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公开(公告)号：KR101559721B1
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：KR1020140024038
申请日：2014-02-28
Applicant: 전자부품연구원 , 전북대학교산학협력단
IPC: H01P5/10
Abstract: 본발명은넓은대역폭과높은격리특성을통해광대역전력증폭기를포함하는다양한 RF 시스템에적용가능한높은격리특성을갖는광대역마이크로파발룬에관한것으로, 특성임피던스를갖는두개의수평λ/4 전송선로; 특성임피던스과를갖는두개의수직λ/2 전송선로를포함하는것을특징으로하며, 광대역특성뿐만아니라높은격리도특성을가지는발룬구조를제공함으로차동증폭기등 높은격리도가요구되는회로에적용가능하고, 광대역브랜치라인발룬은수평λ/4 전송선로()와수직λ/2 전송선로(과)에각각서로다른특성임피던스를적용하여광대역특성을만들어낼 수있으며, 등가회로는세 단자모두를정합할수 있고, 수직λ/2 전송선로()에저항기와병렬중앙λ/4 전송선로를구성함으로써두 평형출력단자사이에높은격리특성을제공하는효과가있다. 또한중앙λ/4 전송선로의특성임피던스가낮아구현이힘들때에결합및 절단이개방되고격리단이단락된λ/4 결합전송선로로대체하여보통의전송선로로구현가능한높은격리특성을갖는광대역발룬을설계할수 있는효과를가진다.
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公开(公告)号：KR101519760B1
公开(公告)日：2015-05-12
申请号：KR1020130164946
申请日：2013-12-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/0273 , H01L21/30604 , H01L21/76877
Abstract: 본발명은, 감광성유리기판을이용하여높은단차비를갖는금속배선을형성할수 있는금속배선형성방법및 이에의해제조된수동소자를내장한금속배선기판에관한것으로, 상기금속배선형성방법은, 감광성유리기판의상면에패터닝된포토마스크를형성하는단계; 상기패터닝된포토마스크를통해노출된상기감광성유리기판의표면을노광하여식각제거영역을형성하는단계; 형성된식각제거영역을제1 식각을통해배선홈을형성하는단계; 및형성된배선홈에도전물질을충진하여금속배선을형성하는단계;를포함할 수있다.
Abstract translation: 本发明涉及通过使用光致抗蚀剂玻璃基板和具有由此制造的无源元件的金属线基板来形成具有高纵横比的金属线的方法。 形成金属线的方法可以包括在光致抗蚀剂玻璃基板的上侧形成图案化的光掩模的步骤; 曝光由图案化的光致抗蚀剂掩模曝光的光致抗蚀剂玻璃基板的表面以形成蚀刻去除区域的步骤; 通过对蚀刻去除区域进行第一蚀刻工艺来形成线槽的步骤; 以及通过用导电材料填充线槽来形成金属线的步骤。
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公开(公告)号：KR101515857B1
公开(公告)日：2015-05-04
申请号：KR1020130160173
申请日：2013-12-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01P1/20
CPC classification number: H01P1/20345 , H01P3/026 , H01P3/08 , H01P3/121
Abstract: 광대역필터가제공된다. 이필터는다층구조로서, 상층에형성되는다단구조의전송선로와, 하층전면에걸쳐형성되는접지플레인및 상기상층과상기하층의중간층에형성된유전체기판을포함하고, 상기전송선로는서로교대로형성되는오픈스터브와쇼트스터브를포함한다.
