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公开(公告)号：KR1020080034257A
公开(公告)日：2008-04-21
申请号：KR1020060100246
申请日：2006-10-16
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: An automation system for nano-wire transfer and a method for driving the same are provided to achieve high reproducibility with reduced misalignment errors for the mass nano-wire transfer, since the entire process is automatically controlled by a system control when a nano-wire is transferred to other substrates at the same pressure and conditions simultaneously. An automation system for nano-wire transfer(300) comprises an adhesive coating unit(310), a nano-wire transfer unit(330), a substrate moving unit(320), and a system control unit(340). The adhesive coating unit is to coat an adhesive onto a substrate(410) to be used in nano-wire transfer. The nano-wire transfer unit is to transfer nano-wire onto the substrate. The substrate moving part is installed between the adhesive coating unit and nano-wire transfer unit to move a substrate under process. The system control unit controls the adhesive coating layer, nano-wire transfer unit, and substrate moving unit.
Abstract translation: 提供了一种用于纳米线转移的自动化系统及其驱动方法，以实现高重现性并减少了大量纳米线转移的失准误差，因为当纳米线为 在相同的压力和条件下同时转移到其他基材。 一种用于纳米线转移（300）的自动化系统包括粘合剂涂覆单元（310），纳米线转移单元（330），基底移动单元（320）和系统控制单元（340）。 粘合剂涂布单元将粘合剂涂覆到用于纳米线转移的基底（410）上。 纳米线转移单元将纳米线转移到基底上。 基板移动部分安装在粘合剂涂布单元和纳米线转移单元之间以移动正在处理的基板。 系统控制单元控制粘合剂涂层，纳米线转移单元和基底移动单元。
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公开(公告)号：KR1020080023398A
公开(公告)日：2008-03-14
申请号：KR1020060087229
申请日：2006-09-11
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: G01L1/205 , B82B3/0009 , G01L1/18 , H01L21/3065 , H05K2201/05
Abstract: A force sensor using a Si nanowire and a method for manufacturing the same are provided to adjust resistance of a sensing element conveniently by controlling the amount of impurity doped in the Si nanowire. A force sensor using a Si nanowire comprises a membrane(110), a Si nanowire(120), and a plurality of electrodes(130). The membrane, a flexible plate, is mechanically changed by external force. The Si nanowire changes resistance according to the mechanical change of the membrane. The electrodes are installed at two sides of the Si nanowire. The Si nanowire is doped with impurities.
Abstract translation: 提供使用Si纳米线的力传感器及其制造方法，以通过控制在Si纳米线中掺杂的杂质的量来方便地调节感测元件的电阻。 使用Si纳米线的力传感器包括膜（110），Si纳米线（120）和多个电极（130）。 膜是柔性板，通过外力机械地改变。 Si纳米线根据膜的机械变化而改变电阻。 电极安装在Si纳米线的两侧。 Si纳米线掺杂有杂质。
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公开(公告)号：KR1020070117017A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：KR1020060050656
申请日：2006-06-07
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02F1/13
CPC classification number: G09G3/006 , G01R31/312 , G02F1/1309 , H05K13/08
Abstract: An inspection device of a thin film transistor panel of an LCD and a fabrication method thereof are provided to measure a TFT(Thin Film Transistor) formed at a liquid crystal panel precisely at a high speed by forming a plurality of MOSFETs(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) in a one-dimensional array and integrating the MOSFETs with an output signal circuit. At least one liquid crystal panel inspecting cell(405) is formed on a substrate to inspect a liquid crystal panel. A signal obtaining circuit unit(403) obtains a signal output from the liquid crystal panel inspecting cell. A connection unit electrically connects the liquid crystal panel inspecting cell and the signal obtaining circuit unit. The liquid crystal panel inspecting cell includes a field effect transistor formed on the substrate, a dielectric layer deposited on the field effect transistor, and a probe electrode(401) penetrating the dielectric layer and connected to a gate of the field effect transistor. A bonding pad(402) is formed at a source or a drain of the field effect transistor.
