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公开(公告)号：KR100587691B1
公开(公告)日：2006-06-08
申请号：KR1020040086552
申请日：2004-10-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/22
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67069
Abstract: 본 발명은 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 장치의 제조용 확산설비에 관한 것으로, 그의 설비는, 종모양으로 형성된 반응관; 상기 반응관의 하부에서 상승하여 상기 반응관을 밀폐시키는 플레이트; 및 상기 반응관 내부에 반응 가스를 분사하는 가스 분사관에 인접하여 유사한 모양으로 나란하게 설치되어 상기 반응관 상부에서 상기 반응 가스에 고주파 전력을 인가하여 플라즈마 반응을 유도하고, 상기 반응관 하부에서 플라즈마 반응 또는 온도차에 의한 폴리머의 발생을 방지하기 위해 상기 반응관 내부로 삽입되는 부분에서 상기 플레이트 중심 상부에 위치하는 보트에 삽입된 다수개의 웨이퍼 최하단 이하 부분까지를 덮도록 형성된 보호 장치를 구비한 복수개의 플라즈마 전극을 포함함에 의해 상기 플라즈마 전극에서 폴리머 발생을 방지할 수 있고, 인시튜 세정 공정을 용이하게 수행토록 할 수 있기 때문에 생산성을 향상시킬 수 있다.
플라즈마(plasma), 웨이퍼(wafer), 반응관, 튜브(tube), 플레이트(plate)-
公开(公告)号：KR1020060039631A
公开(公告)日：2006-05-09
申请号：KR1020040088809
申请日：2004-11-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C09K13/06
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/20 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 절연 기판 위에 게이트 전극을 포함하는 게이트선을 형성하는 단계, 상기 게이트선 위에 게이트 절연막 및 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계, 상기 게이트 절연막 및 반도체층 위에 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 상기 소스 전극과 소정 간격으로 마주하고 있는 드레인 전극을 형성하는 단계, 및 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 게이트선을 형성하는 단계, 상기 데이터선과 상기 드레인 전극을 형성하는 단계 및 상기 화소 전극을 형성하는 단계 중 적어도 하나는 65 내지 75중량%의 인산, 0.5 내지 15중량%의 질산, 2 내지 15중량%의 아세트산, 0.1 내지 8.0%의 칼륨 화합물 및 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물을 이용하여 사진 식각하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법을 제공한다.
식각액, 칼륨 화합물, 염기성 질소 화합물, 언더컷, 프로파일-
公开(公告)号：KR1020060037559A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040086552
申请日：2004-10-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/22
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67069
Abstract: 본 발명은 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 장치의 제조용 확산설비에 관한 것으로, 그의 설비는, 종모양으로 형성된 반응관; 상기 반응관의 하부에서 상승하여 상기 반응관을 밀폐시키는 플레이트; 및 상기 반응관 내부에 반응 가스를 분사하는 가스 분사관에 인접하여 유사한 모양으로 나란하게 설치되어 상기 반응관 상부에서 상기 반응 가스에 고주파 전력을 인가하여 플라즈마 반응을 유도하고, 상기 반응관 하부에서 플라즈마 반응 또는 온도차에 의한 폴리머의 발생을 방지하기 위해 상기 반응관 내부로 삽입되는 부분에서 상기 플레이트 중심 상부에 위치하는 보트에 삽입된 다수개의 웨이퍼 최하단 이하 부분까지를 덮도록 형성된 보호 장치를 구비한 복수개의 플라즈마 전극을 포함함에 의해 상기 플라즈마 전극에서 폴리머 발생을 방지할 수 있고, 인시튜 세정 공정을 용이하게 수행토록 할 수 있기 때문에 생산성을 향상시킬 수 있다.
