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公开(公告)号：KR101068490B1
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：KR1020100075959
申请日：2010-08-06
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 본 발명은 물리 기상 증착을 이용하여 기판(wafer)위에 n형 반도체 패턴과 p형 반도체 패턴을 형성하여 박막형 열전 에너지변환 모듈을 제조하는 공정에 관한 것이다.
보다 구체적으로는 열전 박막소재로 이용되는 금속화합물을 co-evaporating이나 co-sputtering 공정을 이용하여 증착함으로써 정확한 조성비를 갖는 n형 반도체 패턴과 p형 반도체 패턴으로 형성하여 열전성능이 높은 박막형 열전 에너지변환 모듈을 제조하는 공정에 관한 것이다.Abstract translation: 本发明涉及用于制造薄膜热电能量转换模块，以形成通过使用物理气相沉积一个n型半导体图案和衬底（晶片）上的p型半导体图案的工艺。
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公开(公告)号：KR1020110043424A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：KR1020100075961
申请日：2010-08-06
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film thermoelectric energy conversion module is provided to correct a height error and an arrangement error of an n type semiconductor pattern and a p type semiconductor pattern by using a solder ball when a substrate is bonded. CONSTITUTION: An insulation layer(110) and an electrode layer(120) are formed on a substrate(100). A first photoresist is formed on the electrode layer. The first photoresist is patterned. A part of the insulation layer is exposed by using the patterned first photoresist. A lift-off resistor and a second photoresist are successively formed on the exposed insulation layer. The upper side of the electrode layer is partially exposed by etching the lift-off photoresistor. A first semiconductor pattern(160a) is formed on the exposed electrode layer. A first pattern is formed by removing a second photoresist pattern and the lift-off resistor. A second pattern with a second semiconductor pattern is formed. The second semiconductor pattern is opposite to the first semiconductor pattern. A solder ball is bonded between the upper side of the first pattern and the electrode layer of the substrate with the second pattern.
Abstract translation: 目的：提供一种制造薄膜热电能转换模块的方法，用于当基片接合时通过使用焊球来校正n型半导体图案和p型半导体图案的高度误差和布置误差。 构成：在基板（100）上形成绝缘层（110）和电极层（120）。 在电极层上形成第一光致抗蚀剂。 第一光致抗蚀剂被图案化。 通过使用图案化的第一光致抗蚀剂来暴露绝缘层的一部分。 在暴露的绝缘层上依次形成剥离电阻和第二光致抗蚀剂。 通过蚀刻剥离光敏电阻来部分地暴露电极层的上侧。 在暴露的电极层上形成第一半导体图案（160a）。 通过去除第二光致抗蚀剂图案和剥离电阻器形成第一图案。 形成具有第二半导体图案的第二图案。 第二半导体图案与第一半导体图案相对。 焊料球以第二图案结合在第一图案的上侧和基板的电极层之间。
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公开(公告)号：KR1020110043423A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：KR1020100075960
申请日：2010-08-06
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film thermoelectric energy conversion module is provided to improve productivity by decreasing a deposition process of a plurality of insulation layers and a photoresist. CONSTITUTION: A first semiconductor pattern(160a) is formed on an exposed electrode layer. A nickel layer(170) is formed on a first semiconductor pattern through a deposition process. A tin layer that is a bonding layer is formed on the nickel layer. A first pattern is formed by removing a second photoresist pattern and a lift off resistor and forming the bonding layer on the first semiconductor pattern. A second pattern includes a second semiconductor pattern(160b) opposite to the first semiconductor pattern. The bonding layer of the second pattern is connected to the upper side of the electrode layer of the first pattern.
Abstract translation: 目的：提供一种制造薄膜热电能转换模块的方法，通过减少多个绝缘层和光致抗蚀剂的沉积工艺来提高生产率。 构成：在暴露的电极层上形成第一半导体图案（160a）。 通过沉积工艺在第一半导体图案上形成镍层（170）。 在镍层上形成作为结合层的锡层。 通过去除第二光致抗蚀剂图案和剥离电阻并在第一半导体图案上形成接合层来形成第一图案。 第二图案包括与第一半导体图案相对的第二半导体图案（160b）。 第二图案的接合层连接到第一图案的电极层的上侧。
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公开(公告)号：KR1020110043422A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：KR1020100075959
申请日：2010-08-06
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film thermoelectric energy conversion module is provided to prevent the deterioration of thermoelectric performance by depositing metal compound. CONSTITUTION: A first semiconductor pattern(160a) is formed on an exposed electrode layer. A nickel layer(170) is formed on the first semiconductor pattern through a deposition process. A tin layer(180) is formed on the nickel layer through the deposition process. A first pattern is formed by removing a second photo resist pattern and a lift off resistor. A second pattern with the second semiconductor pattern is formed. The first semiconductor pattern is opposite to the second semiconductor pattern. A thermoelectric energy conversion module is formed by bonding the tin layer on the upper side of the electrode layer of the first pattern.
