公开(公告)号：KR1020150123034A

公开(公告)日：2015-11-03

申请号：KR1020140049354

申请日：2014-04-24

Applicant: 한국광기술원

Inventor： 이승재 ,  전성란 ,  주진우 ,  박형조 ,  정탁 ,  김윤석 ,  오화섭 ,  정태훈 ,  김자연 ,  정성훈 ,  이상헌 ,  백종협

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/38 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/12

Abstract: 질화물박막및 그제조방법이개시된다. 본발명의질화물박막은, 실리콘기판을반응로내에서고온의제1온도로가열하고, 상기반응로내에수소를주입하고, 상기실리콘기판을상기제1온도보다낮은제2온도로냉각하고, 상기반응로내에수소를일정하게주입하면서, 트리메틸알루미늄(TMA)를소정시간주입하고, 상기반응로내에수소및 TMA를일정하게주입하면서, 암모니아(NH)를소정시간주입하고, 상기반응로내에수소, TMA 및 NH를일정하게주입하면서, 상기실리콘기판을상기제1온도로가열하여제조한다.

Abstract translation: 公开了一种氮化物薄膜及其制造方法。 本发明的氮化物薄膜通过以下步骤制备：在反应炉中以高温的第一温度加热硅树脂基材; 将氢气送入反应炉; 在低于第一温度的第二温度下冷却硅树脂基材; 均匀地将氢气进料到反应炉中; 喂三甲基铝（TMA）一段时间; 在反应炉中均匀加入氢气和TMA; 在一段时间内喂氨（NH_3） 并在第一温度下加热硅基片，同时在反应炉中均匀加入氢，TMA和NH_3。

公开(公告)号：KR101562928B1

公开(公告)日：2015-10-23

申请号：KR1020140054577

申请日：2014-05-08

Applicant: 한국광기술원

Inventor： 오화섭 ,  이승재 ,  주진우 ,  박형조 ,  정탁 ,  김윤석 ,  이상헌 ,  정태훈 ,  김자연 ,  정성훈 ,  백종협

IPC: H01L33/08

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/50

Abstract: 본발명은기판양면에에피구조를성장시켜발광출력을향상시킬수 있으며, 단일의발광다이오드를사용하여이중발광스펙트럼을구현할수 있는발광다이오드및 그제조방법에관한것이다. 본발명의실시예에따른발광다이오드는, 기판의일면에형성되며, 공급되는전자및 정공의재결합에따라생성되며, 제 1 스펙트럼을갖는제 1 광을출력하는제 1 에피층; 및상기기판의타면에형성되며, 상기제 1 광의일부를흡수하여, 제 2 스펙트럼을갖는제 2 광을출력하는제 2 에피층으로구성된다.

Abstract translation: 发光二极管及其制造方法技术领域本发明涉及一种发光二极管及其制造方法，其能够通过使用单个发光二极管实现双重发光光谱，并且通过在基板的两侧生长外延结构来提高发光输出。 根据本发明的实施例的发光二极管包括通过电子和被供应的孔的复合而形成在衬底的一侧上的第一外延层，并且输出具有第一光谱的第一光 ; 并且形成在所述基板的另一侧上的第二外延层部分地吸收所述第一光，并输出具有第二光谱的第二光。

公开(公告)号：KR101547905B1

公开(公告)日：2015-08-28

申请号：KR1020130017384

申请日：2013-02-19

Applicant: 한국광기술원

Inventor： 김자연 ,  백종협 ,  권민기

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/36 ,  H01L33/62 ,  H01L33/54

CPC classification number: H01L2224/24 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 발광다이오드가개시된다. 이러한발광다이오드는기판과, 기판상에배열형성된다수개의단위셀으로이루어진셀어레이를포함하고, 셀어레이는평단면형상에있어서하나이상의내각이 90도보다작은다각형일수 있다. 또한다수개의단위셀로이루어진셀어레이는단위셀들간에직렬연결된고전압발광다이오드의특징을갖는다. 이와같이셀어레이의형상이내각이 90도보다작은경우에광방출특성이좋아지며, 고전압발광다이오드로서동일면적대비효율이높아진다.

