公开(公告)号：KR1019970001259B1

公开(公告)日：1997-02-04

申请号：KR1019960050579

申请日：1996-10-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정형진 ,  김현재 ,  김경용 ,  윤석진 ,  윤상옥 ,  나까무라데쯔오 ,  이또미찌루

IPC: C04B35/465

Abstract: Dielectric ceramic composition for high-frequency wave is described which has high quality coefficient(Q value) and dielectric constant, and good temperature coefficient of resonance frequency. The dielectric ceramic composition may be represented as following formula: (1-z)(Sr1-yCay)TiO3-zLa(Zn1-x/2Mgx/2Ti1/2)O3, where, the range of x is from 0 to 1.0, the range of y is from 0.01 to 0.99 and the range of z is from 0.4 to 0.7. The dielectric composition according to the invention has dielectric constant of 33.1 to 60.2, Qxfo(GHz) of 25,060 to 66,140, and the temperature coefficient of resonance frequency(TCF) ranging from -39.35 to 83.60 ppm/deg. C, which TCF being able to be controlled at a range of +-10ppm/deg. C depending on amount of addition of impurities, so that the ceramic composition may effectively be used in telecommunication system.

Abstract translation: 描述了具有高质量系数（Q值）和介电常数以及良好的共振频率温度系数的用于高频波的介电陶瓷组合物。 电介质陶瓷组合物可以由下式表示：（1-z）（Sr1-yCay）TiO3-zLa（Zn1-x / 2Mgx / 2Ti1 / 2）O3，其中x的范围为0至1.0， y的范围为0.01〜0.99，z的范围为0.4〜0.7。 根据本发明的电介质组合物的介电常数为33.1〜60.2，Qxfo（GHz）为25,060〜66,140，共振频率（TCF）的温度系数为-39.35〜83.60 ppm / deg。 C，哪个TCF能够控制在+ -10ppm / deg的范围内。 C取决于杂质的添加量，使得陶瓷组合物可以有效地用于电信系统中。

公开(公告)号：KR1019970001062B1

公开(公告)日：1997-01-25

申请号：KR1019940013994

申请日：1994-06-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정형진 ,  김현재 ,  김경용 ,  윤석진 ,  윤상옥 ,  나까무라데쯔오 ,  이또미찌루

IPC: C04B35/46

Abstract: High frequency dielectric material comprises a basic compsn. (1) (1-y) SrTiO3- y(La(1-x)Ndx)(Mg1/2 Ti1/2)O3 (where x=0-0.1, y=0.01-0.99 and z=0.4-0.7)which reduces the dielectric loss.

Abstract translation: 高频电介质材料包括基本组成。 （1）（1-y）SrTiO3-y（La（1-x）Ndx）（Mg1 / 2Ti1 / 2）O3（其中x = 0-0.1，y = 0.01-0.99和z = 0.4-0.7） 降低介电损耗。

公开(公告)号：KR1019970001055B1

公开(公告)日：1997-01-25

申请号：KR1019940015401

申请日：1994-06-30

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정형진 ,  김현재 ,  김경용 ,  윤석진 ,  윤상옥 ,  나까무라데쯔로우 ,  이또오미쯔루 ,  손정호

IPC: C04B35/45

Abstract: Dielectric composition(1-y)CaTiO3-y(Zn1-x/2Mgx/2Ti1/2)O3 is claimed. In formula x is from 0 to 1.0, y is more than 0.3 at least 0.9. In an example, a mixed powder of CaCO3, La2O3, TiO2, ZnO, and MgO is sintered at 1,050 deg.C for 10 hr, crushed, sintered at 1,200-1,300 deg.C to give a synthetics which is crushed and sintered at 1,500-1,650 deg.C. Measured frequency is 8-12 HGz, temperature range is -15-85 deg.C.