플라즈마(plasma), 웨이퍼(wafer), 반응관, 튜브(tube), 플레이트(plate)-
公开(公告)号：KR1020050120119A
公开(公告)日：2005-12-22
申请号：KR1020040045341
申请日：2004-06-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02 , F17C13/04 , H01L21/205 , H01L21/67005
Abstract: 반응 부산물 제거가 용이한 가스 배출부 및 이를 포함하는 증착 장치에서, 상기 가스 배출부는 반도체 기판을 가공하기 위한 공정이 수행되는 공정 챔버로부터 생성된 반응 부산물을 배출시키는 배기 라인과 상기 배기 라인 내에 누적되는 반응 부산물을 제거하기 위해 상기 반응 부산물이 누적되는 배기 라인 내에 삽입되는 슬리브 개스킷(Gasket)을 포함한다. 상술한 개스킷을 포함하는 가스 배출부 및 기판 가공장치는 반응 부산물이 누적되어 상기 배기 라인이 막혀도, 배기 라인의 세정 없이 상기 개스킷만 교환하면 되기 때문에 보다 용이하게 반응 부산물을 제거할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100522545B1
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：KR1020030019596
申请日：2003-03-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01F23/18
CPC classification number: G05D7/0647 , Y10T137/7761 , Y10T137/87917
Abstract: 유체의 질량 유량을 조절하기 위한 질량 유량 제어기에서, 베이스는 유체를 통과시키기 위한 유로를 가지며, 제1컨트롤 밸브는 유로를 통과하는 유체의 질량 유량을 조절하며, 제2컨트롤 밸브는 유체의 질량 유량의 최대값을 조절한다. 베이스의 유입부에 인접하는 유로의 내부에는 유체를 통과시키기 위한 바이패스부가 배치되고, 질량 유량 센서는 바이패스부를 통과하는 유체의 질량 유량을 측정한다. 제2컨트롤 밸브는 바이패스부와 인접하여 상기 유로와 연결되어 있으며, 바이패스부를 통과하는 유체의 질량 유량의 최대값을 조절한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100517405B1
公开(公告)日：2005-09-27
申请号：KR1020030042843
申请日：2003-06-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
CPC classification number: G05D7/0652 , G01F1/6847 , G01F15/005 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/87314 , Y10T137/87362 , Y10T137/88062
Abstract: 유체의 질량 유량을 조절하기 위한 질량 유량 제어기에서, 베이스는 제1유로와 제2유로를 가지며, 제1밸브는 제1유로를 통과하는 유체의 질량 유량을 조절한다. 제2유로는 제1유로의 유입부와 제1밸브 사이의 제1유로의 제1부위로부터 분기되어 제1밸브와 제1유로의 방출부 사이의 제1유로의 제2부위로 연결된다. 제2밸브는 제2유로와 연결되고, 제1밸브가 비정상적으로 닫힌 경우, 제1유로의 내부에 잔류하는 유체를 배출시키기 위해 개방된다.
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公开(公告)号：KR1020050017148A
公开(公告)日：2005-02-22
申请号：KR1020030055078
申请日：2003-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
Abstract: PURPOSE: A cryo pump is provided to lengthen the lifetime thereof and protect peripheral electronic components by preventing generation of waterdrop on an outer wall thereof. CONSTITUTION: Active carbon is formed in an inside of a body. A gas supply tube(201) is connected to the body in order to supply a regenerated gas to the body. A gas exhaust tube(219) is connected to the body in order to exhaust the gas of the body. A heater is used for heating the body. The heater is operated only when the regenerated gas is supplied to the body through the gas supply tube.
Abstract translation: 目的：提供一种冷冻泵，以延长其使用寿命，并通过防止在其外壁上产生水滴来保护外围电子部件。 构成：活性炭形成在身体的内部。 气体供给管（201）连接到主体以便将再生气体供应到主体。 排气管（219）连接到主体以便排出身体的气体。 加热器用于加热身体。 只有当再生气体通过气体供应管供给到身体时，加热器才被操作。
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公开(公告)号：KR1020040077310A
公开(公告)日：2004-09-04
申请号：KR1020030012822
申请日：2003-02-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for processing a wafer are provided to enhance the productivity by reducing a transferring period between a load lock chamber and a process chamber. CONSTITUTION: A load lock chamber(110) includes a boat(114) for loading wafers and a transfer unit for transferring the boat. A process tube(130) is connected to the load lock chamber in order to provide a process gas. A shutter(136) is installed between the load lock chamber and the process tube in order to open and shut a gap between the load lock chamber and the process tube. A pump(170) is connected to the load lock chamber and the process tube in order to maintain a vacuum state of the process tube and form the vacuum state of the load lock chamber in a loading/unloading process. A pressure control line(180) is used for connecting the load lock chamber to a process chamber and controlling a pressure difference therebetween.
