양자점 태양전지 및 그 제조방법
    71.
    发明授权
    양자점 태양전지 및 그 제조방법 有权
    量子太阳能电池和方法

    公开(公告)号:KR101294835B1

    公开(公告)日:2013-08-07

    申请号:KR1020130000090

    申请日:2013-01-02

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/042 H01L31/18

    Abstract: PURPOSE: A quantum dot solar cell and a method for manufacturing the same are provided to increase photoelectric conversion efficiency two times compared with existing one by forming protrusion parts on a metal oxide layer. CONSTITUTION: A metal oxide layer is formed on a transparent electrode. A quantum dot layer (140) includes quantum dots. A transition metal oxide layer (150) is formed on the quantum dot layer. An opposing electrode (160) is formed on the transition metal oxide layer. The opposing electrode faces the transparent electrode.

    Abstract translation: 目的:提供一种量子点太阳能电池及其制造方法,通过在金属氧化物层上形成突起部分,将光电转换效率提高了两倍。 构成:在透明电极上形成金属氧化物层。 量子点层(140)包括量子点。 在量子点层上形成过渡金属氧化物层(150)。 在过渡金属氧化物层上形成对置电极(160)。 相对电极面对透明电极。

    복수의 가열 영역을 가지는 양자점 제조 장치 및 양자점 제조 방법
    73.
    发明授权
    복수의 가열 영역을 가지는 양자점 제조 장치 및 양자점 제조 방법 有权
    具有多个加热区域的量子点的制造装置和方法

    公开(公告)号:KR101147840B1

    公开(公告)日:2012-05-21

    申请号:KR1020080105368

    申请日:2008-10-27

    CPC classification number: B82Y10/00 B82Y40/00 H01L21/67109 Y10T117/1024

    Abstract: 본 발명은 나노 크기의 반도체성 결정인 양자점 제조 기술에 관련된다.
    양자점 제조 장치는 전구체 용액을 혼합하는 믹서와, 혼합된 전구체 용액을 가열하기 위해 온도가 서로 다른 복수의 영역을 가지는 가열부를 구비할 수 있다. 상기의 온도 영역이 다른 가열영역들 사이에는 낮은 온도로 추가적인 핵 생성을 차단하는 버퍼가 구비될 수 있다. 상기의 구조와 방법에 의해 핵 생성과 핵 성장이 분리되어 제조된 양자점의 입자의 크기의 균일성이 개선된다. 또한 동일한 온도의 단일한 가열영역을 가지는 장치 및 방법보다 양자점의 대량 생산이 가능하게 된다.
    양자점, 나노 분말, 믹서, 가열로, 전구체,버퍼

    양자점 박막 코팅 장치 및 이의 구동 방법
    74.
    发明授权
    양자점 박막 코팅 장치 및 이의 구동 방법 有权
    QUANTUM DOT膜涂装置及其驱动方法

    公开(公告)号:KR101057830B1

    公开(公告)日:2011-08-19

    申请号:KR1020100101367

    申请日:2010-10-18

    CPC classification number: B05C3/02 B82B3/00

    Abstract: PURPOSE: A quantum dot thin film coating apparatus and a method for driving the same are provided to simply adjust the thickness of a quantum dot thin film by generating a photoelectric/thermoelectric quantum dot active layer. CONSTITUTION: A body part(10) is prepared. A controlling part(20) is installed in the body part and outputs controlling signals(CNT 1 to CNT 3). A substrate supporting part(30) is arranged on the upper side of the body part and is vertically operated according to a first controlling signal from the controlling part. A substrate is in connection with the substrate supporting part. A plurality of containers contains different coating solutions. A rotating part(40) rotates the containers by receiving a second controlling signal from the controlling part.

    Abstract translation: 目的:提供量子点薄膜涂覆装置及其驱动方法,通过产生光电/热电量子点有源层来简单地调整量子点薄膜的厚度。 构成:准备身体部位(10)。 控制部(20)安装在主体部,输出控制信号(CNT1〜CNT3)。 基板支撑部(30)设置在主体部的上侧,并且根据来自控制部的第一控制信号进行垂直操作。 衬底与衬底支撑部分连接。 多个容器包含不同的涂布溶液。 旋转部件(40)通过从控制部件接收第二控制信号来旋转容器。