Abstract translation: 要求保护电介质组成（1-y）CaTiO3-y（Zn1-x / 2Mgx / 2Ti1 / 2）O3。 在式x中为0至1.0，y大于0.3至少0.9。 在一个实例中，将CaCO 3，La 2 O 3，TiO 2，ZnO和MgO的混合粉末在1050℃下烧结10小时，在1,200-1300℃下烧结，烧结，得到在1500℃下粉碎和烧结的合成物 -1,650摄氏度 测量频率为8-12 HGz，温度范围为-15-85℃。

公开(公告)号：KR1019960000824A

公开(公告)日：1996-01-25

申请号：KR1019940015403

申请日：1994-06-30

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김현재 ,  정형진 ,  오영제 ,  윤석진 ,  나까무라데쯔로우 ,  이또오미쯔루 ,  손정호

IPC: C04B35/46

Abstract: 본 발명은 조성식(1-y)(Sr
1 -
x Ca
x )TiO
3 -yNd(Mg
1/2 Ti
1/2 )O
3 로 로 표시되고, x의 범위가 0.01
x
1.0이고, y의 범위가 0.3
y
0.6인 마이크로ㅠ파용 유전체 조성물을 제공한다. 이 조성물은 유전율이 30 내지 60이고, Q
x f
o (GHz)가 9,500 내지 50,000이며 공진 주파수의 온도 계(TCF)의 범위가 -60 내지 +60ppm/℃이므로, 마이크로파용 유전체 세라믹스가 요구되는 통신 시스템에 적합하게 이용될 수 있다.

公开(公告)号：KR1019940022936A

公开(公告)日：1994-10-22

申请号：KR1019930003009

申请日：1993-03-02

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김현재 ,  윤석진 ,  정형진

IPC: H01L41/16

Abstract: 본 발명은 xPb(Y
2/3 W
1/3 )O
3 -yPbZrO
3 -zPbTiO
3 를 기본조성으로하며(0.01 ≤x0.02, 0.215 ≤y, z ≤0.764 이고 z+y+x=1임) La
2 O
3 , MnO
2 , Nb
2 O
2 , Cr
2 O
3 및 Ta
2 O
5 중 어느 한가지를 0.1-1.0중량%함유하는 산화물 압전재료에 관한 것이다. 이와같은 본 발명의 산화물 압전재료는 전기기계 결합계수가 높고 기계적 품질계수가 낮으며 큰 압전상수를 가지므로 각종 진동자 및 음향필터의 소재로써 사용될 수 있을 뿐 아니라 액츄에이터 소재로서도 적합하다.

公开(公告)号：KR100965433B1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：KR1020080031294

申请日：2008-04-03

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 윤석진 ,  김현재 ,  강종윤 ,  송현철

IPC: H02N2/02 ,  H02N2/00

Abstract: 본 발명은 하나의 압전초음파모터를 이용하여 X- 및 Y-축뿐만 아니라 그 축 사이의 임의의 각도로도 선형운동이 가능한 전방향성 선형 압전초음파모터에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전방향성 선형 압전초음파모터는, 베이스와, 베이스에 결합되어 있고 각각 독립된 교류 전계가 인가되는 분리된 4개의 압전 세라믹으로 구성되어 기계적 진동을 발생시키는 압전 세라믹 진동체와, 4개의 압전 세라믹에 부착되어 압전 세라믹에 의한 기계적 진동을 전달하기 위한 전달부재와, 전달부재의 단부에 결합되어 있는 팁과, 팁과 마찰하여 구동되는 이동판을 포함한다.
압전효과, 초음파모터, 압전모터, 압전 액츄에이터, 세라믹 진동체, 원환형

公开(公告)号：KR1020090126791A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：KR1020080053094

申请日：2008-06-05

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 윤석진 ,  최지원 ,  김현재 ,  김상종

IPC: F04B43/04 ,  B81B3/00

Abstract: PURPOSE: A piezoelectric valveless micro pump is provided to ensure smooth flow of fluid at the inlet and outlet ports by a pair of piezoelectric actuators. CONSTITUTION: Piezoelectric actuators of a fluid inlet part are located on the upper part of a chamber(10) formed inside of a piezoelectric valveless micro pump. A specific amount of fluid is inhaled to the chamber through a fluid inlet path(16) when the piezoelectric actuators are expanded, and uniform flow rate of fluid is discharged in one direction by carrying a specific amount of fluid to a fluid outlet part(14) when the piezoelectric actuators of the fluid outlet part are contracted. A diaphragm(20) is composed of a bottom electrode(22) located on the upper part of the bottom electrode, a pair of the piezoelectric actuators(24) located on the bottom electrode and an upper electrode, and the upper electrode(26) located on the upper part of each piezoelectric actuator.