Abstract translation: 提供LCD的薄膜晶体管面板的检查装置及其制造方法，通过形成多个MOSFET（金属氧化物半导体场）来测量在液晶面板上高精度地形成的TFT（薄膜晶体管） 效应晶体管）在一维阵列中，并将MOSFET与输出信号电路集成。 在基板上形成至少一个液晶面板检查单元（405），以检查液晶面板。 信号获取电路单元（403）获得从液晶面板检查单元输出的信号。 连接单元电连接液晶面板检查单元和信号获取电路单元。 液晶面板检查单元包括形成在基板上的场效应晶体管，沉积在场效应晶体管上的电介质层，以及穿透介电层并连接到场效应晶体管的栅极的探针电极（401）。 焊盘（402）形成在场效应晶体管的源极或漏极处。
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公开(公告)号：KR100722837B1
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：KR1020050083448
申请日：2005-09-07
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/81
Abstract: 본 발명은 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 MEMS 구조물을 전송선로가 형성된 감광제상에 탑제하여 구성하는 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 웨이퍼 레벨 패키지는 MEMS 디바이스에 있어서, 기둥이 형성된 상부기판, 하부기판상에 증착된 씨드층, 상기 씨드층상에 도포된 감광제, 상기 감광제상에 탑제된 MEMS 구조물 및 상기 상부기판과 하부기판을 결합하는 접합수단을 포함한다.
따라서, 본 발명의 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조 방법은 감광제를 이용하여 관통 홀을 제작함으로써 홀의 형상이 수직하며, 벽면조도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 감광제에 전송선로를 형성시키기 위해 일반적인 노광공정 및 전주도금 공정을 이용함으로써 제조 원가를 절감할 수 있는 효과가 있다.
웨이퍼레벨패키징, SU-8, 실드캐비티, MEMS-
公开(公告)号：KR100678346B1
公开(公告)日：2007-02-05
申请号：KR1020050056800
申请日：2005-06-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01H59/00
Abstract: 본 발명은 멤스 알에프 스위치를 개시한 것으로서, 기판 상부로부터 소정 간격 이격되도록 지지된 접촉단자부의 회전운동에 의해 접촉단자부와 입력단자 및 출력단자를 능동적으로 연결하거나 단선시키도록 접촉단자부를 구동시키는 제 1 구동기와, 스위치의 연결 상태를 저전력으로 유지하도록 정전인력형 구동기로 이루어진 제 2 구동기로 구성된다.
이러한 구성에 의하면, 능동적으로 스위치를 단락시키고, 전력소모를 최소화하며, 접극자와 입출력단자 사이의 절연성을 증대시킴으로써, 스위치의 작동 신뢰성을 향상시킬 수 있는 멤스 알에프 스위치를 제공할 수 있다.
멤스, 알에프 신호, 스위치, 열 구동기, 압전 구동기, 정전인력 구동기-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100620254B1
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：KR1020040037937
申请日：2004-05-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/00
Abstract: 본 발명은 레퍼런스 스틱을 사용하여 상하부 기판 간격이 서브미크론 정밀도로 유지되도록 하는 멤스 스위치에 관한 것이다.
본 발명의 멤스 스위치 및 그 패키징 방법은 상부에 앵커가 있으며, 상부에 앵커가 있으며 상기 앵커상에서 지지되는 압전 액튜에이터가 구비된 캔틸레버가 있는 제 1 기판; 상기 제 1 기판 상부의 양측에 각각 고정된 한 쌍의 실링 링; 하부에 시소 지지용 앵커가 있으며 상기 한 쌍의 실링 링에 부착된 제 2 기판; 상기 제 2 기판에 위치하며 도전성 물질이 코팅되어 있는 비아홀; 상기 제 2 기판 하부에 위치하며 상기 비아홀과 각각 전기적으로 연결된 한 쌍의 스위치 전극; 상기 시소 지지용 앵커의 하부의 양측에 연장되어 온/오프 동작을 수행하기 위한 시소; 상기 시소의 양선단에 형성되어 있으며 상기 스위치 전극들과 대향하는 스위치 접점; 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 위치하여 상기 스위치 전극으로부터 전압을 입력받는 압전 액튜에이터 전극 및 상기 제 1 기판과 제 2 기판의 접합 두께 확보를 위해 상기 한 쌍의 실링 링과 상기 압전 액튜에이터 전극 사이에 위치하는 레퍼런스 스틱을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 멤스 스위치로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 멤스 스위치 및 그 패키징 방법은 레퍼런스 스틱을 두 기판 접합 공정시 사용함으로써 상하부 기판 간격을 서브미크론의 정밀도로 유지할 수 있어 접합 공정시 발생하는 공정 오차를 줄여주는 효과가 있다. 또한 상하부 기 판의 간격을 유지하는 부분과 접합하는 부분을 분리하여 저온 접합의 장점을 갖는 솔더 접합에 간격을 유지할 수 있는 효과가 있다.