公开(公告)号：KR101494331B1

公开(公告)日：2015-02-23

申请号：KR1020130153661

申请日：2013-12-11

Applicant: 한국광기술원

Inventor： 이상헌 ,  백종협 ,  정태훈 ,  정성훈 ,  이승재 ,  김자연 ,  주진우 ,  오화섭 ,  박형조 ,  정탁

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/62 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/10 ,  H01L33/20 ,  H01L33/62

Abstract: 본 개시(Disclosure)는 전류 확산 특성을 개선하는 전극구조를 가지는 플립 칩 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 본 개시의 일 실시형태에 따른 플립 칩 질화물 반도체 발광소자는, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층; 상기 제1 반도체층 위에 적층되며, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층; 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합에 의해 광자를 생성하는 활성층; 상기 제2 반도체층 위에 형성되며, 서로 전기적으로 절연되도록 형성되며, 각각 상기 제1,2 반도체층에 전기적으로 접속되는 제1,2 전극영역; 및 상기 제2 반도체층 및 상기 활성층의 관통하여 상기 제1 반도체층에 이르도록 형성되며, 상기 제1 전극영역과 상기 제1 반도체층을 전기적으로 접속시키는 복수의 비아홀;로서, 상기 제1 전극영역 내에 위치되는 적어도 하나의 제1 비아홀;과 상기 제1 전극영역 바깥에 위치되는 적어도 하나의 제2 비아홀;을 가지는 복수의 비아홀;을 포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及倒装芯片型氮化物半导体发光器件。 所公开的涉及具有改善的电流扩散特性的电极结构的倒装芯片型氮化物半导体发光器件。 根据本发明的实施例，倒装芯片型氮化物半导体发光器件包括：具有第一导电性的第一半导体层; 具有不同于所述第一导电性的第二导电性的第二半导体层; 有源层，其设置在第一和第二半导体层之间，并通过将电子与孔重新组合而产生光子; 第一和第二电极区域，形成在第二半导体层上，被形成为彼此电绝缘并分别与第一和第二半导体层电连接; 通过穿透第二半导体层和有源层而形成为到达第一半导体的多个通孔，电连接第一电极区域和第一半导体层，并且包括至少一个位于第一半导体层内的第一通孔 电极和位于第一电极区域外部的至少一个第二通孔。

公开(公告)号：KR101455798B1

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：KR1020130030821

申请日：2013-03-22

Applicant: 한국광기술원

Inventor： 정탁 ,  김수진 ,  박형조 ,  김자연 ,  오화섭 ,  주진우 ,  정태훈 ,  김윤석 ,  이상헌 ,  백종협

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/32 ,  H01L33/12

Abstract: 본 발명은 발광효율이 개선된 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 발광소자는, p형 반사성 콘택층(110)과; 상기 p형 반사성 콘택층(110) 상부에 형성된 p형 질화물층(120)과; 상기 p형 질화물층(120) 상부에 형성된 활성층(130)과; 상기 활성층(130) 상부에 형성된 n형 질화물층(140)과; 금속 나노입자(151)를 포함한 절연층(152)에 의해 절연이 이루어져 상기 p형 반사성 콘택층(110), p형 질화물층(120) 및 활성층(130)을 관통하여 선단부가 상기 n형 질화물층(140)과 콘택이 이루어지도록 마련되는 n형 전극(153)을 갖는 플라즈몬 발생부(150);를 포함하여, 수직형 질화물 발광소자에서 국부적인 플라즈몬 공명(Plasmon Resonance) 효과에 의한 발광효율을 높일 수가 있으며, 또한 출광면에 광 추출효율에 불리한 전극 배치구조를 배제하여 발광효율을 더욱 개선할 수 있다.