Abstract translation: 目的：提供一种压电无阀微型泵，以确保一对压电致动器在入口和出口处平稳流动流体。 构成：流体入口部分的压电致动器位于形成在压电无阀微泵内部的室（10）的上部。 当压电致动器膨胀时，特定量的流体通过流体入口路径（16）被吸入室中，并且通过将特定量的流体携带到流体出口部分（14）将流体的均匀流量在一个方向排出 ）当流体出口部分的压电致动器收缩时。 隔膜（20）由位于底部电极的上部的底部电极（22），位于底部电极上的一对压电致动器（24）和上部电极构成，上部电极（26） 位于每个压电致动器的上部。

公开(公告)号：KR100883332B1

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：KR1020070050002

申请日：2007-05-23

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김진상 ,  윤석진 ,  정대용 ,  김현재 ,  김정훈 ,  권성도

IPC: B05D1/18 ,  H01L21/20

Abstract: 본 발명은 고품질 박막 증착을 위한 화학적 기판처리 방법 및 이를 이용한 박막형 열전소재의 형성 방법에 관한 것으로, 기판을 수산화칼륨(KOH) 용액에 함침시키고 표면 처리하는 본 발명의 기판 전처리 방법에 따르면, 절연성 기판 또는 전극용 금속막이 증착된 기판상에 물성이 우수한 고품위 박막을 성장시킬 수 있어 박막형 열전모듈을 비롯한, 금속막 위에 양질의 반도체 박막 형성을 필요로 하는 전자 소자 부품 등을 제조하는 데 유리하게 이용될 수 있다.
수산화칼륨, 열전소재, 열전반도체, 금속 전극, 기판처리, 박막

公开(公告)号：KR1020080103126A

公开(公告)日：2008-11-27

申请号：KR1020070050002

申请日：2007-05-23

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김진상 ,  윤석진 ,  정대용 ,  김현재 ,  김정훈 ,  권성도

IPC: B05D1/18 ,  H01L21/20

Abstract: A chemical treating method of substrate and thin film type thermoelectric material using the same are provided, in which crystal growth easily occurs in the growth of different kind of thin film at the top of the substrate. Organic compound remaining in the sapphire substrate surface is removed by using acetone, methanol, and distilled water. The substrate is put into the mixture of the sulfuric acid(H2SO4) and the phosphoric acid(H3PO4) of 3:1 ratio. The substrate is heated at 160deg.C for 10 minutes. The surface of sapphire board is etched. The sapphire substrate prepared through the process is dipped into the potassium hydroxide aqueous solution of 0.1 % concentration for 20 minutes and chemically treated. Bismuth-telluride(Bi2Te3) thin film grows in the reaction tube made of the quartz tube under the atmosphere pressure for 10 seconds using metal-organic chemical vapor deposition.

Abstract translation: 提供了使用其的基板和薄膜型热电材料的化学处理方法，其中在基板顶部的不同种类的薄膜的生长中容易发生晶体生长。 通过使用丙酮，甲醇和蒸馏水除去保留在蓝宝石衬底表面中的有机化合物。 将底物放入3:1比例的硫酸（H 2 SO 4）和磷酸（H 3 PO 4）的混合物中。 将基板在160℃加热10分钟。 蓝宝石板的表面被刻蚀。 将通过该方法制备的蓝宝石衬底浸入0.1％浓度的氢氧化钾水溶液中20分钟并进行化学处理。 铋 - 碲化物（Bi2Te3）薄膜在使用金属有机化学气相沉积的大气压下在由石英管制成的反应管中生长10秒钟。

公开(公告)号：KR1020050117271A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：KR1020040042532

申请日：2004-06-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 강종윤 ,  최지원 ,  윤석진 ,  김현재 ,  이동균 ,  이경우

IPC: H01L41/08

CPC classification number: H01L41/0838 ,  H01L41/0471 ,  H01L41/09

Abstract: 본 발명은, 압전 특성을 갖는 복수의 압전체, 상기 압전체 상하에 각각 배치되는 상부전극 및 하부전극, 그리고 상기 상부전극 및 하부전극의 종단부에 인접하도록 상기 각각의 압전체 내에 배치된 한 쌍의 금속성 부유전극을 포함하는 압전 적층 액추에이터를 제공한다. 부유전극은 일정한 폭을 갖는 밴드 형상이고, 상기 상부전극 및 하부전극의 종단을 형성하는 선과 상기 부유전극의 상기 폭 방향의 중심선이 동일 수직선 상에 위치하도록 상기 압전체 상에 배치된다.