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    CIRCUIT INTEGRE COMPORTANT UNE STRUCTURE ANTIFUSIBLE, ET PROCEDE DE REALISATION
    71.
    发明专利
    CIRCUIT INTEGRE COMPORTANT UNE STRUCTURE ANTIFUSIBLE, ET PROCEDE DE REALISATION 未知

    公开(公告)号：FR3058567B1

    公开(公告)日：2019-01-25

    申请号：FR1660777

    申请日：2016-11-08

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： FORNARA PASCAL ,  RIVERO CHRISTIAN

    IPC: H01L27/11 ,  H01L21/82 ,  H01L23/525 ,  H05K1/16

    Abstract: Le circuit intégré comprend, au dessus d'un substrat, une partie d'interconnexion, comportant plusieurs niveaux de métallisation séparés par une région isolante (RIS). Le circuit intégré comprend en outre au sein de ladite partie d'interconnexion,, au moins une structure antifusible (STR), enrobée dans une partie de ladite région isolante (RIS), la structure antifusible comportant une poutre (PTR) maintenue en deux endroits différents par deux bras (BR1A, BR1B), un corps (BTA) et une zone isolante antifusible (ZSF), la poutre (PTR), le corps (BTA) et les bras (BR1A, BR1B) étant métalliques et situés au sein d'un même niveau de métallisation, ledit corps et ladite poutre étant mutuellement en contact par l'intermédiaire de ladite zone isolante antifusible (ZSF) configurée pour être claquée en présence d'une différence de potentiel de claquage entre ledit corps et ladite poutre.

    DISPOSITIF CAPACITIF COMMANDABLE INTEGRE
    73.
    发明专利
    DISPOSITIF CAPACITIF COMMANDABLE INTEGRE 未知

    公开(公告)号：FR3022691A1

    公开(公告)日：2015-12-25

    申请号：FR1455792

    申请日：2014-06-23

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： FORNARA PASCAL ,  RIVERO CHRISTIAN

    IPC: H01L45/00 ,  H01G5/18

    Abstract: Le circuit intégré comprend au-dessus d'un substrat une partie (RITX) comportant plusieurs niveaux de métallisation séparés par une région isolante, et au sein de ladite partie, au moins un logement creux (LGT) dont les parois comportent des portions métalliques réalisées au sein de différents niveaux de métallisation. Un dispositif capacitif commandable (DIS) comporte une structure métallique suspendue (1) située dans le logement creux au sein d'un premier niveau de métallisation (M3) comportant un premier élément fixé sur deux zones de fixation du logement et au moins un deuxième élément s'étendant en porte à faux à partir du premier élément et comportant une première électrode du dispositif capacitif. Une deuxième électrode comporte un premier corps fixe (20) situé à un deuxième niveau de métallisation (M2) adjacent au premier niveau de métallisation (M3) en regard de ladite première électrode, le premier élément étant commandable en flexion à partir d'une zone de commande de ce premier élément de façon à modifier la distance entre les deux électrodes.

    TRANSISTOR NMOS A REGION ACTIVE A CONTRAINTES EN COMPRESSION RELACHEES
    76.
    发明专利
    TRANSISTOR NMOS A REGION ACTIVE A CONTRAINTES EN COMPRESSION RELACHEES 未知

    公开(公告)号：FR3007196A1

    公开(公告)日：2014-12-19

    申请号：FR1355478

    申请日：2013-06-13

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  BOUTON GUILHEM ,  FORNARA PASCAL

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/772

    Abstract: Le circuit intégré, comprenant un substrat (1) et au moins un composant défavorablement sensible aux contraintes en compression (TRN) disposé au moins partiellement au sein d'une région active (10) du substrat (1) limitée par une région isolante (2), et une région isolante supplémentaire (4) comportant une couche isolante inférieure en compression (40) disposée au-dessus du composant, de la région active et de la région isolante. Le circuit intégré comprend en outre au moins une excroissance (12) disposée au-dessus d'au moins une partie de ladite région isolante (2) et en-dessous de ladite couche isolante inférieure en compression (40).

    DISPOSITIF DE COMMUTATION INTEGRE ELECTRIQUEMENT ACTIVABLE
    77.
    发明专利
    DISPOSITIF DE COMMUTATION INTEGRE ELECTRIQUEMENT ACTIVABLE 未知

    公开(公告)号：FR3006808A1

    公开(公告)日：2014-12-12

    申请号：FR1355221

    申请日：2013-06-06

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  FORNARA PASCAL ,  DI-GIACOMO ANTONIO ,  ARRAZAT BRICE

    IPC: H01L27/02 ,  B81B3/00 ,  H01L23/58 ,  H01L27/24

    Abstract: Le circuit intégré comprend au dessus d'un substrat une partie d'interconnexion (RITX) comportant plusieurs niveaux de métallisation séparés par une région isolante. Le circuit intégré comprend en outre au sein de ladite partie d'interconnexion, un dispositif de commutation électriquement activable (DIS) comportant dans une cavité d'un logement (LGT) un ensemble (1) incluant une poutre (PTR) maintenue par une structure (STR) solidaire du logement, la poutre et la structure étant métalliques et situées au sein d'un même niveau de métallisation, les emplacements de fixation (EMP11-EMP22) de la structure sur la poutre étant agencés de façon à définir pour la poutre un point de pivot (O) situé entre ces emplacements de fixation, la structure étant sensiblement symétrique par rapport à la poutre et par rapport à un plan perpendiculaire à la poutre en l'absence d'une différence de potentiel appliquée sur la structure, ladite poutre étant apte à pivoter dans un premier sens en présence d'une première différence de potentiel appliquée entre une première partie (BR11, BR22) de la structure et à pivoter dans un deuxième sens en présence d'une deuxième différence de potentiel appliquée entre une deuxième partie (BR12, BR21) de la structure.

    ELEMENT D'ECOULEMENT DE CHARGES ELECTRIQUES
    78.
    发明专利
    ELEMENT D'ECOULEMENT DE CHARGES ELECTRIQUES 未知

    公开(公告)号：FR2994020A1

    公开(公告)日：2014-01-31

    申请号：FR1257354

    申请日：2012-07-30

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： MARINET FABRICE ,  FORNARA PASCAL

    IPC: H01G17/00 ,  G04G99/00 ,  H01L27/00

    Abstract: L'invention concerne une élément (C3') d'écoulement de charges électriques comportant, sur un support isolant (23), un empilement d'une première électrode (18'), d'une couche diélectrique (ONO, G01) dont au moins une portion (29) est adaptée à laisser circuler des charges par effet tunnel, et d'une seconde électrode (17), dans lequel au moins une des électrodes (18') est en silicium polycristallin non dopé.

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