멤스, 스위치, 시소, 레퍼런스 스틱-
公开(公告)号：KR1020050112260A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：KR1020040037196
申请日：2004-05-25
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01L41/314 , H01L41/0825 , H01L41/094 , H01L41/332
Abstract: 본 발명은 압전 구동 마이크로 그리퍼의 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 압전 구동 방식의 액츄에이터에 의한 그리핑 방식을 제안하여 저전압 구동과 그리핑의 힘을 크게 낼 수 있고, 그리핑 범위를 조절할 수 있는 그리퍼에 관한 것이다.
본 발명의 압전 구동 마이크로 그리퍼의 제조방법은 실리콘 웨이퍼를 이용하는 압전 구동 마이크로 그리퍼의 제조방법에 있어서, 실리콘 하부면을 에칭하고 실리콘 산화막과 폴리 실리콘을 차례로 증착하는 단계; 상기 증착된 폴리 실리콘 상에 질화 실리콘을 증착 및 패터닝하고 그리핑 구동 변위 센싱 및 제어를 위한 변위센서를 만드는 단계; 상기 폴리 실리콘 상부에 하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극 상부에 압전 물질을 증착 및 패터닝하여 압전 액츄에이터를 형성하는 단계; 상기 압전 액츄에이터 상부에 상부전극을 형성하는 단계 및 상기 폴리 실리콘과 실리콘 산화막의 일부를 제거하는 단계로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 압전 구동 마이크로 그리퍼의 제조방법은 압전 박막에 전압을 인가하여 길이 방향으로 수축시켜 압전 박막이 입힌 쪽으로 휘게 함으로써 물체를 잡거나 놓을 수 있고, 외팔 집게형과 양팔 집게형의 두 가지 형태로 제작이 가능한 장점이 있고, 그리핑 범위를 자유로이 조절할 수 있으며, 에너지 소비를 줄일 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100522140B1
公开(公告)日：2005-10-18
申请号：KR1020030055860
申请日：2003-08-12
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/027 , B82Y35/00
Abstract: 본 발명은 병렬 프로브로 리소그래피하는 방법에 관한 것으로, 웨이퍼 상에 병렬 프로브 어레이와 그 병렬 프로브 어레이 외측 또는 내측 영역에 상호 대칭되도록 복수개의 컨택 레벨링 프로브들을 형성하는 제 1 단계와; 상기 컨택 레벨링 프로브들과 병렬 프로브에 전압을 인가하여 구동시키는 제 2 단계와; 상기 병렬 프로브가 형성된 웨이퍼를 리소그래피를 수행할 대상 웨이퍼에 접근시키는 제 3 단계와; 상기 컨택 레벨링 프로브들 중, 하나의 컨택 레벨링 프로브가 상기 대상 웨이퍼에 접촉되면, 병렬 프로브가 형성된 웨이퍼를 수평 정렬하는 제 4 단계와; 상기 모든 컨택 레벨링 프로브들이 상기 대상 웨이퍼에 접촉되면, 모든 프로브들에 인가된 전압을 해제하는 제 5 단계와; 상기 병렬 프로브가 형성된 웨이퍼를 대상 웨이퍼에 일정간격으로 근접시킨 후, 상기 병렬 프로브에 전압을 인가하여 리소그래피 공정을 수행하는 제 6 단계로 구성된다.
