性。 构成:层状陶瓷电容器的介电材料的主要成分为(1-x)Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-xPbTiO3(x = 0〜0.25%摩尔)。 将NiO,CuO和ZnO的添加剂添加到电介质材料中,其含量为0〜5%(摩尔)。 每个介电元件具有不同的温度值Tepsilicon,根据x值和添加剂的最大允许最大值。 多个电介质层通过电介质组分层压。 由此,可以提高电气许可和温度稳定性。
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公开(公告)号:KR1020000009735A
公开(公告)日:2000-02-15
申请号:KR1019980030344
申请日:1998-07-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/495
CPC classification number: H01B3/12 , C04B2235/3232 , C04B2235/3255
Abstract: PURPOSE: A composition comprising 1 mole MgNb2O6 and 0-1 mole TiO2 as a main composition and 0-0.4 wt.% of MO3(M¬6+ = W, Mo, Cr, Se, Te, and Po) as additives is provided which can be sintered at a relatively low temperature. CONSTITUTION: The composition comprises MgNb2O6 + xTiO2(where x = 0-1.0) and 0-0.4 weight% of MO3(where M is one element selected from W, Mo, Cr, Se, Te, and Po). For an example, 1 mole MgO and 1 mole Nb2O5 are mixed by a wet ball milling method and calcined at 1,100°C for 4 hr. The solution added with 2 wt.% PVA binder is sprayed on the calcined powder to give granules with a size of about 200 micro meters. A disk sample with a diameter of 10 mm and a thickness of 4.8 mm is formed with granules at pressure of 98 Mpa, held at 300-500°C for above 3 hr to remove the binder and calcined at 1,150-1,250°C for 4 hr in the atmosphere at a heating speed of 5°C/min. The sintered sample is grinded with a SiC abrasive paper to be a ratio of diameter to thickness of about 0.45. The composition has a relatively lower sintering temperature(1,200°C), higher quality coefficient(QX f is more than 40,000 GHz) and dielectric constant(epsilon is more than 25), more stable temperature coefficient(tau f =-49 from to +38 ppm/°C) than conventional high-frequency dielectric composition.
Abstract translation: 目的:提供包含1摩尔MgNb 2 O 6和0-1摩尔TiO 2作为主要组合物和0-0.4重量%的MO 3(M 6+ = W,Mo,Cr,Se,Te和Po)作为添加剂的组合物 其可以在相对低的温度下烧结。 构成:组合物包含MgNb2O6 + xTiO2(其中x = 0-1.0)和0-0.4重量%的MO3(其中M是选自W,Mo,Cr,Se,Te和Po中的一种元素)。 例如,通过湿球磨法将1摩尔MgO和1摩尔Nb 2 O 5混合,并在1100℃下煅烧4小时。 将加入2重量%PVA粘合剂的溶液喷涂在煅烧粉末上,得到尺寸为约200微米的颗粒。 在压力为98Mpa的颗粒上形成直径为10mm,厚度为4.8mm的圆盘样品,在300-500℃下保持3小时以除去粘合剂,并在1150-1,250℃下煅烧4 hr,加热速度为5℃/ min。 将烧结的样品用SiC砂纸研磨成直径与厚度之比约为0.45。 该组合物具有相对较低的烧结温度(1200℃),更高的质量系数(QX f大于40,000GHz)和介电常数(ε大于25),更稳定的温度系数(τf = -49从+ 38ppm /℃)比传统的高频电介质组合物。
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公开(公告)号:KR100178329B1
