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公开(公告)号：KR100701120B1
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：KR1020050042421
申请日：2005-05-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/0941 , G02B6/12
Abstract: 3R(Retiming, Reshaping, Reamplifying) 재생기에 관한 것이다. 본 발명에 따른 재생기는, 분기된 광신호가 입력되는 제1 입력 포트와 제2 입력 포트, 기판 상에 형성되며 공통 입력단에서 분기되어 공통 출력단에서 통합되는 제1 및 제2 브랜치를 가지고, 상기 제1 및 제2 브랜치 각각에 반도체 광증폭기를 가지며, 상기 제1 입력 포트에 상기 제1 브랜치가 연결되며, 상기 제2 입력 포트에 상기 공통 입력단이 연결된 간섭계, 상기 기판 상에서 상기 제1 입력 포트와 상기 제1 브랜치 사이 또는 상기 제2 입력 포트와 상기 공통 입력단 사이에 상기 간섭계와 일체로 단일집적되며 상기 광신호를 입력받아 광학적 주입 잠금에 의해 재생된 광신호를 출력하는 자기-펄스 발진 레이저 다이오드(self-pulsating LD), 및 상기 공통 출력단에 연결된 출력 포트를 포함하여 구성된다.
Abstract translation: 3R（Retiming，Reshaping，Reamplifying）player。 形成的第一输入端口和第二输入端口，即与第一和设置在一个共同的输出级并入从公共输入端子被分支的第二分支，第一输入基板分支光信号上根据本发明的再生器 和第二具有在支路中的半导体光放大器分别和所述第一分支被连接到第一输入端口，该干涉仪是连接到所述第二输入端口的公共输入端子，所述第一输入端口和所述基板上的第二 第二输入端口之间的第一分支或是通过接收所述光信号，脉冲振荡激光二极管的公共输入端与集成的磁性和输出由所述光注入锁定重放的光信号干涉仪之间集成在一块（自 脉动LD，以及连接到公共输出端子的输出端口。
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公开(公告)号：KR100679244B1
公开(公告)日：2007-02-05
申请号：KR1020040100426
申请日：2004-12-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B26/06
CPC classification number: H04B10/299 , G02F2001/211 , G02F2203/70
Abstract: 본 발명은 광통신 시스템에서 광섬유를 통해 전송된 광신호의 왜곡을 보정하기 위한 신호 재생기에 관한 것으로, 서로 다른 길이의 반도체 광증폭기를 구비하며 2R(re-amplifying, re-shaping) 재생하는 비대칭형 마흐-젠더 간섭계와 서로 다른 길이의 광도파로를 구비하는 지연간섭계로 구성되어 제작이 용이하고 초고속 신호의 재생이 가능하다.
신호 재생기, 마흐-젠더 간섭계, 지연간섭계, 반도체 광증폭기, 도파로, 위상조절수단-
公开(公告)号：KR100679240B1
公开(公告)日：2007-02-05
申请号：KR1020040101658
申请日：2004-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/00
CPC classification number: H04B10/516 , H04B2210/517
Abstract: 본 발명은 광통신 시스템에서 제로 복귀형 신호를 비제로 복귀형 신호로 변환하는 신호 변화용 신호 처리기에 관한 것으로, 입력도파로와 출력도파로 사이에 두 개의 2R(re-amplifying, re-shaping) 재생기가 서로 다른 길이의 도파로를 통해 병렬로 연결된다. 상기 2R 재생기는 서로 다른 길이를 갖는 두개의 반도체 광증폭기와, 짧은 길이의 반도체 광증폭기에 연결된 위상조절수단을 포함한다. 상기 도파로의 길이 차이에 의해 입력되는 제로 복귀형 신호가 1비트(bit) 반의 시간차이 만큼 지연되므로 2R 재생된 비제로 복귀형 신호를 얻을 수 있다.
