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公开(公告)号：CN102513920A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110447907.9
申请日：2005-10-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B37/20 , B24B37/005 , B24B37/10 , B24B37/105 , B24B37/30 , B24B37/32 , B24B47/22 , B24B49/00 , B24B49/16
Abstract: 抛光设备(1)具有抛光垫(22)、用于夹持半导体晶片(W)的顶环(20)、可操作地沿垂直方向移动顶环(20)的垂直运动机构(24)、当顶环(20)的下表面接触抛光垫(22)时可操作地检测顶环(20)的距离测量传感器(46)、可操作地基于距离测量传感器(46)检测到的位置计算顶环(20)抛光半导体晶片(W)的最佳位置的控制器(47)。垂直运动机构(24)包括可操作地将顶环(20)移动到最佳位置的滚珠丝杆机构(30，32，38，42)。
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公开(公告)号：CN102186627A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980141563.X
申请日：2009-08-07
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/20 , B24B37/005 , B24B37/042 , B24B37/32 , B24B49/10 , B24B49/12
Abstract: 一种抛光方法，用于将诸如半导体晶片的衬底抛光至平坦镜面光洁度。通过抛光装置实施抛光衬底的方法，该抛光装置包括具有抛光表面的抛光台(100)、用于保持衬底并将衬底压抵抛光表面的顶圈(1)以及用于沿垂直方向移动顶圈(1)的可垂直移动机构(24)。在衬底压抵抛光表面之前，顶圈(1)移动至第一高度，且接着在衬底压抵抛光表面之后，顶圈(1)移动至第二高度。
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公开(公告)号：CN101096077B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200710136812.9
申请日：2002-12-06
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本涉及一种在研磨半导体晶片等基板后进行平坦化的抛光装置中保持该基板(W)并按压在研磨面上的基板保持装置。本发明的基板保持装置具备内部具有容纳空间的顶圈(top ring)主体(2)、和可在顶圈主体的容纳空间内上下运动的上下运动部件(206)，在上下运动部件的下表面上装配具备弹性膜的相接部件(209)，相接部件的弹性膜(291)具备在具有向外凸出的外延凸缘(291a)的同时直接或间接相接于基板的相接部(291b)：和从相接部的外延凸缘基部(291d)向上延伸并连接于上下运动部件的连接部(291c)，连接部由比相接部更富伸缩性的材质形成。
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公开(公告)号：CN100566938C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200380107815.X
申请日：2003-12-26
Abstract: 一种基片抛光方法，其中，由基片保持机构保持着的将要被抛光的基片被推压在抛光台的抛光面上，同时抛光液被供应到所述抛光面上，所述基片通过基片和抛光面之间的相对运动而被抛光。在所述基片的抛光过程中，所述基片的温度被维持在从40℃至65℃的范围内。
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公开(公告)号：CN100513076C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN02810852.3
申请日：2002-05-29
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 户川哲二
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/30 , H01L21/3212
Abstract: 一种抛光装置，包括：第一抛光台，具有第一抛光表面；基片托板，用于夹持基片，并将基片定位，使基片的一个表面与第一抛光表面接触；加压装置，用于使基片的表面压贴在第一抛光表面上，该基片已经由基片托板将其与第一抛光表面接触；保持环，安装在基片托板上，环绕基片设置，该基片已经被加压装置压贴在第一抛光表面上；和保持环位置调节装置，用于使保持环相对于基片沿朝向或远离第一抛光表面的方向可调节地定位，该基片已经被压贴在第一抛光表面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100501930C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN03805564.3
申请日：2003-03-05
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , F26B5/04 , F26B5/08
CPC classification number: H01L21/67034 , F26B5/04 , F26B25/063 , H01L21/02052 , H01L21/3105 , H01L21/31695
Abstract: 脱水干燥方法脱水和干燥衬底。在不旋转的情况下脱水和干燥衬底(15)同时衬底(15)容纳在用来在用于执行一些处理的装置间承载衬底(15)的载体(10)中。
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公开(公告)号：CN100466191C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200580037559.0
申请日：2005-10-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
Abstract: 抛光设备(1)具有抛光垫(22)、用于夹持半导体晶片(W)的顶环(20)、可操作地沿垂直方向移动顶环(20)的垂直运动机构(24)、当顶环(20)的下表面接触抛光垫(22)时可操作地检测顶环(20)的距离测量传感器(46)、可操作地基于距离测量传感器(46)检测到的位置计算顶环(20)抛光半导体晶片(W)的最佳位置的控制器(47)。垂直运动机构(24)包括可操作地将顶环(20)移动到最佳位置的滚珠丝杆机构(30，32，38，42)。
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公开(公告)号：CN101327573A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810131155.3
申请日：2003-04-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , B24B29/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/30 , B24B37/013 , B24B37/042 , H01L21/30625 , Y10S438/977
Abstract: 本发明的抛光方法，用顶部圆环(23)来保持半导体晶片(W)，把该半导体晶片(W)按压到研磨面(10)上进行研磨的抛光方法，其特征在于：把弹性膜(60)安装到能够上下活动的上下活动部件(62)的下面上，在上述顶部圆环(23)内形成压力室(70)，把加压流体供给到上述压力室(70)内，利用上述流体的流体压力把半导体晶片W按压到上述研磨面(10)上进行研磨，从上述上下活动部件(62)的中央部上所形成的开口(62a)中喷射出加压流体，这样使研磨后的半导体晶片W从上述顶部圆环(23)上脱离。
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公开(公告)号：CN101254586A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810092011.1
申请日：2008-01-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B29/00 , H01L21/304 , B24B49/04 , B24B53/12
CPC classification number: B24B53/017 , B24B49/14 , B24B49/18
Abstract: 用于将基片例如半导体晶片抛光至镜面光洁度的抛光设备。抛光设备包括具有抛光面的抛光台、被构造成保持并将基片压靠在抛光面上的顶环、被构造成提升和降低顶环的顶环轴、以及被构造成检测顶环轴伸长的伸长检测装置。抛光设备进一步还具有被构造成在抛光时设置顶环的垂直位置并控制提升和降低机构以按设定垂直位置使顶环降低到预设抛光位置的控制器。控制器基于已经由伸长检测装置检测到的顶环轴的伸长来修正预设抛光位置。
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公开(公告)号：CN101045286A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710089026.8
申请日：2007-03-29
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B29/02
CPC classification number: B24B37/32
Abstract: 一种基底夹持装置防止基底滑出并使得基底被稳定地抛光。该基底夹持装置具有：顶圈体，其用于夹持基底并将基底压在抛光表面上；以及挡圈，其用于压住所述抛光表面，所述挡圈布置在所述顶圈体的外圆周部分上；所述挡圈包括：由磁性材料制成的第一构件；以及在表面上布置有磁铁的第二构件，其与所述第一构件保持抵接。
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