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    다층레지스트를 이용한 자기정합형 갈륨비소 전계효과트랜지스터의 제조방법
    74.
    发明授权
    다층레지스트를 이용한 자기정합형 갈륨비소 전계효과트랜지스터의 제조방법 失效
    使用多层照相电阻的自对准GAAS FET的制造方法

    公开(公告)号：KR1019910005400B1

    公开(公告)日：1991-07-29

    申请号：KR1019880011473

    申请日：1988-09-05

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 심규환 ,  최영규 ,  양전욱 ,  이진희 ,  강진영

    IPC: H01L29/78

    CPC classification number: H01L29/66878 ,  H01L21/28587 ,  Y10S148/10 ,  Y10S438/951

    Abstract: The melthod comprises the steps of applying a multi-layer photoresist on a GaAs wafer (101), reduction-transferring a shape of the upper layer of photoresist (109) to the intermediate layer of photoresist (107) and depositing an oxide film (108) transferring a shape of gate to the lower layer of photoresist (105), lateral-etching the photoresist (105) and depositing a tungsten silicide film (113); and forming a T type gate (114), a Si ion implant layer (115), an oxide film (117) and a metallic wire (118).

    Abstract translation: 熔融法包括以下步骤：在GaAs晶片（101）上施加多层光致抗蚀剂，将光致抗蚀剂（109）的上层的形状还原转移到光致抗蚀剂（107）的中间层，并沉积氧化膜（108 ）将栅极的形状转移到光致抗蚀剂（105）的下层，横向蚀刻光致抗蚀剂（105）并沉积硅化钨膜（113）; 以及形成T型栅极（114），Si离子注入层（115），氧化膜（117）和金属线（118）。

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