제로 복귀, 비제로 복귀, 2R 재생기, 반도체 광증폭기, 위상조절수단-
74.发明公开
公开(公告)号：KR1020060124310A
公开(公告)日：2006-12-05
申请号：KR1020050046155
申请日：2005-05-31
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/141 , G02B6/12004 , G02B6/1228 , G02B2006/12102 , G02B2006/12107 , G02B2006/12121 , H01S5/0071 , H01S5/026 , H01S5/0654 , H01S5/1014 , H01S5/143 , H01S5/2231
Abstract: A parabolic waveguide-type collimated lens and a tunable external cavity laser diode including the same are provided to enhance performance of a wavelength multiplexing system by integrating a gain medium and a parabolic waveguide-type collimated lens. A semiconductor-based parabolic waveguide-type collimated lens includes an input manual waveguide(401) and a parabolic waveguide-type collimated lens(402). An end of the input manual waveguide and an incident end of the parabolic waveguide-type collimated lens are positioned at a focus F(a,0). The parabolic waveguide-type collimated lens is formed with a pair of symmetrical parabolic waveguides. An initial width(405) of the parabolic waveguide-type collimated lens uses a width of 4a. The magnitude of a parallel beam(403) is determined by a width(406) of the output terminal.
Abstract translation: 提供抛物面波导型准直透镜和包括其的可调谐外腔激光二极管，以通过集成增益介质和抛物面波导型准直透镜来增强波长多路复用系统的性能。 基于半导体的抛物面波导型准直透镜包括输入手动波导（401）和抛物面波导型准直透镜（402）。 输入手动波导的末端和抛物面波导型准直透镜的入射端位于焦点F（a，0）处。 抛物面波导型准直透镜由一对对称的抛物面波导形成。 抛物面波导型准直透镜的初始宽度（405）使用4a的宽度。 平行光束（403）的大小由输出端子的宽度（406）决定。
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公开(公告)号：KR1020060068367A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：KR1020040107030
申请日：2004-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/3434 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/3403 , H01S5/34373
Abstract: 본 발명은 광 반도체 소자에 관한 것으로, 양자우물층과 장벽층으로 구성된 활성층과 클래드층을 구비하는 광 반도체 소자에서 양자우물층과 연달아 장벽층 보다 밴드갭 에너지가 큰 물질로 터널링장벽(tunneling barrier)을 만들어 줌으로써 활성층 내에 전자(electron)와 정공(hole)과 같은 운반자(carrier)들의 가둠효과(confinement effect)를 증대시켜 고온 및 높은 동작 전류 하에서의 구동되는 특성이 개선된 광 반도체 소자를 제공한다.
터널링장벽, SCH, 운반자, 양자우물, 레이저다이오드Abstract translation: 本发明中，在量子阱层和势垒层的有源层和包覆层隧穿到所述光学半导体元件的量子阱层和一个接一个比具有（隧穿势垒）的势垒的势垒层的材料的带隙能量被配置为光学半导体元件 在有源层中增加了电子和空穴等载流子的限制效应，以提供在高温和高工作电流下改善驱动特性的光学半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060061631A
公开(公告)日：2006-06-08
申请号：KR1020040100426
申请日：2004-12-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B26/06
CPC classification number: H04B10/299 , G02F2001/211 , G02F2203/70
Abstract: 본 발명은 광통신 시스템에서 광섬유를 통해 전송된 광신호의 왜곡을 보정하기 위한 신호 재생기에 관한 것으로, 서로 다른 길이의 반도체 광증폭기를 구비하며 2R(re-amplifying, re-shaping) 재생하는 비대칭형 마흐-젠더 간섭계와 서로 다른 길이의 광도파로를 구비하는 지연간섭계로 구성되어 제작이 용이하고 초고속 신호의 재생이 가능하다.