따라서, 본 발명은 컨택 레벨링(Contact leveling) 프로브를 형성하여, 리소그래피 공정을 수행하기 위해 병렬 프로브 어레이를 대상 웨이퍼로의 접근 시, 과도한 접촉에 의한 병렬 프로브 파괴를 방지하고, 고속 리소그래피 공정을 수행하여 나노 소자의 대량생산을 가능하게 할 수 있는 효과를 갖는다.-
公开(公告)号：KR100498988B1
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：KR1020030055859
申请日：2003-08-12
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/027 , B82Y35/00
Abstract: 본 발명은 병렬 프로브를 이용하여 패터닝하는 방법에 관한 것으로, 웨이퍼 상에 병렬 프로브 어레이와, 그 병렬 프로브 어레이 영역의 외측 또는 내측 영역에 상호 대칭되며, 상기 병렬 프로브보다 구동 변위가 큰 복수개의 컨택 레벨링 프로브들이 형성된 웨이퍼를 리소그래피를 수행할 대상 웨이퍼 상부에 위치시키는 제 1 단계와; 상기 컨택 레벨링 프로브들을 구동시키고, 상기 모든 컨택 레벨링 프로브들이 리소그래피를 수행할 대상 웨이퍼에 접촉되지 않으면, 상기 컨택 레벨링 프로브들이 형성된 웨이퍼를 수평 정렬시키는 제 2 단계와; 상기 컨택 레벨링 프로브로 대상 웨이퍼에 리소그래피 공정을 수행하여 정렬 마크(Alignment mark)를 형성 및 인식하는 제 3 단계와; 상기 병렬 프로브들로, 상기 대상 웨이퍼에 리소그래피 공정을 수행하고, 현상(Develop) 및 패터닝(Patterning)공정을 수행하는 제 4 단계로 구성된다.
따라서, 본 발명은 컨택 레벨링(Contact leveling) 프로브(병렬프로브 보다는 구동변위가 크며, 리소그래피를 수행할 대상웨이퍼에 접촉하여 병렬프로브의 수평정렬, 정렬마크 리소그래피와 AFM(Atomic Force Microscopy)으로 정렬마크 표면감지를 수행하는 프로브)를 형성하여, 리소그래피 공정을 수행하기 위해 병렬 프로브 어레이를 대상 웨이퍼로의 접근 시, 과도한 접촉에 의한 병렬 프로브 파괴를 방지하고, 고속 리소그래피 공정을 수행하여 나노 소자의 대량생산을 가능하게 할 수 있으며, 컨택 레벨링 프로브로 정렬 마크를 형성하고 이를 표면감지하여 정밀한 패터닝을 형성할 수 있는 효과를 갖는다.-
公开(公告)号：KR1020050018038A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：KR1020030055859
申请日：2003-08-12
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/027 , B82Y35/00
Abstract: PURPOSE: A patterning method using a parallel probe is provided to prevent a parallel probe from being broken by excessive contact when a parallel probe array approaches a target water to perform a photolithography process by forming a contact leveling probe. CONSTITUTION: A parallel probe array is formed on a wafer. The wafer having a plurality of contact leveling probes that are mutually symmetrically formed in the outer or inner regions of a parallel probe array region and have a larger driving displacement than the parallel probe is positioned on a target wafer on which a photolithography process is to be performed. The contact leveling probes are driven. If all the contact leveling probes don't come in contact with the target wafer, the wafer including the contact leveling probes is horizontally aligned(S170). By using the contact leveling probes, a photolithography process is performed on the target wafer to form and recognize an alignment mark(S190). By using the parallel probes, a photolithography process is performed on the target wafer(S230) and a development/patterning process are performed(S240).
Abstract translation: 目的：提供使用平行探针的图案化方法，以在平行探针阵列接近目标水以通过形成接触平衡探针进行光刻处理时，防止平行探针被过度接触破坏。 构成：在晶片上形成平行的探针阵列。 具有相互对称地形成在平行探针阵列区域的外部或内部区域中并且具有比平行探针更大的驱动位移的多个接触调平探针的晶片位于其上将在其上进行光刻工艺的目标晶片上 执行。 触点调平探头被驱动。 如果所有的接触调平探针不与靶晶片接触，则包括接触校平探针的晶片水平对准（S170）。 通过使用接触调平探针，在目标晶片上进行光刻处理以形成并识别对准标记（S190）。 通过使用并行探针，对目标晶片进行光刻处理（S230），进行显影/图案化处理（S240）。
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