Abstract:
전극막의 제조 방법 및 이를 이용하는 커패시터의 제조 방법을 제공한다. 전극막 제조 방법은, 기판 상에 주석 전구체 및 산소 소스를 순차적으로 제공하는 제1 서브 사이클(first sub-cycle)을 수행하고, 제1 서브 사이클을 수행한 기판 상으로 주석 전구체, 탄탈륨 전구체, 및 산소 소스를 순차적으로 제공하는 제2 서브 사이클을 수행하고, 제1 서브 사이클 및 제2 서브 사이클이 하나의 사이클(cycle)을 구성하며, 사이클을 반복 수행하여, 기판 상에 탄탈륨이 도핑된 주석 산화막을 형성하는 것을 포함한다. 탄탈륨이 도핑된 주석 산화막 내 탄탈륨 농도는 제2 서브 사이클에서 제공되는 주석 전구체에 의해 결정된다.
Abstract:
본 발명은 압전 복합체를 이용한 플렉서블 압전 에너지 하베스팅 소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 제조방법은 제 1 플렉서블 기판 상에 제 1 전극층을 형성시키는 단계; 상기 제 1 전극층에 압전 파우더와 중합체를 혼합한 압전 복합체층을 스핀 코팅하는 단계; 상기 압전 복합체층을 열처리하여 경화시키는 단계; 및 상기 경화된 압전 복합체층 상에 제 2 전극층이 형성된 제 2 플렉서블 기판을 접합시키는 단계를 포함하며, 이와 같이 압전 파우더와 중합체를 혼합하여 제조된 압전 복합체층을 도입하여 플렉서블 압전 에너지 하베스팅 소자를 구현함으로써 단순한 공정과 다양한 크기와 패턴을 가진 고효율의 플렉서블 압전 에너지 하베스팅 소자를 제작할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A piezoelectric ceramic composition is provided to have large value of piezo-electric constant, mechanical quality factor and electromechanical coupling coefficient by adding either a sintering aid or both the sintering aid and donor. CONSTITUTION: A piezoelectric ceramic composition comprises a compound which is represented by chemical formula 1 and CuO. The chemical formula 1 is as follows: XPb (ZraTib) O3- YPb (AlcNbd) O3- ZPb (MneSbf) O3. In the chemical formula 1, X+Y+Z=1, 0.8
Abstract translation:目的:提供压电陶瓷组合物,通过添加烧结助剂或烧结助剂和供体两者,具有较大的压电常数值,机械品质因数和机电耦合系数。 构成:压电陶瓷组合物包含由化学式1和CuO表示的化合物。 化学式1如下:XPb(ZraTib)O3-YPb(AlcNbd)O3-ZPb(MneSbf)O3。 在化学式1中,X + Y + Z = 1,0.8 <= X <1.0,0.04 <= Y <= 0.1,0.04 <= Z <= 0.1,a + b = 1,0.4 <= a <= 0.6 ,0.4 <= b <= 0.6,c + d = 1,0.2 <= c <= 0.4,0.6 <= d <= 0.8,e + f = 1,0.2 <= e <= 0.4,0.6 < = 0.8。 基于组合物的总重量,包括0.5-2.0重量%或1.5重量%的CuO。 压电陶瓷组合物由化学式2表示。化学式2如下:0.9Pb(Zr0.48Ti0.52)O3-0.05Pb(Al1 / 3Nb2 / 3)O3-0.05Pb(Mn1 / 3Sb2 / 3) O3。 该组合物另外包括La 2 O 3。 基于组合物的总重量包含0-0.5重量%的La 2 O 3。
Abstract:
본 발명은 (1) 바인더 및 마찰 분쇄된 세라믹 입자를 포함하는 압전 세라믹 입자를 함유하는 페이스트를 준비하는 단계; (2) 상부 표면에 하부 전극이 형성되어 있는 기판 상에 상기 페이스트를 스크린 프린팅하는 단계; (3) 상기 스크린 프린팅된 페이스트로부터 바인더를 제거하는 단계; 및 (4) 바인더가 제거된 기판을 어닐링하는 단계를 포함하는 압전 세라믹 후막의 제조 방법을 제공한다. 또한, 상기 단계 (3)의 전 또는 후에, 냉간 등방향 정압 프레스(CIP) 단계 (3')을 더 포함하는 것인 압전 세라믹 후막의 제조 방법을 제공한다. 압전 후막, 압전 세라믹 입자, 냉간 등방향 정압 프레스, 스크린 프린팅, 마찰 분쇄, 급속열처리
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing Pb-free piezoelectric ceramic is provided to improve sinterability, crytallien property, and piezoelectric characteristic. CONSTITUTION: A Pb-free piezoelectric ceramic has perovskite structure of chemical formula 1. A method for manufacturing the Pb-free piezoelectric ceramic comprises: a step of mixing Na_2CO_3, K_2CO_3, Nb_2O_5, BaCO_3, SrCO_3 and TiO2; a step of pulverizing by ball milling and drying; a step of calcining at 600-1100°C for 1-10 hours; a step of re-pulverizing calcinated powder by ball-milling or attrition milling; a step of drying the powder and pressing; and a step of sintering at 900-1200°C for 1-8 hours.
Abstract translation:目的:提供无铅压电陶瓷的制造方法,以提高烧结性,凝固性和压电特性。 无铅压电陶瓷具有化学式1的钙钛矿结构。无铅压电陶瓷的制造方法包括:将Na 2 CO 3,K 2 CO 3,Nb 2 O 5,BaCO 3,SrCO 3和TiO 2混合的步骤; 通过球磨和干燥粉碎的步骤; 在600-1100℃下煅烧1-10小时的步骤; 通过球磨或研磨研磨再次粉碎煅烧粉末的步骤; 干燥粉末并压制的步骤; 在900-1200℃下烧结1-8小时的步骤。
Abstract:
PURPOSE: By comparing to the cantilever structure of being general and a lot multiplying the effective area the high efficiency piezoelectricity energy harvest time having spiral structure a lot improves the energy conversion efficiency. CONSTITUTION: A substrate(201) is proceed the elastic role. In order to draw out the energy it electrical, the first electrode(202) is evaporated in substrate. The piezoelectric element(203) is evaporated in the first electrode. The piezoelectric element changes the mechanical energy into the energy it electrical. The piezoelectric element has the spiral structure. The piezoelectric element has the outer vibrator and the natural frequency canning be resonated. The second electrode(204) is evaporated in the piezoelectric element in order to draw out the energy it electrical as described above.
Abstract:
A manufacturing method of the piezoelectric element is provided to prevent the oxidation of the metallic board while heightening the flexibility of piezoelectric. A manufacturing method of the piezoelectric element comprises the formation step of a bottom electrode(30); the formation step of the powder paste; the formation step of the thin film(10) of the powder paste; the formation step of the upper electrode(40); the performance step of the rapid thermal processing; and the performance step of the polarization. The bottom electrode is formed on the metallic(20). The upper electrode is formed on the thin-film of the powder paste.