公开(公告)日:1999-03-20
申请号:KR1019960071322
申请日:1996-12-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/58
Abstract: 본 발명은 우수한 마이크로파 유전특성을 가지며 소결온도가 1500℃ 이상인 Ba[(Ni
0.6 Zn
0.4 )
0.33 Nb
0.67 ]O
3 유전체 세라믹 조성물에 있어서, 높은 소결온도의 단점을 개선하기 위한 소결방법에 관한 것이다. 상기 유전체 세라믹 조성물은 우수한 마이크로파 유전특성을 가지고 있으나 소결온도가 높은 것이 단점이다. 본 발명에서는 상기 유전체 세라믹 조성물에 산화 안티몬(Sb
2 O
5 )과 산화 붕소(B
2 O
3 )로 구성된 첨가제를 첨가함으로써 소결온도를 기존의 소결온도(1500℃)보다 최대 300℃까지 낮출 수 있는 새롭고도 진보된 마이크로파 유전체 세라믹의 저온 소결방법에 관한 것이다.-
公开(公告)号:KR100162876B1
公开(公告)日:1998-11-16
申请号:KR1019960039239
申请日:1996-09-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/462
CPC classification number: C04B35/462 , C04B35/465 , C04B2235/3206 , C04B2235/3284 , H01B3/12
Abstract: 본 발명은 비교적 낮은 온도에서 소결조제 없이 치밀한 미세구조와 우수한 유전특성을 가지며 다양한 온도보상범위를 가지는 유전체 조성을 제공하기 위하여 산화아연과 산화티타늄이 화학양론적으로 조합된 ZnTiO
3 및 상기 ZnTiO
3 에서 Zn
2+ 이온이 Mg
2+ 이온으로 치환된 (Zn
1 -xMgx)TiO
3 여기서, x= 0.02에서 0.5의 조합을 가지는 저온소결이 가능한 온도보상용 마이크로파 유전체 자기조성물을 제공한다.-
公开(公告)号:KR1019980073313A
公开(公告)日:1998-11-05
申请号:KR1019970008514
申请日:1997-03-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01G4/12
Abstract: 본 발명은 1050~1150℃의 비교적 낮은 온도에서 소결되고, 소결조제 없이도 치밀한 미세구조와 우수한 유전특성을 가지며, 다양한 온도 보상 범위를 갖고, 비교적 값싼 금속 산화물 원료만으로 구성된 조성을 갖는 온도 보상용 마이크로파 유전체를 제공하기 위하여, 산화아연 및 산화티탄이 화학양론적으로 조합되는 ZnTiO
3 중의 Zn이 Zn 양 1에 대하여 0.175 내지 0.25의 양으로 Mg와, Zn 양 1에 대하여 0 보다 크고 0.15 이하의 양으로 Ni, Cu, Ba, Sr 및 그들의 조합으로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나로 치환되는 고주파용 유전체 세라믹 조성물을 제공한다.-
公开(公告)号:KR1019980052342A
公开(公告)日:1998-09-25
申请号:KR1019960071322
申请日:1996-12-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/58
Abstract: 본 발명은 우수한 마이크로파 유전특성을 가지며 소결온도가 1500℃ 이상인 Ba[(Ni
0.6 Zn
0.4 )
0.33 Nb
0.67 ]O
3 유전체 세라믹 조성물에 있어서, 높은 소결온도의 단점을 개선하기 위한 소결방법에 관한 것이다. 상기 유전체 세라믹 조성물은 우수한 마이크로파 유전특성을 가지고 있으나 소결온도가 높은 것이 단점이다. 본 발명에서는 상기 유전체 세라믹 조성물에 산화 안티몬(Sb
2 O
5 )과 산화 붕소(B
2 O
3 )로 구성된 첨가제를 첨가함으로써 소결온도를 기존의 소결온도(1500℃)보다 최대 300℃까지 낮출 수 있는 새롭고도 진보된 마이크로파 유전체 세라믹의 저온 소결방법에 관한 것이다.-
公开(公告)号:KR1019980020671A
公开(公告)日:1998-06-25
申请号:KR1019960039239
申请日:1996-09-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/462
Abstract: 본 발명은 비교적 낮은 온도에서 소결조제 없이 치밀한 미세구조와 우수한 유전특성을 가지며 다양한 온도보상범위를 가지는 유전체 조성을 제공하기 위하여 산화아연과 산화티타늄이 화학양론적으로 조합 ZnTiO
3 및 상기 ZnTiO
3 에서 Zn
2+ 이온이 Mg
2+ 이 온으로 치환된 (Zn
1-X Mg
X )TiO
3 여기서, x=0.02에서 0.5의 조합을 가지는 저온소결이 가능한 온도보상용 마이크로파 유전체 자기조성물을 제공한다.
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