Abstract translation: 提供了一种宽带滤波器。 过滤器具有多层结构。 其包括形成在上层的多个结构的传输线，形成在下层的整个表面上的接地平面，以及形成在上层和下层之间的中间层上的电介质基板。 传输线包括交替形成的开放短截线和短短短截线。
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公开(公告)号：KR101439306B1
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：KR1020130015266
申请日：2013-02-13
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L23/48
Abstract: 본 발명은 연성 실리콘 인터포저 및 이의 제작 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 절곡부를 구비한 실리콘 웨이퍼(Si wafer) 기반의 수동 집적 회로(integrated passive device)에 관한 것으로 실리콘 웨이퍼 상에 절곡부를 구비하여 종래 2차원적인 패키징만 가능한 한계점을 해결하였고, 기존의 DRIE(deep reacitve ion etching)공정을 이용하여 실리콘 관통 비아를 형성하는 공정중 절곡이 될 부분을 동시에 형성할 수 있고, 기존의 스핀코팅으로 절연층을 형성하는 실리콘 인터포저와는 폴리머 라미네이트 공정을 사용하므로 절곡부를 용이하게 구현할수 있으며, 3차원적으로 휘거나 접을수 있는 플렉시블 실리콘 인터포저 구현이 가능한 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1020140084901A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020120154906
申请日：2012-12-27
Applicant: 전자부품연구원 , 전북대학교산학협력단
Abstract: The present invention relates to a current mode class-S amplifier having an impedance control circuit which can be applied to communications signals with high efficiency by controlling impedance of harmonic signals to be low in a current mode class-S amplifier structure. The current mode class-S amplifier having an impedance control circuit for removing harmonics according to the present invention comprises: a BPDSM to convert an RF input signal into a PWM signal; a switching power amplifier to amplify the PWM signal; and a differential filter to remove harmonics from the amplified signal. An impedance control circuit is additionally connected to the differential amplifier to match characteristic impedance and load impedance of a natural frequency band.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有阻抗控制电路的电流模式等级S放大器，其可以通过在电流模式S类放大器结构中控制低谐波信号的阻抗来高效率地应用于通信信号。 根据本发明的具有用于去除谐波的阻抗控制电路的电流模式S类放大器包括：将RF输入信号转换为PWM信号的BPDSM; 用于放大PWM信号的开关功率放大器; 以及用于从放大信号中去除谐波的差分滤波器。 阻抗控制电路另外连接到差分放大器以匹配固有频带的特征阻抗和负载阻抗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101397667B1
公开(公告)日：2014-05-23
申请号：KR1020130046355
申请日：2013-04-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/76805 , H01L21/76843 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5222 , H01L23/5225 , H01L23/5227 , H01L23/5228 , H01L23/528 , H01L23/5329 , H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: A method for manufacturing a line for a semiconductor device according to the present invention includes a step of forming a preset pattern by selectively etching a first surface of a silicon substrate; a step of coating the selected region of the first surface which includes a part where the preset pattern is formed, with a metal layer; a step of forming an organic material in the first surface to fill the etched part and cover the coated metal layer; a step of forming a via hole in the organic material and connecting the coated metal layer to a metal line through the via hole; and a step of polishing a second surface corresponding to the first surface to remove a part of the metal layer where the etched part is formed.
Abstract translation: 根据本发明的用于制造半导体器件的线的方法包括通过选择性蚀刻硅衬底的第一表面来形成预设图案的步骤; 用金属层涂覆包括形成预定图案的部分的第一表面的选定区域的步骤; 在所述第一表面中形成有机材料以填充所述蚀刻部分并覆盖所述涂覆的金属层的步骤; 在有机材料中形成通孔并通过通孔将涂覆的金属层连接到金属线的步骤; 以及对与所述第一表面对应的第二表面进行抛光以除去形成有蚀刻部分的金属层的一部分的步骤。
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公开(公告)号：KR101299217B1
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：KR1020120005248
申请日：2012-01-17
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01L23/481 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , Y02P80/30 , H01L2924/00
Abstract: 반도체 소자에 해당하는 나선형 인덕터는 제1 금속 배선과 제1 금속 배선을 외부 소자와 연결시키기 위한 제2 및 제2 금속 배선을 포함한다. 실리콘 기판에 나선형의 권선 패턴에 따라서 홈을 형성하고 나선형의 권선 패턴에 따라서 형성된 홈에 금속을 채워 넣어서 제1 금속 배선이 형성되고 실리콘 기판 위에 절연층을 두고 절연층 위에 제2 및 제3 금속 배선이 형성된다.