公开(公告)号：KR101393624B1

公开(公告)日：2014-05-12

申请号：KR1020130008533

申请日：2013-01-25

Applicant: 한국광기술원

Inventor： 주진우 ,  전대우 ,  황남 ,  백종협 ,  정탁 ,  오화섭 ,  김자연 ,  이상헌

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/16

Abstract: 본 발명은 적층결함이 제거된 반분극 질화물 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 반극성 사파이어기판에 ELOG 공정을 이용하여 일부 적층결함을 제거하고, KOH 에칭시 발생하는 시간차를 이용하여 남은 적층결함을 제거함으로써, 발광다이오드의 보다 좋은 양자효율을 보장할 수 있는 적층결함이 제거된 반분극 질화물 소자의 제조방법을 제공함에 목적이 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, (a) 무극성 또는 반극성 에피탁시층의 성장 표면을 제공하는 기판 상에 제1Ⅲ족 질화물층을 형성하는 단계; (b) 상기 제1Ⅲ족 질화물층 상에 복수개의 캐비티가 내부에 형성된 제2Ⅲ족 질화물층을 형성하는 단계; (c) 상기 제2Ⅲ족 질화물층의 내부에 형성된 캐비티의 면을 에칭하는 단계; (d) 상기 제2Ⅲ족 질화물층 상에 제3Ⅲ족 질화물층을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 제3Ⅲ족 질화물층이 성장함으로써, 적층결함이 제거된 반분극 질화물 소자가 형성되는 단계; 를 포함한다.

公开(公告)号：KR101373101B1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：KR1020120126848

申请日：2012-11-09

Applicant: 한국광기술원

Inventor： 주진우 ,  백종협 ,  정태훈 ,  이상헌 ,  정탁 ,  김자연 ,  오화섭

IPC: H01L33/14

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/06

Abstract: Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device including a plasmon layer. The method includes the steps of: forming a lamination having at least one layer on a substrate; and forming a first plasmon layer on the lamination, wherein the first plasmon layer is in situ deposited in an MOCVD device after the topmost layer of the lamination is formed. In addition, an active layer is in situ deposited on the first plasmon layer in the MOCVD device, and sequentially, a second plasmon layer is in situ deposited on the active layer in the MOCVD device. The first and second plasmon layers are formed using an MO source containing silver thus can be in situ deposited on other semiconductor layers, whereby multiple plasmon layers can be efficiently formed. [Reference numerals] (100) Substrate; (200) Buffer layer; (300) First semiconductor layer; (310) N-type contact layer; (320) N-type plasmon layer; (410) First plasmon layer; (420) Third plasmon layer; (500) Active layer; (600) Second semiconductor layer; (610) P-type clad layer; (620) P-type contact layer; (700) N-type electrode; (800) P-type electrode

Abstract translation: 公开了一种制造包括等离子体激元层的半导体器件的方法。 该方法包括以下步骤：在衬底上形成具有至少一层的层压体; 以及在所述层压上形成第一等离子体膜层，其中在形成所述层压的最上层之后，所述第一等离子体膜层原位沉积在MOCVD装置中。 此外，活性层原位沉积在MOCVD器件中的第一等离子体膜层上，并且顺序地，第二等离子体膜原位沉积在MOCVD器件的有源层上。 使用包含银的MO源形成第一和第二等离子体层，因此可原位沉积在其它半导体层上，由此可以有效地形成多个等离子体层。 （附图标记）（100）基板; （200）缓冲层; （300）第一半导体层; （310）N型接触层; （320）N型等离子体膜层; （410）第一等离子体膜层; （420）第三等离子体层; （500）活性层; （600）第二半导体层; （610）P型覆层; （620）P型接触层; （700）N型电极; （800）P型电极

