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公开(公告)号：CN104465769A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410482814.3
申请日：2014-09-19
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0696 , H01L29/401 , H01L29/407 , H01L29/41708 , H01L29/41741 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/7397 , H01L29/7811
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其为沟槽栅型的半导体装置，能够低价制造且反馈电容被减小。半导体装置具备：层叠有第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域以及第四半导体区域的半导体基板；绝缘膜，其配置在从第四半导体区域上表面延伸并贯通第四半导体区域和第三半导体区域而到达第二半导体区域的槽的内壁上；控制电极，其在槽的侧面与第三半导体区域的侧面对置配置在绝缘膜上；第一主电极，其与第一半导体区域电连接；第二主电极，其与第三半导体区域和第四半导体区域电连接；底面电极，其与第二主电极电连接，在俯视观察时，槽的延伸方向的长度在槽的宽度以上，而且，槽的宽度比相邻的槽之间的间隔宽。
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公开(公告)号：CN104254909A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201380021910.1
申请日：2013-04-24
CPC classification number: H01L24/83 , B23K37/0426 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/75 , H01L24/97 , H01L2224/04026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05639 , H01L2224/2732 , H01L2224/291 , H01L2224/29118 , H01L2224/29144 , H01L2224/75101 , H01L2224/75305 , H01L2224/7531 , H01L2224/75314 , H01L2224/75315 , H01L2224/75317 , H01L2224/7532 , H01L2224/75756 , H01L2224/7598 , H01L2224/75981 , H01L2224/83022 , H01L2224/83048 , H01L2224/83075 , H01L2224/83101 , H01L2224/832 , H01L2224/83211 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/97 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1037 , H01L2924/1067 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/15724 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/3656 , H05K3/34 , H05K3/3431 , H05K13/0465 , H05K2203/0195 , H05K2203/0278 , H01L2924/00 , H01L2924/0542 , H01L2924/0103 , H01L2924/00014 , H01L2924/01042 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/01013 , H01L2224/05655 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L24/95
Abstract: 本发明的隔热负荷夹具(11)在电路基板(12)和半导体芯片(13)之间夹着在半导体芯片(13)的耐热温度～100℃以下的范围内具有熔点或固相线温度的焊料材料(14)，在该状态的半导体芯片(13)的上部设置热绝缘体(17)，在热绝缘体(17)的上部配置金属锤(16)，在使焊料材料(14)熔解而固化的期间，对半导体芯片(13)施加负荷。
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公开(公告)号：CN104242755A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410242517.1
申请日：2014-06-03
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02P8/12
Abstract: 本发明提供电动机驱动装置和功率模块，其处理容易且能够以简单的结构控制绕组电流。电动机驱动装置按照使流过构成电动机的绕组的电流增加的第1模式、使所述电流以第1衰减率衰减的第2模式、以及使所述电流以比所述第1衰减率小的第2衰减率衰减的第3模式来驱动所述电动机，经由规定的最小时间以上，按照所述第1模式来驱动所述电动机，在按照所述第1模式进行的驱动后的所述电流是第2基准值以上时，按照所述第2模式来驱动所述电动机，在按照所述第1模式进行的驱动结束时的所述电流是小于所述第2基准值的第1基准值以上且小于所述第2基准值时，按照所述第3模式来驱动所述电动机。
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公开(公告)号：CN102201401B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201010195156.1
申请日：2010-05-31
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 志贺利贵
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L23/4952 , H01L23/49568 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49111 , H01L2224/49112 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供半导体装置。其课题在于低成本地得到减小了噪声的不良影响从而提高了可靠性的半导体装置。引线端子(21～24)均作为功率半导体芯片(11)中与流过开关电流的主电极的一方连接的端子(D)。设置在第2侧面侧的引线端子(25)作为与该主电极的另一方连接的端子(S)。设置在第2侧面侧的引线端子(28)是输入控制用IC芯片(12)的控制信号的端子(FB)。设置在引线端子(25)与引线端子(28)之间的引线端子(26、27)分别是端子(Vcc)、端子(GND)。在该结构中，引线端子(26)及与其相连的键合线(50)所处的场所、以及引线端子(27)及与其相连的第2散热板(32)所处的场所的电位恒定，发挥抑制开关噪声传播的噪声屏蔽的功能。