Abstract translation: 对应于半导体器件的螺旋电感器包括第一金属互连和用于将第一金属互连连接到外部器件的第二和第二金属互连线。 根据螺旋的绕组图案上的凹槽的第二和第三金属布线，以及在所述凹槽中插入填充金属根据螺旋线的绕线模式形成在第一金属与在硅衬底上的绝缘层，在所述硅衬底的绝缘层形成 它形成。
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公开(公告)号：KR101295027B1
公开(公告)日：2013-08-09
申请号：KR1020110144345
申请日：2011-12-28
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: LTCC(Low temperature cofired ceramic) 재료 및 적층 공정을 이용하여 제작된 엑스-밴드 갈륨나이트라이드 증폭기 기판이 개시되어 있다. 증폭기 기판은 LTCC를 이용하여 엑스-밴드 갈륨나이트라이드 증폭기 구현을 위한 기판으로서, 증폭기용 단자들을 형성하기 위한 하나 이상의 증폭기용 단자 패턴을 포함하는 최하위 기판 층; 입력 임피던스 매칭 인덕터 패턴, 입력 임피던스 매칭 커패시터의 형성을 위한 제 1 커패시터 패턴, 출력 임피던스 매칭 인덕터 패턴 및 출력 임피던스 매칭 커패시터를 형성하기 위한 제 2 커패시터 패턴을 포함하는 내부 기판 층; 및 배어 칩을 실장하기 위한 적어도 하나 이상의 배어 칩 실장 패드, 상기 제 1 커패시터 패턴과 함께 상기 입력 임피던스 매칭 커패시터의 형성을 위한 제 3 커패시터 패턴, 및 상기 제 2 커패시터 패턴과 함께 상기 출력 임피던스 매칭 커패시터를 형성하기 위한 제 4 커패시터 패턴을 포함하는 최상위 기판 층을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020130084452A
公开(公告)日：2013-07-25
申请号：KR1020120005248
申请日：2012-01-17
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01L23/481 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , Y02P80/30 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to implement a thin module or a thin package substrate by embedding a wire structure in a substrate despite having a thick wire. CONSTITUTION: A spiral inductor (100) is formed on a silicon substrate (200). The spiral inductor includes a first metal wire (110) and second to third wires (120,130). The first metal wire has a spiral winding pattern. The second and the third wires connect both end terminals of the first metal wire to an external device. A groove is formed by vertically etching the substrate according to the shape of a semiconductor device. An insulation layer (210) is formed along the inner wall of the groove. The semiconductor device is formed by filling the groove with metal.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，通过将线结构嵌入衬底中来实现薄模块或薄封装衬底，尽管具有粗线。 构成：在硅衬底（200）上形成螺旋电感（100）。 螺旋电感器包括第一金属线（110）和第二至第三线（120,130）。 第一金属线具有螺旋缠绕图案。 第二和第三线将第一金属线的两端连接到外部设备。 通过根据半导体器件的形状垂直蚀刻衬底形成沟槽。 沿凹槽的内壁形成绝缘层（210）。 半导体器件通过用金属填充沟槽而形成。
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公开(公告)号：KR101265514B1
公开(公告)日：2013-05-20
申请号：KR1020110144326
申请日：2011-12-28
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H03F3/217 , H01L29/2003 , H03F3/343 , H03F2200/331
Abstract: PURPOSE: A drive amplifier is provided to drive a high efficient SMPA by providing a signal having wide bandwidth and a high voltage level through a driver amplifier combining an OMD(Optical Modulator Driver) and a buffer amplification unit with an SMPA. CONSTITUTION: A drive amplifier(500) includes an OMD(501) and a buffer amplification unit(502). The OMD firstly amplifies a 1-bit digital bit stream outputted from a DSM(Delta Sigma Modulator). The buffer amplification unit secondly amplifies the firstly amplified 1-bit digital bit stream outputted from the OMD and provides the stream to the SMPA. The buffer amplification unit includes a common source amplifier.
Abstract translation: 目的：提供驱动放大器以通过组合OMD（光调制器驱动器）和缓冲放大单元与SMPA组合的驱动放大器提供具有宽带宽和高电压电平的信号来驱动高效SMPA。 构成：驱动放大器（500）包括OMD（501）和缓冲放大单元（502）。 OMD首先放大从DSM（Delta Sigma Modulator）输出的1位数字位流。 缓冲放大单元二次放大从OMD输出的首先放大的1位数字比特流，并将该流提供给SMPA。 缓冲放大单元包括公共源放大器。
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