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公开(公告)号：KR101762828B1
公开(公告)日：2017-07-31
申请号：KR1020110031320
申请日：2011-04-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/0483 , G11C16/3454
Abstract: 본발명은불휘발성메모리장치의동작방법에관한것이다. 본발명의불휘발성메모리장치는복수의셀 스트링들을포함하고, 상기복수의셀 스트링들각각은기판과수직한방향으로적층된적어도하나의접지선택트랜지스터, 복수의메모리셀들, 그리고적어도하나의스트링선택트랜지스터를포함한다. 본발명의동작방법은커맨드및 어드레스를수신하는단계, 상기수신된커맨드및 어드레스에응답하여전압인가시간을결정하는단계, 그리고상기결정된전압인가시간동안상기수신된어드레스에대응하는셀 스트링들의메모리셀들에특정전압을인가하는단계로구성된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种操作非易失性存储器件的方法。 本发明的非易失性存储器件包括多个单元串，多个单元串中的每一个包括在垂直于衬底的方向上堆叠的至少一个接地选择晶体管，多个存储单元， 和晶体管。 本发明的操作方法包括接收命令和地址，响应于所接收的命令和地址确定电压施加时间，并且响应于所接收的地址确定电压施加时间， L t是特定的电压。
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公开(公告)号：KR1020170051401A
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020170054930
申请日：2017-04-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 데이터패턴분석기와데이터압축관리기를포함하는데이터압축장치의동작방법이개시된다. 상기방법은상기데이터패턴분석기가입력버퍼로전송되는입력데이터를수신하는단계와, 상기입력버퍼를이용하여상기입력데이터를버퍼링하는동안, 상기데이터패턴분석기가상기입력데이터의패턴을분석하고분석결과를출력하는단계및 상기분석결과에따라, 상기데이터압축관리기가상기입력버퍼에의하여버퍼된데이터를바이패스하거나또는압축하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种操作包括数据模式分析器和数据压缩管理器的数据压缩设备的方法。 该方法包括：接收由数据模式分析器传输到输入缓冲器的输入数据;以及当数据模式分析器使用输入缓冲器缓冲输入数据时分析输入数据的模式， 根据分析结果，数据压缩管理器绕过或压缩由输入缓冲器缓冲的数据。
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公开(公告)号：KR101725223B1
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：KR1020110027176
申请日：2011-03-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03M7/40
Abstract: 저장장치에서의데이터압축방법이개시된다. 본발명의실시예에따른저장장치에서의데이터압축방법은, 청크(chunk) 데이터의심볼의발생빈도수와부호어길이와의관계를나타내는제1 테이블을이용하여상기심볼에대한부호어길이를결정하고, 상기부호어길이를갖고상기심볼에대응되는부호어를결정하는단계; 및상기심볼을상기부호어로변환하여상기청크데이터에대한압축데이터를생성하는단계를구비한다.
Abstract translation: 公开了一种压缩存储设备中的数据的方法。 根据使用示出现关系频率和码断裂的第一表的本发明，块（组块）的方法实施例的存储eseoui数据压缩装置本数据符号和码符确定此为符号，所述 用码字确定与符号相对应的码字; 并通过将符号转换为码字来生成块数据的压缩数据。
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公开(公告)号：KR101679358B1
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：KR1020090075334
申请日：2009-08-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C11/5642
Abstract: 플래시메모리장치, 이의프로그램방법및 독출방법이개시된다. 발명의실시예에따른 N(N은 2 이상의자연수) 비트멀티-레벨셀 플래시메모리장치는, 프로그램명령또는독출명령에응답하여, 상기멀티-레벨셀 플래시메모리장치의메모리셀 어레이로데이터의제1 내지제N 비트를프로그램하거나, 상기메모리셀 어레이로부터데이터의제1 내지제N 비트를독출하는것을제어하는제어로직; 및상기데이터의제1 내지제N 비트에대한프로그램또는독출이완료되면, 제어신호에응답하여, 상기데이터의 N+1번째비트에대한프로그램또는독출을수행하는비트레벨변환제어회로를구비한다. 이때, 상기비트레벨변환제어회로는, 상기데이터의제1 내지제N 비트에대한프로그램또는독출에사용되는전압의전압레벨을변경하여, 상기데이터의 N+1번째비트에대응되는 2개의셀 산포들중 2개의셀 산포들에대하여프로그램또는독출한후, 나머지 2개의셀 산포들에대하여프로그램또는독출한다.