公开(公告)号：KR101289793B1

公开(公告)日：2013-07-26

申请号：KR1020110119744

申请日：2011-11-16

Applicant: 한국광기술원

Inventor： 정탁 ,  김승환 ,  이상헌 ,  주진우 ,  김자연 ,  오화섭 ,  백종협

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/22

Abstract: 본 발명은 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명은, 기판에 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층 및 반사층을 형성하고, 상기 형성된 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층 및 반사층에 하나 이상의 내부 비아홀을 형성하며, 상기 내부 비아홀의 내경보다 작은 외경을 가지는 전극을 상기 내부 비아홀에 형성하고, 상기 전극의 상부 일부면에 전극과 연결되는 제1전극패드를 형성하며, 상기 반사층과 전기적으로 연결되는 숄더층과 전극을 전기적으로 분리하기 위한 제2 절연보호막을 형성하고, 상기 제2 절연보호막 상단에 상기 숄더층을 형성하며, 상기 숄더층의 상단에 하나 이상의 기판 비아홀을 포함하는 세라믹기판을 형성하고, 상기 세라믹기판의 전면 또는 일부면에 상기 제1전극패드와 극성이 다른 제2전극패드가 형성되는 것을 포� ��하고, 상기 내부 비아홀은 원형, 타원형 또는 다각형이고, 상기 내부 비아홀의 형상과 동일하게 상기 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 및 그 제조방법을 제공함으로써, 빛을 발생시키는 발광다이오드의 면적이 전극의 설치로 감소하는 것을 방지하고, 다이오드의 발열문제로 인한 성능저하 및 드룹(Droop) 효과를 방지하는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1020130007194A

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020110064249

申请日：2011-06-30

Applicant: 한국광기술원

Inventor： 오화섭 ,  백종협 ,  이광철 ,  김상묵 ,  이상헌 ,  정탁 ,  이승재 ,  주진우 ,  김자연

IPC: H01L33/10

CPC classification number: H01L33/10 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/20 ,  H01L33/58 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0058

Abstract: PURPOSE: A light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to prevent a light loss by increasing the reflectivity and reflection width of a DBR(Distributed Bragg Reflector) through the DBR including an air layer. CONSTITUTION: A DBR layer(200) is formed on a substrate(100). The DBR layer includes a first refractive layer(200a), a second refractive layer(200b), and an air layer(200c). An n type clad layer(300), an active layer(400), a p type clad layer(500), and a p type window layer(600) are successively formed on the DBR layer. A p type electrode(700) is formed on the upper side of the p type window layer. An n type electrode(800) is formed on the lower side of the substrate.

Abstract translation: 目的：提供发光器件及其制造方法，以通过包括空气层的DBR增加DBR（分布式布拉格反射器）的反射率和反射宽度来防止光损失。 构成：在基板（100）上形成DBR层（200）。 DBR层包括第一折射层（200a），第二折射层（200b）和空气层（200c）。 在DBR层上依次形成n型覆盖层（300），有源层（400），p型覆盖层（500）和p型窗口层（600）。 p型电极（700）形成在p型窗口层的上侧。 在基板的下侧形成n型电极（800）。

公开(公告)号：KR1020120116670A

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：KR1020110034252

申请日：2011-04-13

Applicant: 한국광기술원

Inventor： 주진우 ,  백종협 ,  이승재 ,  이상헌 ,  정탁 ,  김자연 ,  오화섭 ,  전대우

IPC: H01L33/16

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

Abstract: PURPOSE: A vertical-type light emitting diode based on a non-polar or semi-polar group III-nitride and a manufacturing method thereof are provided to improve internal quantum efficiency by forming a light emitting diode structure on a lateral growth layer in which defect density reduces. CONSTITUTION: A first III family nitride(102) is grown on the top of a substrate having a growth surface of a non-polar or semi-polar epitaxial layer. A second III family nitride layer with one or more cavities(105) whose one area indicates N-polarity is formed on a first III family nitride using a lateral growth method. A vertical type light emitting diode structure(200) is grown on the second III family nitride layer. The vertical type light emitting diode structure is obtained by chemically wet-etching some thickness of the second III family nitride layer.

Abstract translation: 目的：提供一种基于非极性或半极性III族氮化物的垂直型发光二极管及其制造方法，以通过在侧向生长层上形成发光二极管结构来提高内部量子效率，其中缺陷 密度降低。 构成：在具有非极性或半极性外延层的生长表面的衬底的顶部上生长第一III族氮化物（102）。 具有一个或多个空腔（105）的第二III族氮化物层，其一个区域表示N-极性，使用横向生长方法形成在第一III族氮化物上。 在第二III族氮化物层上生长垂直型发光二极管结构（200）。 垂直型发光二极管结构通过化学湿法蚀刻第二III族氮化物层的一些厚度来获得。