公开(公告)号：KR101064517B1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：KR1020100115988

申请日：2010-11-22

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 백영준 ,  정증현 ,  박종극 ,  김원목 ,  이경석 ,  이택성

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 ZnO 박막 형성시 전구체들의 주입량 비율을 조절하는 것을 통해 박막의 결정 성장방향을 방향에서 방향으로 유도함과 함께 입자크기 및 증착속도를 효과적으로 제어하여 ZnO 박막의 표면 요철 구조의 재현성을 향상시킬 수 있는 ZnO 박막 성장방법 그리고 이를 이용한 박막태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 ZnO 박막 성장방법은 MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition) 방법을 이용하여 ZnO 박막을 성장시키며, 전구체는 과 로 구성되며, 상기 과 의 주입량의 비율을 변화시켜 ZnO 박막의 결정 성장방향을 방향에서 방향으로 변화시키는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020100001559A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：KR1020080061513

申请日：2008-06-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 백영준 ,  김원목 ,  이경석 ,  박종극 ,  정증현 ,  이수연 ,  이택성

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B29/16 ,  C23C16/407 ,  C30B25/02 ,  C30B28/12

Abstract: PURPOSE: A method for a thin film growth is provided to improve the mobility of a carrier and a light scattering effect by improving a surface particle size and surface roughness of a thin film. CONSTITUTION: In a device, nuclei of the crystal grains having the various crystal growth direction are formed on the top of a substrate. First crystal particles having a first crystal growth direction(100) are preferentially grown up in order to form a first texture. Second crystal particles having a second crystal growth direction(111) are preferentially grown up in order to form a second texture. The area of surface of the second crystal particle is bigger than that of the first crystal particle.

Abstract translation: 目的：通过提高薄膜的表面粒径和表面粗糙度，提供薄膜生长方法，以提高载流子的迁移率和光散射效果。 构成：在器件中，在衬底的顶部形成具有各种晶体生长方向的晶粒的核。 优先生长具有第一晶体生长方向（100）的第一晶体颗粒以形成第一纹理。 优选地生长具有第二晶体生长方向（111）的第二晶体颗粒以形成第二结构。 第二晶体颗粒的表面面积大于第一晶体颗粒的面积。

公开(公告)号：KR1020090102354A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：KR1020080027741

申请日：2008-03-26

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 황욱연 ,  김주호 ,  김중현 ,  이택성 ,  정병기 ,  이현석 ,  이수연 ,  김원목 ,  정증현

IPC: G11B7/24073 ,  G11B7/243

CPC classification number: G11B7/252 ,  G11B7/24065 ,  G11B7/2531 ,  G11B7/2533 ,  G11B7/259 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/24304 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/2432

Abstract: PURPOSE: An optical recording medium having a super-resolution structure for improvement of reproduction stability and low band noise characteristic are provided to prevent degradation of reproduction characteristic resulting from the diffusion of gas which forms a bubble recording mark. CONSTITUTION: An optical recording medium having a super-resolution structure comprises a plurality of layers formed on the top of a substrate, including a recorded layer(308) and a super-resolution layer(318). The recorded layer contains a material whose decomposition temperature is higher than regeneration temperature and does not form a bubble recording mark in recording. The super-resolution layer is composed of chalcogenide semiconductor material containing one or more selected from nitrogen(N), oxygen(O), carbon(C) and boron(B).

Abstract translation: 目的：提供具有用于提高再现稳定性和低频带噪声特性的超分辨率结构的光记录介质，以防止由形成气泡记录标记的气体的扩散引起的再现特性的劣化。 构成：具有超分辨率结构的光学记录介质包括形成在衬底的顶部上的多个层，包括记录层（308）和超分辨率层（318）。 记录层包含分解温度高于再生温度并且在记录中不形成气泡记录标记的材料。 超分辨率层由含有选自氮（N），氧（O），碳（C）和硼（B））中的一种或多种的硫族化物半导体材料组成。

公开(公告)号：KR100899355B1

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：KR1020070116932

申请日：2007-11-15

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이욱성 ,  백영준 ,  박종극 ,  황규원 ,  정증현

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3497 ,  H01J37/3435

Abstract: 본 발명은 플라스마 증착 장치 및 방법에 관한 것으로, 직류 전원(방전) 플라스마 증착 공정에 의해 다이아몬드를 비롯한 물질을 증착함에 있어 고융점 금속재질의 음극표면에 균열을 생기는 현상을 방지하며, 실리콘 등의 반도체 기판을 사용할 경우 반도체 기판의 손상을 방지하여 균일하고 손상이 없는 상태로 박막을 증착할 수 있는 이점이 있다.
플라스마 증착, 박막 증착, 힛업(heatup)

公开(公告)号：KR1020080051061A

公开(公告)日：2008-06-10

申请号：KR1020070122771

申请日：2007-11-29

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정병기 ,  이택성 ,  이현석 ,  정증현 ,  이수연 ,  김원목

IPC: G11B7/2433 ,  G11B7/253

CPC classification number: G11B7/24 ,  G02F1/3523 ,  G11B7/252 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/26

Abstract: A super-resolution material and a high density optical information storage medium using the same are provided to include at least one selected from a group consisting of a semiconductor material, nitrogen, oxygen, carbon, and boron. A super-resolution material for playing and recording optical information includes more than one selected from a group consisting of a semiconductor material by which light is absorbed in a wavelength range of incident light so that light transmission is increased according to heat, nitrogen, oxygen, carbon, and boron.