Abstract translation: 闪存器件包括控制逻辑电路和位电平转换逻辑电路。 控制逻辑电路对N位MLC闪速存储器件的存储单元阵列中的第一到第N位数据进行编程，或响应于程序命令和程序命令之一从存储单元阵列中读取数据的第一至第N位 读命令。 在数据的第一至第N位被完全编程或读取之后，位电平转换控制逻辑电路响应于控制信号编程或读取数据的第（N + 1）位。 位电平转换控制逻辑电路转换用于编程或读取数据的第一至第N位的电压电平，以对与第（N + 1）个对应的2N + 1个单元分布的2N个单元分布进行编程或读取 ）位，然后编程或读取其他2N个单元分布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101650130B1
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：KR1020100045521
申请日：2010-05-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F11/10 , H03M13/11 , H03M13/13 , H03M13/15 , H03M13/29 , H03M13/00 , G11C16/06 , G06F13/16 , G06F12/16
CPC classification number: G06F11/106 , H03M13/1102 , H03M13/136 , H03M13/152 , H03M13/155 , H03M13/2909 , H03M13/618
Abstract: 본발명에따른저장장치는, 소스영역으로부터의독출데이터를출력하는불휘발성메모리장치, 및상기독출데이터에포함되는복수의벡터들각각에대한에러정정부호(ECC) 연산을수행하여상기불휘발성메모리장치의타깃영역으로기입하는메모리컨트롤러를포함하되, 상기메모리컨트롤러는상기에러정정부호(ECC) 연산시플래그비트없이상기복수의벡터들중 클린영역에대응하는벡터를디코딩패스(Decoding pass)로처리한다.
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公开(公告)号：KR101642465B1
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：KR1020080126551
申请日：2008-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/3427 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C2211/5621 , G11C2211/5634
Abstract: 본발명에따른불휘발성메모리장치의액세스방법은, (a) 제 1 메모리셀에물리적영향을미치는제 2 메모리셀의문턱전압변화를검출하는단계; 그리고 (b) 상기제 1 메모리셀을상기제 2 메모리셀의문턱전압변화의크기에대응하는복수의서브-산포들중 어느하나로분류하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101528167B1
公开(公告)日：2015-06-12
申请号：KR1020080075555
申请日：2008-08-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5642 , G11C16/3418 , G11C16/3427
Abstract: 메모리장치및 메모리데이터판정방법이제공된다. 본발명의일 실시예에따른메모리장치는제1 메모리셀이프로그램되기전의데이터및 제1 메모리셀의프로그램목표문턱전압에기초하여제1 메모리셀의문턱전압의변화를추정할수 있다. 메모리장치는추정된제1 메모리셀의문턱전압의변화에기초하여제2 메모리셀의문턱전압의변화에관한메트릭을생성할수 있다. 메모리장치는메트릭을고려하여제2 메모리셀에저장된데이터에대한판정을수행할수 있다. 메모리장치는메모리셀에저장된데이터의판독오류를줄일수 있다.
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公开(公告)号：KR101466695B1
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：KR1020080040877
申请日：2008-04-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04L27/26
CPC classification number: H03M13/451 , G06F11/1072
Abstract: 멀티비트레벨데이터의부호화및 복호화방법이개시된다. 상기멀티비트레벨데이터의부호화방법은전송심볼에따라발생될수 있는오류패턴의범위를결정하는결정단계; 및상기오류패턴의범위에기초하여상기전송심볼과상응하는 P(P는 2이상의자연수)비트레벨중에서 M(M은상기 P보다작은자연수) 비트레벨은부호화하고 (P-M) 비트레벨은부호화하지않는단계를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR101437102B1
公开(公告)日：2014-09-05
申请号：KR1020080002230
申请日：2008-01-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/32 , G11C16/349 , G11C29/00 , G11C2211/5634
Abstract: 메모리 장치 및 멀티 비트 셀의 특성 추정 방법이 제공된다. 본 발명의 메모리 장치는 멀티 비트 셀 어레이, 상기 멀티 비트 셀 어레이에 저장되는 데이터에 대응하는 복수의 문턱 전압 상태들 중 선택된 기준 문턱 전압 상태들의 시간에 따른 문턱 전압 변화를 추출하는 모니터링부, 및 상기 추출된 문턱 전압 변화에 기초하여 상기 복수의 문턱 전압 상태들의 시간에 따른 문턱 전압 변화를 추정하는 추정부를 포함하는 것을 특징으로 하며, 이를 통해 메모리 셀의 문턱 전압의 시간에 따른 변화를 모니터할 수 있다.
멀티 비트 셀, 멀티 레벨 셀, 문턱 전압, charge loss
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