Abstract translation: 目的：提供一种用于处理晶片的装置和方法，以通过减少负载锁定室和处理室之间的转移周期来提高生产率。 构成：装载锁定室（110）包括用于装载晶片的船（114）和用于传送船的传送单元。 处理管（130）连接到负载锁定室以提供处理气体。 在负载锁定室和处理管之间安装有闸门（136），以便打开和关闭装载锁定室和处理管之间的间隙。 泵（170）连接到负载锁定室和处理管，以便在加载/卸载过程中保持处理管的真空状态并形成负载锁定室的真空状态。 压力控制线（180）用于将负载锁定室连接到处理室并控制它们之间的压力差。
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公开(公告)号：KR100438828B1
公开(公告)日：2004-07-05
申请号：KR1020010069502
申请日：2001-11-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B81C1/00
CPC classification number: G01N27/44791 , G01N27/226 , G01N27/4473
Abstract: A micro-electric detector for use in a micro-analysis system is provided. The micro-electric detector comprises a first substrate having a first surface, comprising at least one microchannel and at least one reservoir in fluid communication with the microchannel; a second substrate having a second surface disposed on the first surface of the first substrate; and a sensing portion comprising at least one pair of first electrodes for detection, which is disposed on the second surface of the second substrate along the microchannel, such that the first electrodes are positioned facing a bottom of the microchannel.
Abstract translation: 提供了用于微分析系统的微电探测器。 所述微电探测器包括具有第一表面的第一基底，所述第一基底包括至少一个微通道和与所述微通道流体连通的至少一个储存器; 具有设置在所述第一基板的所述第一表面上的第二表面的第二基板; 以及感测部分，所述感测部分包括至少一对用于检测的第一电极，所述感测部分沿着所述微通道设置在所述第二基板的所述第二表面上，使得所述第一电极定位成面向所述微通道的底部。 ＆lt;图像＆GT;
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公开(公告)号：KR1020030014997A
公开(公告)日：2003-02-20
申请号：KR1020010049033
申请日：2001-08-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01N33/5438
Abstract: PURPOSE: A high capacity of biomolecule detecting sensor using carbon nanotubes is provided, thereby rapidly detecting various kinds of target-biomolecules bound with receptors on a nanoarray-type biochip. CONSTITUTION: The high capacity of biomolecule detecting sensor using carbon nanotubes comprises (i) a substrate; and (ii) a plurality of carbon nanotube arrayed on the substrate, wherein an electric field is charged to the carbon nanotubes, thereby selectively attaching receptors capable of binding target-biomolecules to the desired positions of the carbon nanotubes, wherein the substrate is made of material selected from the group consisting of silicone, glass, melting silica, plastics and PDMS; and the receptor is nucleic acid, protein, peptide, amino acid, ligand, enzyme substrate, cofactor or oligosaccharide.
Abstract translation: 目的：提供高容量的使用碳纳米管的生物分子检测传感器，从而快速检测与纳米阵列型生物芯片上的受体结合的各种靶 - 生物分子。 构成：使用碳纳米管的生物分子检测传感器的高容量包括（i）底物; 和（ii）排列在基板上的多个碳纳米管，其中电场被加载到碳纳米管，从而选择性地将能够将靶 - 生物分子结合的受体连接到碳纳米管的所需位置，其中基底由 选自硅树脂，玻璃，熔融二氧化硅，塑料和PDMS的材料; 受体是核酸，蛋白质，肽，氨基酸，配体，酶底物，辅因子或寡糖。
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