公开(公告)号：KR1020080111736A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：KR1020070060053

申请日：2007-06-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김창정 ,  송이헌 ,  박영수 ,  이은하 ,  김선일

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/22 ,  H01L21/02554 ,  H01L29/26 ,  H01L29/7869

Abstract: An oxide semiconductor and a thin film transistor having the same are provided to prevent hysteresis of the oxide thin film transistor, and improve the movement and on/off current characteristic. A gate(13) is formed on a substrate(11). A gate isolation layer(14) is formed on a substrate, and the gate. An oxide layer(12) is formed on the substrate if the substrate is Si substrate by the thermal oxidation process. A channel(15) is formed on the gate isolation layer corresponding to the gate. A source(16a) and a drain(16b) are formed on two part and gate isolation layer of channel.

Abstract translation: 设置氧化物半导体和具有该氧化物半导体的薄膜晶体管，以防止氧化物薄膜晶体管的滞后，并提高其移动和导通/截止电流特性。 在基板（11）上形成栅极（13）。 栅极隔离层（14）形成在衬底和栅极上。 如果衬底是通过热氧化工艺的Si衬底，则在衬底上形成氧化物层（12）。 在对应于栅极的栅极隔离层上形成沟道（15）。 源极（16a）和漏极（16b）形成在沟道的两部分和栅极隔离层上。

公开(公告)号：KR1020070102939A

公开(公告)日：2007-10-22

申请号：KR1020070029380

申请日：2007-03-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김창정 ,  송이헌 ,  강동훈 ,  박영수

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: An amorphous ZnO based thin film transistor and a method of manufacturing the same are provided to improve a photo sensitivity by controlling content of a gallium oxide and an indium oxide. An amorphous ZnO based thin film transistor includes a substrate(10), an active layer(11), a source electrode(12s), a drain electrode(12d), a gate electrode, and a gate insulation layer(13). The active layer(11) includes an amorphous ZnO based complex semiconductor expressed by a chemical equation that is x(Ga2O3).y(In2O3).z(ZnO) and 1.15

Abstract translation: 提供一种无定形ZnO基薄膜晶体管及其制造方法，以通过控制氧化镓和氧化铟的含量来提高光敏性。 一种无定形ZnO基薄膜晶体管，包括衬底（10），有源层（11），源电极（12s），漏电极（12d），栅电极和栅极绝缘层（13）。 有源层（11）包括由x（Ga 2 O 3）y（In 2 O 3）z（ZnO）和1.15 <= x / z <=2.05,1.15≤y/ y的化学方程表示的非晶ZnO基复合半导体， ž<= 1.70。 源电极（12s）和漏电极（12d）与有源层（11）接触。 栅电极在有源层（11）中形成电场。 栅极绝缘层（13）插入在栅电极和有源层（11）之间。

公开(公告)号：KR100607163B1

公开(公告)日：2006-08-01

申请号：KR1019990037847

申请日：1999-09-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조학주 ,  이용탁 ,  김창정

IPC: H01L27/105

Abstract: 플라즈마 처리로 안정화되는 금속 산화막으로 구성된 EBL(encapsulating barrier layer)을 포함하는 강유전체 메모리 소자 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 플라즈마 처리로 절연성이 강화된 EBL은 강유전체 캐패시터와 절연막과의 사이에 형성되어, 상기 강유전체 캐패시터와 절연막간의 상호작용을 방지하며, 플라즈마 처리를 이용하기 때문에 고온 열처리에 따른 COB(capacitor on bit-line) 구조에서의 하부 전극과 콘택 플러그 물질간의 접촉 불량을 방지할 수 있으며, 기존의 열처리에 비해 누설 전류를 현저히 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100464305B1

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：KR1019980027305

申请日：1998-07-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이준기 ,  김창정

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02071 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31691

Abstract: 본 발명은 에챈트를 이용한 PZT 박막의 청소 방법에(A method for cleaning a PZT thin film)에 관한 것이다. 본 발명에 따른 식각액을 이용한 PZT 박막의 청소 방법은, "BOE + 아세틱 산(Acetic acid)"의 조합 혹은 "BOE + 아세틱 산(Acetic acid) + 에탄올(Ethanol)"의 조합을 식각액으로 사용하여, HF의 농도에 따라 크게 의존되는 PZT 박막의 식각 속도를 늦추어 줌으로써, 이들 식각액에 PZT 박막을 100Å이하의 정밀한 두께 까지 한정하여 식각할 수 있어, PZT 박막 표면의 불순물 혹은 손상된 결정 만을 제거할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970063579A