Abstract translation: 提供超分辨率材料和使用其的高分辨率光学信息存储介质以包括从由半导体材料，氮，氧，碳和硼组成的组中选择的至少一种。 用于播放和记录光学信息的超分辨率材料包括多个选自由在入射光的波长范围内吸收光的半导体材料组成的组，以使得透光率根据热，氮，氧， 碳和硼。

公开(公告)号：KR100699072B1

公开(公告)日：2007-03-27

申请号：KR1020050070480

申请日：2005-08-02

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김인호 ,  김원목 ,  정병기 ,  정증현 ,  이택성 ,  이경석

IPC: B32B15/01 ,  B32B7/02

Abstract: 본 발명은 열적 안정성 및 화학적 안정성이 우수한 산화아연계 투명 도전막에 관한 것으로서,
본 발명에 따른 산화아연계 투명 도전막은 결정질 산화아연계 박막과, 상기 산화아연계 박막의 상부 또는 하부면 중 적어도 한 면 이상에 적층된 산화주석계 비정질 보호막을 포함하여 이루어지며, 상기 산화주석계 비정질 보호막은 산화아연(ZnO), 산화인듐(In
2 O
3 ), 산화카드뮴(CdO) 중 적어도 하나 이상이 산화주석(SnO
2 )과 혼합된 혼합물로 구성되고, 산화주석계 비정질 보호막 내에서 전체 금속 성분 중 상기 주석의 원자비율은 50∼90 at% 이다.
투명전극, 산화아연, 산화주석, 비정질

Abstract translation: 本发明涉及具有优异的热稳定性和化学稳定性的氧化锌基透明导电膜，

公开(公告)号：KR1020070016203A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：KR1020050070480

申请日：2005-08-02

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김인호 ,  김원목 ,  정병기 ,  정증현 ,  이택성 ,  이경석

IPC: B32B15/01 ,  B32B7/02

CPC classification number: B32B18/00 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/412

Abstract: 본 발명은 열적 안정성 및 화학적 안정성이 우수한 산화아연계 투명 도전막에 관한 것으로서,
본 발명에 따른 산화아연계 투명 도전막은 결정질 산화아연계 박막과, 상기 산화아연계 박막의 상부 또는 하부면 중 적어도 한 면 이상에 적층된 산화주석계 비정질 보호막을 포함하여 이루어지며, 상기 산화주석계 비정질 보호막은 산화아연(ZnO), 산화인듐(In
2 O
3 ), 산화카드뮴(CdO) 중 적어도 하나 이상이 산화주석(SnO
2 )과 혼합된 혼합물로 구성되고, 산화주석계 비정질 보호막 내에서 전체 금속 성분 중 상기 주석의 원자비율은 50∼90 at% 이다.
투명전극, 산화아연, 산화주석, 비정질

公开(公告)号：KR100651657B1

公开(公告)日：2006-12-01

申请号：KR1020050056892

申请日：2005-06-29

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정병기 ,  정증현 ,  강대환 ,  정한주 ,  이택성 ,  김인호 ,  김원목 ,  이경석

IPC: H01L27/10

Abstract: A phase change material for a high-integrated non-volatile memory is provided to reduce writing current and heat interference between cells by reducing a melting temperature and improving a crystallization temperature and by improving a joule heating characteristic and a heat radiation characteristic of a memory material. A phase change material is a substitutional solid solution that has a congruent melting composition or eutectic melting composition having a minimum melting temperature in an equilibrium state diagram or a composition in which the composition displacement of an individual constituting element has an atomic mole fraction of plus and minus 0.15 or lower with respect to the congruent melting composition of the eutectic melting composition. The phase change material is formed by adding at least one non-metal element to a base material whose melting temperature is not higher than 600 deg.C such that the non-metal element is selected from B, C, N and O. The base material has Sb-Te binary alloy as a main component and is a solid solution to which at least one element selected from Ge, Ag, In and Ga is added.

Abstract translation: 提供用于高集成度非易失性存储器的相变材料以通过降低熔化温度和改善结晶温度并通过改善存储材料的焦耳加热特性和热辐射特性来减小单元之间的写入电流和热干扰 。 相变材料是具有在平衡状态图中具有最小熔化温度的一致熔融组成或共晶熔融组成的组合物置换固体溶液，或者其中组成元素的组成置换具有正的原子摩尔分数的组合物和 相对于共晶熔融组合物的一致熔融组成，减少0.15或更低。 所述相变材料通过向熔化温度不高于600℃的基材添加至少一种非金属元素而形成，使得所述非金属元素选自B，C，N和O.所述基材 材料具有Sb-Te二元合金作为主要成分，并且是添加了选自Ge，Ag，In和Ga中的至少一种元素的固溶体。