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公开(公告)号：CN101625946B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200810068374.1
申请日：2008-07-09
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2203/0232 , H01J2203/0236 , H01J2329/0455 , H01J2329/463 , H01J2329/4634
Abstract: 一种电子发射器件，其包括：一绝缘基底；多个平行且等间隔排列的第一电极与多个平行且等间隔排列的第二电极设置于绝缘基底上，每两个相邻的第一电极与每两个相邻的第二电极形成一个网格；以及多个电子发射单元分别对应设置于每个网格内；其中，每个电子发射单元中包括两个相对设置的电子发射体，该两个电子发射体分别与第一电极和第二电极电连接，每个电子发射体包括一碳纳米管阵列片断。
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公开(公告)号：CN101874281A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200880117766.0
申请日：2008-11-26
Applicant: 纳幕尔杜邦公司
CPC classification number: H01J1/304 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J29/467 , H01J31/127 , H01J63/02 , H01J2203/0272 , H01J2329/4673 , H01J2329/4691
Abstract: 本发明涉及具有抗紫外绝缘介电层(3.4)的场发射阴极组件。
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公开(公告)号：CN101840822A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010145409.4
申请日：2010-03-19
Applicant: 双叶电子工业株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , H01J3/021 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2203/022 , H01J2329/4617
Abstract: 本发明提供一种冷阴极电子源的制造方法及冷阴极电子源，提供能以简单的步骤对某种程度的面积以一次进行加工的冷阴极电子源的制造方法。本发明的冷阴极电子源的制造方法为在衬底(1)上重叠阴极电极(2)、绝缘层(4)及栅极电极(5)，以溶剂溶解不会相溶的聚合物A、B并使其被覆在栅极电极的表面。使溶剂蒸发而将聚合物A以微粒子状析出在聚合物B中并予以固定化，再以显影液去除聚合物A而形成蚀刻孔洞(9)，并进行蚀刻而在栅极电极形成孔洞(6)。并且，从孔洞(6)进行蚀刻而在绝缘层也形成孔洞，在孔洞内形成射极而作成冷阴极电子源(10)。
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公开(公告)号：CN101625946A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810068374.1
申请日：2008-07-09
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2203/0232 , H01J2203/0236 , H01J2329/0455 , H01J2329/463 , H01J2329/4634
Abstract: 一种电子发射器件，其包括：一绝缘基底；多个平行且等间隔排列的第一电极与多个平行且等间隔排列的第二电极设置于绝缘基底上，每两个相邻的第一电极与每两个相邻的第二电极形成一个网格；以及多个电子发射单元分别对应设置于每个网格内；其中，每个电子发射单元中包括两个相对设置的电子发射体，该两个电子发射体分别与第一电极和第二电极电连接，每个电子发射体包括一碳纳米管阵列片断。
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公开(公告)号：CN101499391A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200810066038.3
申请日：2008-02-01
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/127 , H01J3/021 , H01J3/027 , H01J29/467 , H01J2203/0232 , H01J2329/463
Abstract: 一种电子发射装置，包括一阴极装置及一栅极，该栅极与该阴极装置间隔设置并与该阴极装置电绝缘，其中，所述栅极为一碳纳米管层。一种采用上述电子发射装置的显示装置，包括一阴极装置，一与阴极装置相对设置的阳极装置，一栅极设置在该阴极装置与该栅极装置之间，并与该阴极装置和该阳极装置间隔，其中，所述栅极包括一碳纳米管层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100521061C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200410056695.1
申请日：2004-08-12
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J9/148 , H01J29/481 , H01J2201/30469
Abstract: 提供一种含有碳纳米管发射极的场发射显示器(FED)及其制造方法。围绕CNT发射极的栅极叠层包括覆盖邻近CNT发射极的发射极电极的掩模层，以及形成在掩模层上的栅极绝缘膜、栅电极、第一氧化硅膜(SiOX，X＜2)和聚焦栅电极。第一氧化硅膜的厚度为2μm或更大，并且优选3～15μm。用于形成第一氧化硅膜和/或栅极绝缘膜的硅烷和硝酸的流速分别保持在50～700scmm和700～4，500sccm。
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公开(公告)号：CN100459018C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200510074115.6
申请日：2005-04-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J31/127
Abstract: 一种电子发射装置，包括相互面对的第一和第二基板，形成在第一基板上的第一和第二电极和电子发射区域，和形成在第二基板上的阳极和磷光体层。在第一和第二基板之间布置校正电极，校正电极包括带有分布在电子发射区域一侧的梳齿部分的第一子电极，和带有分布在电子发射区域相对侧的梳齿部分的第二子电极。防止了由于在装配过程中第一和第二基板之间的不重合或者由于在热处理过程中第一和第二基板的收缩/扩张差别造成的所发射电子在每一个相应像素上降落特性的恶化，由此提高亮度和色表现度的一致性。本发明还涉及驱动该电子发射装置的方法。
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公开(公告)号：CN101060056A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710105343.4
申请日：2007-03-23
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
CPC classification number: C03C17/34 , B32B17/06 , C03C3/066 , C03C4/16 , C03C8/04 , C03C17/3411 , H01J3/021 , H01J9/02 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2203/0268 , H01J2329/4669
Abstract: 本发明公开了一个厚膜类电介质，它有着对基材的理想粘着性和良好的绝缘性。本发明的电介质包括由感光成分制成的下层电介质和由感光成分制成并形成于所述下层电介质之上的上层电介质。用作所述下层电介质的初级玻璃粉末的软化点(T1)、用作所述上层电介质的初级玻璃粉末的软化点(T2)和所述初级玻璃粉末的烧成温度(T3)满足以下关系：T1＜T3＜T2＜T3+30℃。
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公开(公告)号：CN101026074A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710084952.6
申请日：2007-02-17
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J2203/0204 , H01J2203/022 , H01J2203/0248 , H01J2329/041 , H01J2329/4617 , H01J2329/4647
Abstract: 本发明公开了一种电子发射装置，其包括基板，形成在所述基板上的第一电极，电连接到所述第一电极的电子发射区域，以及位于所述第一电极之上的第二电极，使得所述第二电极与所述第一电极绝缘。所述第二电极含有开口以暴露所述电子发射区域。第三电极位于所述第二电极之上使得所述第三电极与所述第二电极绝缘。所述第三电极含有与所述第二电极的开口连通的开口。各个所述电子发射区域和所述第二电极同时满足以下条件：D2/D1≤0.579(1)，以及D2≥1μm(2)，其中D1表示所述第二电极的每个开口的宽度，D2表示每个所述电子发射区域的宽度。
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公开(公告)号：CN1877779A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610081022.0
申请日：2006-05-19
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 李相辰
CPC classification number: H01J3/021 , H01J29/467 , H01J31/127 , H01J63/02 , H01J2329/4613
Abstract: 一种电子发射装置包括：基板、在该基板上沿该基板的一个方向形成的阴电极、横跨阴电极并插入绝缘层的栅电极、在该栅电极和绝缘层上形成的开口、以及位于阴电极上的各开口内的电子发射区。每个栅电极包括主体、围绕各电子发射区并从该主体以一定距离隔开的隔离部分、以及互连至少其中一个隔离部分和该主体的连接器。该连接器被选择性地去除，以使得至少其中一个隔离部分与主体电绝缘，从而提高每个像素的发光均匀度。
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