公开(公告)日：1997-09-12

申请号：KR1019960002448

申请日：1996-02-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김창정 ,  정지원

IPC: H01L21/322

Abstract: 본 발명은 유도성 결합 플라즈마 식각기(ICP etcher; inductively coupled plasma etcher)로 식각된 PZT(PbZr
x Ti
1-x O
3 ; 지르콘산납-티탄산납) 박막의 식각시 손상된 박막의 전기적 특성을 회복시키기 위한 저온 공정을 이용한 PZT 박막 손상 회복 방법에 관한 것으로, PZT 박막 식각기 플라즈마 건식 식각법으로 입은 PZT 박막의 전기적 특성의 감소를 회복시키기 위하여 550℃의 고온으로 장시간 어닐링하는 방식을 탈피하여 300℃의 저온으로 짧은 시간동안의 열처리를 행함으로써, 고열 공정에 의해 생길 수 있는 인접한 박막 물질이 PZT 박막으로 확산되는 현상을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 전체 공정 시간을 감소시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR101878744B1

公开(公告)日：2018-07-16

申请号：KR1020120000647

申请日：2012-01-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전상훈 ,  김창정 ,  송이헌

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 고전압산화물트랜지스터및 그제조방법에관해개시되어있다. 본발명의일 실시예에의한고 전압산화물트랜지스터는기판상에구비된채널층과, 상기기판상에구비되고, 상기채널층에대응하는게이트전극과, 상기채널층의한쪽에접촉되는소스및 상기채널층의다른쪽에접촉된드레인을포함하고, 상기채널층은실리콘을포함하지않는복수의산화물층을포함한다. 상기게이트전극은상기채널층의위 또는아래에구비될수 있다. 상기게이트전극은상기채널층의위와아래에각각구비될수도있다.

公开(公告)号：KR101786567B1

公开(公告)日：2017-10-19

申请号：KR1020110023432

申请日：2011-03-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안승언 ,  송이헌 ,  김창정 ,  전상훈

IPC: H04Q9/00 ,  G06F3/041

Abstract: 광터치스크린용리모트컨트롤러및 그동작방법이개시된다. 개시된광 터치스크린용리모트컨트롤러는레이저광원부, 레이저광의진행경로에있는인체를감지하기위한인체감지센서, 및인체감지센서의출력에따라레이저광원부의동작을제어하는제어모듈을포함한다. 개시된광 터치스크린용리모트컨트롤러는인체감지센서를통해일정각도범위내에서인체를감지하면, 제어모듈이레이저광원부의동작을제한함으로써레이저광이인체를향해방출되지않도록할 수있다. 따라서, 레이저광에의한사용자의시력저하나훼손을방지할수 있다.

公开(公告)号：KR101636906B1

公开(公告)日：2016-07-07

申请号：KR1020090131298

申请日：2009-12-24

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박재철 ,  권기원 ,  허지현 ,  송이헌 ,  김창정

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/20

Abstract: 디스플레이장치의전력소비를감소시킬수 있는게이트구동장치및 게이트구동방법이개시된다. 개시된게이트구동장치및 게이트구동방법은, 이전의화소행을선택한후에다음의화소행을선택하는동안, 이전의화소행으로부터방전되는전류를다음의화소행에제공한다. 따라서, 이전의화소행에서버려지는전류를다음의화소행에서재활용할수 있으며, 각각의화소행을선택하기위하여필요한전류를감소시킬수 있다. 그결과, 개시된게이트구동장치및 게이트구동방법을채용한디스플레이장치는소비전력이전반적으로감소할수 있다.

公开(公告)号：KR101623958B1

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：KR1020080096721

申请日：2008-10-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상욱 ,  송이헌 ,  김창정 ,  박재철 ,  김선일

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0883 ,  H01L27/1203

Abstract: 인버터및 그의동작방법과인버터를포함하는논리회로에관해개시되어있다. 개시된인버터는부하트랜지스터와구동트랜지스터를포함하고, 상기부하트랜지스터와구동트랜지스터중 적어도하나는더블게이트구조를갖는다. 상기더블게이트구조에의해상기부하트랜지스터또는상기구동트랜지스터의문턱전압이조절될수 있고, 따라서상기인버터는 E/D(enhancement/depletion) 모드일수 있다.

公开(公告)号：KR101603768B1

公开(公告)日：2016-03-15

申请号：KR1020090129127

申请日：2009-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상욱 ,  김선일 ,  김창정 ,  박재철

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 트랜지스터와그 제조방법및 트랜지스터를포함하는전자소자에관해개시되어있다. 개시된트랜지스터는적어도일면이플라즈마처리된게이트절연체를포함할수 있다. 상기게이트절연체의플라즈마처리된면은채널층과접촉된계면일수 있다. 상기계면은불소(F) 함유기체를사용하여플라즈마처리되어불소를포함할수 있다. 상기플라즈마처리된계면은광에의한트랜지스터의특성변화를억제하는역할을할 수있다.