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公开(公告)号：KR100356691B1
公开(公告)日：2002-10-18
申请号：KR1020000016605
申请日：2000-03-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 정전 열 접합(Electrostatic bonding)을 이용한 진공실장방법에 관한 것으로, 구체적으로는 반도체 기판과 유리 기판 또는 유리기판과 유리기판간의 정전 열 접합을 이용하여 디스플레이나 마이크로 소자를 진공 실장하는 기술에 관한 것이다. 본 발명은 기존의 배기용 세관 공정에 비해 저온에서 체적이 작은 패널 내부의 진공 효율을 극대화시키고, 실리콘 기판의 입자투과율과 물리적 강도등의 단점을 극복하며, 마이크로 소자의 피드쓰루(Feed-through)를 효율적으로 형성하는 고진공실장방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR100302528B1
公开(公告)日：2001-11-22
申请号：KR1019970043624
申请日：1997-08-30
Applicant: 오리온전기 주식회사 , 한국과학기술연구원
IPC: H01J9/24
Abstract: PURPOSE: A photoconductive film charging method for manufacturing a dry electrophotographical screen of a cathode ray tube and an apparatus thereof are provided to discharge a photoconductive film over an entire panel by adjusting an inner surface of a panel and a discharge electrode according to a discharge current. CONSTITUTION: A current detector(78) detects a current flowing through an opposed electrode and outputs a digital current value. A controller compares the digital current value from the current detector(78) with a reference value. When the digital current value is greater than the reference value, the controller outputs a falling signal for falling an electrode. When the digital current value is less than the reference value, the controller outputs a rising signal for rising the electrode. A pulse motor driver(76) applies a current for forward or reverse rotation to a pulse motor according to the falling or rising signal from the controller. The pulse motor rotates in a forward or reverse direction according to an output of the pulse motor driver(76). Reciprocal moving tools(72) moves a discharge electrode up or down according to forward or reverse rotation of the pulse motor.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020010100603A
公开(公告)日：2001-11-14
申请号：KR1020000023920
申请日：2000-05-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 적외선 감지층으로 이용되는 다층 구조의 산화바나듐막(V
2 O
5 ) 제조 방법에 관한 것으로, 다층박막법을 이용하여 V
2 O
5 /V/V
2 O
5 의 샌드위치 구조를 증착한 후 저온 열처리를 통한 확산 공정에 의해 박막의 재현성 및 특성 조절이 용이하도록 하는 다층박막법을 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 기존의 제조 방식인 스퍼터링법을 이용한 단층의 산화바나듐 박막 제조방법이 스퍼터링 장비가 갖는 재현성의 한계 때문에 박막 특성의 재현성 확보가 어려웠으나, 스퍼터링 장비의 재현성 한계 내에서 제조 가능한 안정상 인 산화바나듐막과 바나듐금속막의 복합구조를 제조한 후 저온에서 열처리하여 확산시킨다.
따라서, 본 발명은 재현성 있고 우수한 적외선 흡수능을 갖는 혼합 바나듐산화 박막 제조가 가능하며, 적외선 감지소자의 성능을 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR100286252B1
公开(公告)日：2001-04-16
申请号：KR1019970046678
申请日：1997-09-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/00
Abstract: PURPOSE: A electrostatic thermal junction formation method of a semiconductor substrate is provided to short a junction process time and reduce a cost of a products by deposing a mixed compound of a metal oxide and a silicon oxide on the substrate to use as an intermediate layer for connecting both of semiconductor substrates. CONSTITUTION: A semiconductor substrate is cleaned by a cleaning process. A mixed compound of a metal oxide and a silicon oxide is deposited on the cleaned substrate. A substrate having the mixed compound is cleaned. The substrate having the mixed compound is applied by a temperature of 10-500 °C and a general semiconductor substrate is applied by a voltage of 10-400 V and both substrate is connected. Acetone, methanol, or deionized water are used for the cleaning process. The deposition process of the mixed compounds of the metal oxide and a silicon oxide is performed by using an electron beam deposition method.
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公开(公告)号：KR100270611B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019970046677
申请日：1997-09-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/00
Abstract: PURPOSE: A method for electrostatic thermal bonding is provided to obtain reduction of manufacturing cost, stability and reliability of the product by bonding a semiconductor substrate and a glass substrate after a hydrophilic treatment. CONSTITUTION: A glass substrate and a semiconductor substrate are cleaned by immersing the same in a hydrophilic solution for a few minutes. The hydrophilic solution is provided by mixing ammonia, peroxide and deionized water with one another in a ratio of 4:1:6 and annealing the mixed solution in a range of from 45deg.C to 100deg.C. The hydrophilic-treated glass substrate and semiconductor substrate are dried in the next step. The dried substrates are firstly bonded directly each other. The directly bonded substrates are finally bonded by applying a voltage ranging from 200V to 700V and a temperature ranging from 200deg.C to 500deg.C.