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公开(公告)号：CN102244173B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110108031.5
申请日：2011-04-28
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 松尾哲二
Abstract: 本发明获得可高效率取出光的发光元件及其制造方法。发光二极管(20)由Si基板(21)和通过外延生长形成在其上的半导体层形成。该半导体层由n型GaN层(n型半导体层)(22)和p型GaN层(p型半导体层)(23)构成。在该发光二极管(20)的侧面邻接形成有透光性绝缘层(30)。在该结构中，发光二极管(20)和透光性绝缘层(30)的上表面都由公共的透明电极(42)覆盖。在透明电极(42)中的透光性绝缘层(30)上的区域内形成有电极焊盘(43)。由于电极焊盘(43)不形成在发光二极管(20)上，因而光不会由电极焊盘(43)或者连接在电极焊盘(43)上的接合线或钎焊接合的配线等遮挡。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102545575B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201110432267.4
申请日：2011-12-21
Applicant: 三垦电气株式会社
CPC classification number: H02M1/36 , Y10S323/901
Abstract: 本发明提供能够降低为了实现构成起动电路的JFET的夹断维持而产生的电力损失的起动电路、开关电源用IC以及开关电源装置。起动电路具有：MOSFET，其连接在起动电源(电源电容器)与基于平滑电容器的辅助电源之间，在平滑电容器中流过基于起动电源的起动电流；JFET，其漏极端子与MOSFET的漏极端子连接，源极端子经由电阻与MOSFET的栅极端子连接；以及夹断电压控制部(可变电压源)，其在起动时将JFET的夹断电压控制成为第1基准电压值，在起动后将JFET的夹断电压控制成为小于第1基准电压值的值即第2基准电压值。
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公开(公告)号：CN102377337B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201110237038.7
申请日：2011-08-18
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 中村胜
IPC: H02M3/155
CPC classification number: H02M3/1588 , H02M2001/0025 , Y02B70/1466
Abstract: 本发明提供可改善轻负载时的效率，即使在利用ESR小的输出电容器的情况下也能稳定动作，且负载调节特性良好的开关电源装置。开关电源装置具有：高边MOSFET(11)；斜波发生器(18)，其生成斜波信号；振幅信号生成部(第2反馈控制电路(2))，其生成与斜波信号的振幅对应的振幅信号(Comp)；第1反馈控制电路(1)，其根据斜波信号、反馈信号(FB)和第1基准电压(REF)控制高边MOSFET的导通定时，并且，根据振幅信号控制高边MOSFET的导通宽度，斜波发生器控制斜波信号的斜率，以使斜波信号的振幅维持预定值，第1反馈控制电路进行控制使得高边MOSFET的导通宽度不低于预先设定的限制值。
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公开(公告)号：CN103794574A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310367326.3
申请日：2013-08-21
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置在制造半导体装置时能够防止树脂材料从引线框的彼此相邻的岛部之间的间隙不必要地流出。半导体装置具有：金属制基板（12）；位于金属制基板（12）上并进行热硬化而成的电气绝缘性的下层树脂（15s）；位于下层树脂（15s）上并进行热硬化而成的上层树脂（16s）；位于上层树脂（16s）上，并具有彼此相邻的岛部（30a、30b）的引线框（18）；以及配置于岛部（30）上的半导体元件（22）。在下层树脂（15s）的热硬化反应完成后，上层树脂（16s）的热硬化反应完成。而且，上层树脂（16s）的一部分进入除去岛部（30a、30b）的上层树脂（16s）侧的部分中彼此面对的相对边部（32a、32b）而成的除去空间（S）内。
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公开(公告)号：CN103748680A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201280041403.X
申请日：2012-05-25
Applicant: 三垦电气株式会社
CPC classification number: H01L28/10 , H01F2027/2819 , H01L23/48 , H01L25/0655 , H01L2924/0002 , H05K1/0239 , H05K1/165 , H05K2201/09672 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置，具备：搭载于基体的第一及第二半导体芯片；搭载于基体，输出控制第一及第二半导体芯片的动作的控制信号的第三半导体芯片；搭载于基体，接收侧端子和第三半导体芯片连接且发送侧端子和第一半导体芯片连接的第一发送变压器；以及搭载于基体，接收侧端子与第三半导体芯片连接且发送侧端子和第二半导体芯片连接的第二发送变压器，分别通过第一发送变压器和第二发送变压器，从第三半导体芯片向第一半导体芯片和第二半导体芯片发送控制信号。
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公开(公告)号：CN102377344B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110222953.9
申请日：2011-08-04
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 中村胜
IPC: H02M3/158
CPC classification number: H02M3/156 , H02M2001/0032 , Y02B70/16
Abstract: 本发明提供即使在利用ESR小的输出电容器的情况下也能稳定动作且负载调节特性良好的开关电源装置。开关电源装置具有：高边MOSFET(11)，与输入电压连接；斜波发生器(18)，生成与高边MOSFET的开关频率同步的斜波信号；振幅信号生成部(2)，生成与斜波信号的振幅对应的振幅信号(Comp)；叠加电路(3)，生成与斜波信号的振幅和频率对应的具有正斜率的第2斜波信号，并使生成的第2斜波信号与第1基准电压叠加而生成叠加信号；第1反馈控制电路(1)，控制高边MOSFET的导通定时和导通宽度；重负载骤变检测部(23)，检测从轻负载变化到重负载的情况，并在检测到的时候控制成扩大高边MOSFET的导通宽度。
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