公开(公告)号：CN213936113U

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202023250816.X

申请日：2020-12-29

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 马冬叶 ,  连增迪 ,  陈煌琳

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本实用新型提供了一种等离子体处理装置气体供应系统，包括歧管、位于歧管支路上的控制箱和位于歧管干路上的调节箱，利用调节箱的物态变化稳定气体管路中的气体压力。借助不同规格的存气罐，对管路中气体流量的大幅变化起到缓冲作用。在管路外壁还设置有加热装置，防止低压气体的液化导致的堵塞。同时将干路的内径增加，也起到了一定的缓冲作用。该系统可以提供稳定的气体压力平衡，抗扰能力突出，对于持续保持等离子体反应时气体的比例具有显著效果，此外，相比从厂务端单独向反应腔接通输气管线，本实用新型的气体供应系统节省了成本，降低了厂务端的管路占地空间。

公开(公告)号：CN212934548U

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202022000711.2

申请日：2020-09-14

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 吴狄 ,  连增迪 ,  陈煌琳 ,  左涛涛 ,  裴江涛

IPC: H01J37/32

Abstract: 本实用新型公开一种静电装置及其所在的基片处理系统，所述基片处理系统包含等离子体处理装置、传输腔及静电装置，所述传输腔内有传输机械手，所述静电装置用于产生吸附静电以吸附所述等离子体处理装置中的真空反应腔中的边缘环，并通过所述传输机械手将所述边缘环移入或移出所述真空反应腔，实现在不打开所述真空反应腔的情况下置换所述边缘环。本实用新型结构简单，操作方便，极大地降低了基片处理系统的维护成本。

公开(公告)号：CN220585183U

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202321355536.6

申请日：2023-05-30

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 王恒阳 ,  连增迪

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本实用新型提供一种接地环组件、上电极组件及边缘刻蚀设备。所述接地环组件包括接地环和匀气环，其中，所述匀气环与所述接地环同心设置，所述匀气环构成供应工艺气体的气体通道的至少一部分，并且所述匀气环采用多孔材料制成。本实用新型能够使工艺气体在匀气环的孔隙中均匀扩散，从而使流入到反应空间的工艺气体均匀扩散到晶圆边缘，使晶圆边缘刻蚀均匀。

公开(公告)号：CN218783000U

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202222020884.X

申请日：2022-08-02

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 连增迪 ,  倪图强 ,  左涛涛

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 一种半导体处理设备及其聚焦环加热装置，半导体处理设备包括一真空反应腔，真空反应腔内设有用于支撑待处理基片的静电吸盘，环绕静电吸盘设置一聚焦环和一插入环，插入环设置在聚焦环下方，在所述聚焦环内部或所述聚焦环下方设置一加热器，用于将热量传输至聚焦环，加热器与聚焦环之间设置第一导热衬垫，加热器与插入环之间设置第二导热衬垫，第一导热衬垫的导热系数大于等于第二导热衬垫的导热系数。本实用新型通过选用不同材料、厚度和导热系数的导热衬垫，实现对聚焦环的优化升温和优化降温，从而调节基片中心和边缘的温度差异，获得均匀的基片处理结果，提高了产品良率。

公开(公告)号：CN213845217U

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202022830318.6

申请日：2020-11-30

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 裴江涛 ,  左涛涛 ,  连增迪 ,  吴狄 ,  陈煌琳

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 本实用新型公开了一种等离子体处理装置及其末端执行器、边缘环。所述等离子体处理装置的反应腔内设有用来承载晶圆的基座；环绕基座外侧设置的边缘环，设有容纳部用来与末端执行器相配合；所述末端执行器包括运载晶圆的晶圆承载部和运载所述边缘环的边缘环承载部；所述末端执行器穿过反应腔腔壁的开口进出所述反应腔。本实用新型中所述等离子体处理装置的末端执行器能够同时运载晶圆和边缘环进出反应腔，也能够单独运载晶圆进出反应腔进行传片，或单独运载边缘环进出反应腔进行边缘环更换。本实用新型实现了在不打开反应腔的情况下更换边缘环，显著地提高了设备工作效率，节省了大量的人力和时间，有效地降低了设备的使用成本。

公开(公告)号：CN212182268U

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202021431098.3

申请日：2020-07-20

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 连增迪 ,  左涛涛 ,  吴狄 ,  倪图强

IPC: H01J37/32

Abstract: 本实用新型公开一种等离子体处理装置，反应腔内设置基座，用于向反应腔内输送气体的气体供应装置包含气体总管道和多路气体分流输送管路，气体总管道上设置一前端压力传感器，每路气体分流输送管路上分别设置一流量控制阀和一后端压力传感器，后端压力传感器用于监测该路气体分流输送管路上流量控制阀输出端的压力，流量控制阀通过调节自身阀开度控制该路分流输送管路上的气体流量，并保证前端压力传感器测得的压力值大于或等于任一后端压力传感器测得的压力值的两倍。本实用新型的多路气体分流输送管路能准确地按照比例向反应腔内输送反应气体；能实现1分2路、1分3路甚至1分更多路；流量控制速度快、控制结果准确，结构简单，成本低。