Abstract translation: 目的：提供一种用于静电热粘合的方法，以在亲水处理之后通过粘合半导体衬底和玻璃衬底来降低制造成本，稳定性和可靠性。 构成：将玻璃基板和半导体基板浸渍在亲水性溶液中清洗几分钟。 通过将氨，过氧化物和去离子水以4:1:6的比例混合并将混合溶液在45℃至100℃范围内退火而提供亲水性溶液。 亲水处理的玻璃基板和半导体基板在下一步骤中干燥。 干燥的基材首先直接接合。 通过施加200V〜700V的电压和200〜500℃的温度，直接键合的基板最终结合。
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公开(公告)号：KR100206274B1
公开(公告)日：1999-07-01
申请号：KR1019950012956
申请日：1995-05-24
Applicant: 오리온전기 주식회사 , 한국과학기술연구원
IPC: H01J29/02
Abstract: 균일하게 광전도막을 대전 및 노광시킬 수 있는 음극선관의 전자사진식 스크린 제조방법과 이에 사용되는 광전도막 대전장치를 제공한다. 광전도막의 대전공정이 : (1) 투명전도막의 1차막과 투명절연막의 2차막으로 된 투명한 충전전극을 준비하여 그 투명절연막을 상기 판넬의 광전도막에 접촉시키는 단계; (2) 그 접촉된 상태에서 그 충전전극의 전도막과 판넬의 전도막에 직류전원을 인가하여 충전시키는 단계; (3) 그 직류전원이 인가된 상태에서 투명한 충전전극을 통과하여 광전도막의 전면적에 광선을 조사하므로써 광전도막으로 판넬의 전도막의 충전된 전하를 이동시키는 단계; 그리고 (4) 그 광전도막으로 전하가 이동된 후 전원과 광원을 차단시키고 충전전극을 분리시키는 단계를 포함한다. 또한, 대전장치는, 판넬의 광전도막에 전면적에 걸쳐 잡 접촉하도록 투명전도막의 1차막과 투명절연막의 2차막이 형성된 투명충전전극판; 그 충전전극판이 고정되고 그 충전전극판의 전도막과 절연막 및 상기 광전도막에 빛을 가하기 위한 개구가 형성된 충전전극판홀더; 상기 충전전극판홀더의 개구를 통하여 상기 광전도막에 빛을 가하기 위한 광원; 상기 광전도막과 절연막과의 접촉위치와 분리위치사이에서 상기 판넬과 충전전극판의 어느 하나를 이동시키도록 그 판넬홀더와 충전전극판홀더의 어느 하나의 이동수단; 그리고 상기 판넬의 전도막과 충전전극판의 전도막에 직류전위를 인가하기 위한 직류전원을 구비한다. 방전장치 없이 충전전극에 의하여 균일하게 광전도막을 대전시킬 수 있어 형광체 도포두께 및 크기, 형상 등을 균일하게 할 수 있을 뿐만 아니라, 노광공정까지도 동시에 실시할 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100202866B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950012958
申请日：1995-05-24
Applicant: 오리온전기 주식회사 , 한국과학기술연구원
IPC: H01J9/233
Abstract: 형광막을 균일하게 형성하기 위해 광전도막에 균일하게 대전하여 스크린을 제조하는 방법이 제공된다. (1) 상기 판넬내면에 휘발성전도막을 형성시키는 1차코팅 단계; (2)그 전도막위에 전기적 절연을 위한 절연막을 형성시키는 2차코팅 단계; (3) 그 절연막위에 제1파장역의 광선에 감응하는 물질을 함유하는 휘발성의 제1광전도막을 형성시키는 3차코팅단계; (4) 그 제1광전도막위에 제2파장역의 광선에 감응하는 물질을 함유하는 휘발성의 제2광전도막을 형성시키는 4차코팅 단계; (5) 그 제2광전도막에 -직류전극을 인가하고 상기 전도막에 +직류전극을 인가하면서 그 제2광전도막에 제2파장역의 광선을 전면에 걸쳐 노광하므로서 균일한 정전하를 그 제2광전도막에 대전시키는 대전단계; (6) 그 제2광전도막의 정전하를 선택적으로 제1광전도막에 이동시키도록 제1파장역의 광선으로 새도우마스크를 통과시켜 노광하는 노광단계; 그리고 (7) 상기 노광단계(6)에서 정전하가 선택적으로 이동된 제1광전도막의 노광부분과 그 나머지 비노광부분중 어느 하나의 영역에 대전된 미세분말을 부착시키는 현상단계를 포함한다. 이에 따라, 코로나방전장치와 같은 방전장치가 필요없을 뿐만 아니라 복잡한 방전조건을 조절할 필요없이 대전을 균일하게 할 수 있고, 공정도 단순화되며, 형광체 도포두께 및 크기, 형상등을 균일하게 할 수 있는 효과가 있다.
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