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公开(公告)号：KR1019920005731B1
公开(公告)日：1992-07-16
申请号：KR1019900002260
申请日：1990-02-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: D01F9/08
Abstract: The preparing method of multi-crystalline mullite fiber by sol-gel process which can save energy and costs instead of conventional melting process which requires high temperature and special apparatus to melt starting material comprises; solling, that is hydrolysis, polymerization and peptization of polymer metalalkoxide as a starting material of alumina selected among secondary butoxy aluminium [(sec-BuO)3Al , tetraethylsilicate [Si(OC2H5)4 or their mixture, and colloid sol as a starting material of silica by means of acidify control and agitation, them ageing of sol by means of liquor circulation and distillation under reduced pressure.
Abstract translation: 通过溶胶 - 凝胶法制备多晶莫来石纤维的方法，其可以节省能量和成本，而不是需要高温的常规熔融方法和熔化起始材料的特殊装置; 作为起始材料的聚合物金属醇盐的水解，聚合和胶溶，选自仲丁氧基铝[（sec-BuO）3ll，四乙基硅酸盐[Si（OC 2 H 5）4或它们的混合物）和胶体溶胶作为起始原料 二氧化硅通过酸化控制和搅拌，通过液体循环和减压蒸馏来老化溶胶。
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公开(公告)号：KR1019900003930B1
公开(公告)日：1990-06-04
申请号：KR1019900005130
申请日：1990-04-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/12
Abstract: A semiconductor gas sensor comprises more than 20 wt.% In2O3, less than 75 wt.% SnO2, and less than 5 wt.% ThO2. The gas sensor can be used for detecting CO gas.
Abstract translation: 半导体气体传感器包括大于20重量％的In 2 O 3，小于75重量％的SnO 2和小于5重量％的ThO 2。 气体传感器可用于检测CO气体。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020030025354A
公开(公告)日：2003-03-29
申请号：KR1020010058189
申请日：2001-09-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C09K11/54
CPC classification number: C09K11/0811 , C09K11/54
Abstract: PURPOSE: A method for preparing a blue emitting ZnO thin film fluorescent substance is provided, to prepare a ZnO thin film by simple heating throughout no alloy by the addition of aluminum. CONSTITUTION: The method comprises the steps of heating a dopant-added ZnO thin film-deposited substrate rapidly under a gas condition in a heat treatment reactor. Preferably the substrate is made of silicon or sapphire single crystal; the gas is hydrogen; and the dopant is selected from the group consisting of aluminum, indium, gallium and their mixtures. The heating is carried out by increasing the temperature inside the reactor by 1-100 deg.C per second, and the temperature inside the reactor is maintained to be 600-1,000 deg.C for 3 sec to 20 min after heating. The ZnO thin film is formed by RF magnetron sputtering.
Abstract translation: 目的：提供一种制备蓝色发光型ZnO薄膜荧光体的方法，通过加入铝，通过简单加热，不加合金来制备ZnO薄膜。 构成：该方法包括在热处理反应器中在气体条件下快速加热掺杂剂的ZnO薄膜沉积基板的步骤。 优选地，衬底由硅或蓝宝石单晶制成; 气体是氢气; 掺杂剂选自铝，铟，镓及其混合物。 通过将反应器内的温度每秒提高1-100℃进行加热，反应器内部的温度在加热后3秒至20分钟保持在600-1000℃。 ZnO薄膜由RF磁控溅射法形成。
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公开(公告)号：KR100364135B1
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：KR1020000032150
申请日：2000-06-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01M4/36
Abstract: 본 발명은 백금과 같이 산소 또는 황화 분위기에 안정한 전도성 물질이 양극 활물질인 산화바나늄에 첨가된 리튬이차전지용 양극을 제공한다. 산화바나늄을 양극 활물질로 포함하는 리튬이차전지에 백금과 같이 산소 또는 황화 분위기에 안정한 전도성 물질이 첨가될 경우 리튬 이차전지의 사이클 및 용량 특성이 크게 향상되었다. 따라서 본 발명에 따른 리튬이차전지용 양극은 박막 전지 및 벌크 전지를 포함한 다양한 리튬이차전지의 제작에 사용될 수 있다.
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公开(公告)号：KR100359055B1
公开(公告)日：2002-11-07
申请号：KR1020000021951
申请日：2000-04-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01M4/00
Abstract: 본 발명은 박막형 슈퍼 캐패시터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 위에 형성된 4㎛ 이하의 두께를 갖는 하부 전극 박막과, 상기 하부 전극 박막 위에 형성된 5㎛ 이하의 두께를 갖는 전해질 박막 및, 상기 전해질 박막 위에 형성된 4㎛ 이하의 두께를 갖는 상부 전극 박막을 포함하여 구성되는 박막형 슈퍼 캐패시터를 제공하며, 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 의하면 초소형 정밀 부품 및 정보 통신 기기의 전력원으로 응용할 수 있는 소형 및 경량의 슈퍼 캐패시터를 제공하며, 박막 공정을 적용하여 슈퍼 캐패시터의 제조시 셀 적층의 획기적 개선을 기대할 수 있다. 또한, 박막전지와 혼성으로 사용되어 특정 전압에서 오랜 시간 동안 안정적으로 동작할 뿐만 아니라 순간 피크 전력을 제공할 수 있어, 박막전지의 응용 범위를 확대할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100343949B1
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：KR1020000003690
申请日：2000-01-26
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 종래의 Ⅲ-Ⅴ족 화합물인 GaN를 대체하기 위하여 상온에서 딥-레벨 발광이 전혀 없고 단지 NBE만이 관측될 수 있는 양질의 ZnO 박막을 제조하기 위한 경제적으로 저렴한 방법 및 그를 위한 장치를 제공하기 위하여, 진공 챔버내로 소정 비율의 Ar, O
2 가스를 1 내지 500 mTorr 이하의 챔버내 진공도를 유지하도록 도입하고, 기판을 예열하고, 기판 위에 설치되는 원자 라디칼원으로부터 C 및 N을 도입하면서 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 기판 위에 ZnO 단결정 박막을 증착한 후, 상기 ZnO 박막 증착시 사용하였던 챔버내 산소 분압을 유지하면서 상기 기판을 서냉시키는 상온에서 작동하는 자외선 수광, 발광 소자용 ZnO 박막의 제조방법 및 그를 위한 장치를 제공한다.
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