    고전도성 양자점 필름의 제조방법 및 이에 의하여 제조되는 고전도성 양자점 필름
    75.
    发明授权
    고전도성 양자점 필름의 제조방법 및 이에 의하여 제조되는 고전도성 양자점 필름 有权
    高导电量子膜和高导电量子膜的制备方法

    公开(公告)号:KR101051083B1

    公开(公告)日:2011-07-21

    申请号:KR1020100091075

    申请日:2010-09-16

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: PURPOSE: A highly conductive quantum dot film provides electric component improving performance by reducing a surface defect according to change the surface of the film. CONSTITUTION: A conductivity quantum dot is manufactured. The conductivity quantum dot is coated in substrate. The ligand between the conductivity quantum dot is exchanged. The substrate in which the conductivity quantum dot is coated is treated by heating to the temperature of 40~70°C in the inert atmosphere. The substrate which is treated by heating is changed to the ligand.

    Abstract translation: 目的:高导电量子点膜通过根据膜表面的变化减少表面缺陷而提供电气元件改进性能。 构成:制造导电量子点。 导电量子点被涂覆在基片中。 交换电导量子点之间的配体。 通过在惰性气氛中加热至40〜70℃的温度,对其中涂布导电量子点的基板进行处理。 通过加热处理的基板改变为配体。

    복수의 가열 영역을 가지는 양자점 제조 장치 및 양자점 제조 방법
    76.
    发明公开
    복수의 가열 영역을 가지는 양자점 제조 장치 및 양자점 제조 방법 有权
    用于生产具有多个加热区域的量子的装置和方法

    公开(公告)号:KR1020100046507A

    公开(公告)日:2010-05-07

    申请号:KR1020080105368

    申请日:2008-10-27

    CPC classification number: B82Y10/00 B82Y40/00 H01L21/67109 Y10T117/1024

    Abstract: PURPOSE: A quantum dot producing apparatus including plural heating areas, and a method thereof are provided to enhance the producing yield by uniformly producing the particle diameter of quantum dots. CONSTITUTION: A quantum dot producing apparatus including plural heating areas comprises the following: more than one pump(10-1,10-2) inserting plural precursor solutions dissolved with different precursors; a mixer(12) to mix the different plural precursor solutions; and plural heating units(14,16) operating at different temperatures while the mixed precursor solutions are passing through the heating units. The heating unit comprises a first heating unit and a second heating unit.

    Abstract translation: 目的:提供包括多个加热区域的量子点产生装置及其方法,以通过均匀地产生量子点的粒径来提高产量。 构成:包括多个加热区域的量子点产生装置包括以下:多个泵(10-1,10-2)插入多个前体溶液,其溶解有不同的前体; 混合器(12),以混合不同的多种前体溶液; 和多个加热单元(14,16),在混合的前驱体溶液通过加热单元时在不同的温度下操作。 加热单元包括第一加热单元和第二加热单元。

    양자 효율 측정 장치
    78.
    发明授权

    公开(公告)号:KR101926058B1

    公开(公告)日:2018-12-06

    申请号:KR1020170154056

    申请日:2017-11-17

    Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 양자 효율 측정 장치는 구형 챔버, 상기 구형 챔버에 설치되며 시료가 장착되는 시료 장착부, 상기 구형 챔버에 연결되며 상기 시료에 여기광을 조사하는 광 조사부, 상기 구형 챔버에 연결되며 상기 시료에서 발생한 광을 검출하는 광 검출부, 상기 구형 챔버에 연결되며 상기 구형 챔버 내부를 진공 상태로 만드는 진공부, 그리고 상기 구형 챔버에 연결되며 상기 구형 챔버 내부에 비활성 가스를 유입시키는 가스 공급부를 포함한다.

    나노 입자 검출 장치
    79.
    发明授权

    公开(公告)号:KR101794277B1

    公开(公告)日:2017-11-06

    申请号:KR1020160095569

    申请日:2016-07-27

    CPC classification number: G01N27/127 B82B3/0004 B82B3/009 G01N27/308

    Abstract: 본발명의한 실시예에따른나노입자검출장치는제1 폭을가지는주입구와배출구, 상기주입구와배출구사이에위치하며상기제1 폭보다넓은제2 폭을가지는수용부를포함하는본체, 수용부를가로질러설치되어있는작동전극, 수용부에저장되는유체에잠기도록설치되는작동전극및 기준전극을포함하고, 작동전극은전도성필터로이루어질수 있다.

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