신호 재생기, 마흐-젠더 간섭계, 지연간섭계, 반도체 광증폭기, 도파로, 위상조절수단-
公开(公告)号：KR1020060055667A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：KR1020040094583
申请日：2004-11-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/13
CPC classification number: G02B6/13 , G02B2006/12128 , G02B2006/12173 , G02B2006/12176
Abstract: 본 발명은 반도체 광소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 완충층, 활성층 및 보호층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 보호층 상에 소정의 폭을 가지는 제1 마스크를 형성하는 단계와, 상기 제1 마스크를 식각 마스크로 이용하여 상기 완충층이 노출되도록 상기 보호층 및 상기 활성층을 순차적으로 식각하는 단계와, 상기 제1 마스크를 제거한 후 식각된 상기 활성층, 상기 보호층 및 상기 완충층의 일부분을 피복하여 상기 활성층 및 상기 보호층보다 넓은 폭을 갖는 제2 마스크를 형성하는 단계와, 상기 제2 마스크로 피복되지 않은 곳에만 선택적으로 제1 전류차단층 및 제2 전류차단층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 제2 마스크를 제거한 후 상기 결과물의 전체 상부면에 클래드층 및 콘택층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함함으로써, 종래의 기술보다 추가적인 공정이 단순하여 전기적 특성의 향상뿐만 아니라 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
반도체 광소자, 선택적 성장, 전류차단층, 반절연성, p/n 동종접합면, 활성층, 마스크, 클래드층-
公开(公告)号：KR100520796B1
公开(公告)日：2005-10-13
申请号：KR1020030072957
申请日：2003-10-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/5009 , H01S5/1014 , H01S5/2206 , H01S5/227 , H01S5/3213 , H01S2301/173 , H01S2301/18
Abstract: 본 발명은 이중 도파로 구조의 모드 변환기가 집적된 평면 매립형 반도체 광 증폭기의 제조 방법에 관한 것으로, 기판 상에 하부 클래딩층, 하부 도파로층 및 상부 클래딩층을 성장시킨 후 절연막 패턴을 이용한 식각 공정으로 상기 상부 클래딩층, 하부 도파로층 및 하부 클래딩층의 일부 두께를 패터닝하여 하부 도파로를 형성하는 단계와, 상기 하부 클래딩층, 하부 도파로층 및 상부 클래딩층의 식각된 부분에 평탄화층을 성장시켜 표면을 평탄화하는 단계와, 상기 절연막 패턴을 제거한 후 전체 상부면에 공간층, 상부 도파로층 및 제 1 클래딩층을 성장시키는 단계와, 유전체 패턴을 이용한 식각 공정으로 상기 제 1 클래딩층, 상부 도파로층 및 공간층을 패터닝하여 수평 테이퍼 영역을 갖는 상부 도파로를 형성하는 단계와, 상기 상부 도파로의 제 1 � �래딩층, 상부 도파로층 및 공간층의 식각된 부분에 제 1 전류 차단층을 성장시킨 후 상기 유전체 패턴을 제외한 부분의 노출된 제 1 전류 차단층 상에 제 2 전류 차단층을 성장시키는 단계와, 상기 유전체 패턴을 제거한 후 전체 상부면에 제 2 클래딩층을 형성하고, 상기 제 2 클래딩층과 상기 기판에 각각 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR100494225B1
公开(公告)日：2005-06-13
申请号：KR1020030029440
申请日：2003-05-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/32
Abstract: 본 발명은 광소자 및 광소자의 제조 방법에 관한 것으로, 능동 도파로와 수동 도파로가 집적된 광소자에 있어서, 수동 도파로에 도핑되지 않은 클래딩막을 형성함으로써, 수동 도파로의 광 도파 손실을 줄일 수 있고, 능동 도파로의 전류 누설을 방지하기 위한 별도의 패시베이션막 형성공정을 생략할 수 있는 광소자 및 광소자의 제조 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR100471381B1
公开(公告)日：2005-03-10
申请号：KR1020020083055
申请日：2002-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/12
Abstract: 본 발명은 능동 광소자와 수동 광소자의 집적 방법 및 그 소자에 관한 것으로, 한 기판에 서로 다른 수직 층 구조를 가지면서 다른 형태의 도파로 들이 집적된 능동 광소자와 수동 광소자의 집적 방법에 있어서, 능동 소자의 베리드 리지(buried ridge) 도파로 중심부를 식각할 때 베리드 리지와 연결된 수동 도파로 끝에 스트립 로디드(strip loaded) 형태로 변화시킬 수 있는 테이퍼를 형성하는 단계, 테이퍼를 재성장으로 덮는 단계 및 베리드 리지 도파로의 끝에 있는 테이퍼와 정렬하여 테이퍼로 끝나는 스트립 로디드 형태의 도파로를 식각으로 형성하는 단계를 포함한다. 따라서, 능동 소자에 사용되는 베리드 리지(buried ridge) 도파로와 수동 소자에 사용되는 리지(ridge) 또는 스트립 로디드(strip loaded) 도파로의 제작 공정이 분리되어 집접화된 소자의 제작에서 개별 도파로의 최적화된 제작 공정을 사용할 수 있다.
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