Abstract translation: 目的：提供一种制造薄膜热电能转换模块的方法，以通过沉积金属化合物来防止热电性能的劣化。 构成：在暴露的电极层上形成第一半导体图案（160a）。 通过沉积工艺在第一半导体图案上形成镍层（170）。 通过沉积工艺在镍层上形成锡层（180）。 通过去除第二光致抗蚀剂图案和剥离电阻器形成第一图案。 形成具有第二半导体图案的第二图案。 第一半导体图案与第二半导体图案相反。 通过将第一图案的电极层的上侧上的锡层接合而形成热电能转换模块。
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公开(公告)号：KR100991429B1
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：KR1020080033840
申请日：2008-04-11
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 본 발명은 프로브 카드(probe card)에 사용되는 벨로우즈 형상을 가진 캔틸레버형 미세 접촉 프로브에 관한 것이다.
반도체 칩의 정상 유무를 전기적으로 테스트하기 위해 사용되는 캔틸레버형 프로브 카드는, 프로브가 수직방향으로 세워져 상단의 프로브 카드 본체에 고정되고 하단의 프로브 끝이 반도체 칩의 패드와 접촉되는 구조를 갖는다. 그리고 완전한 전기적 접촉을 위하여 어느 정도의 접촉력이 필요하며, 패드에 단차가 존재할 경우 이를 극복하기 위해 변형을 흡수할 수 있는 구조를 갖는다. 기존의 단일빔을 가진 캔틸레버형 프로브는 스크럽(Scrub)의 크기가 커서 작은 패드에 사용하는데에는 문제점이 있다.
본 발명에서는 스크럽을 줄이기 위하여 기존의 단일빔 대신에 이중빔을 사용한것과 이러한 이중빔에 벨로우즈 형상을 사용하여 프로브에 변형이 생길 경우 발생되는 면외거동 현상과 응력집중 현상을 제거하도록 프로브를 설계한 것을 특징으로 한다. 프로브를 벨로우즈 형상으로 설계하면 면외거동 없이 프로브가 응력을 고르게 받을 수 있으므로 수만 회의 반복 작동횟수를 만족시킬 수 있다.
프로브, 미세 접촉, 캔틸레버형, 벨로우즈형, 면외 거동-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100002557A
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：KR1020080062492
申请日：2008-06-30
Applicant: 한국기계연구원
IPC: G01R1/067
CPC classification number: G01R1/06727 , G01R1/06738
Abstract: PURPOSE: A cantilever type micro contact probe with a hinge structure is provided to remove concentration phenomenon of the stress by supplying the cantilever type minute contact probe having the hinge structure which does not receive moment. CONSTITUTION: An attach unit(11) is attached to a probe card. An extension unit(13) has a double beam shape and spreads from the attach unit in the lateral direction. A contact unit(15) comprises a tip contacting the pad of the semiconductor chip and is perpendicularly projected in the end part of the extension unit. The hinge unit does not transfer the moment to the extension unit from the contact unit and is installed in the extension unit and electric device. The hinge unit is composed of a convex unit(16a) and a concave unit(16b) guiding the convex unit. The hinge unit comprises a gap(14) which is formed in order to keep the convex unit and concave unit.
Abstract translation: 目的：提供具有铰链结构的悬臂式微接触探针，通过提供不具有接收力矩的铰链结构的悬臂式微型接触探头来消除应力集中现象。 构成：附接单元（11）连接到探针卡。 延伸单元（13）具有双梁形状并且从附接单元沿横向扩展。 接触单元（15）包括接触半导体芯片的焊盘并且垂直地突出在扩展单元的端部中的尖端。 铰链单元不会从接触单元传递延伸单元的力矩，并安装在扩展单元和电气设备中。 铰链单元由引导凸单元的凸单元（16a）和凹单元（16b）组成。 铰链单元包括形成为保持凸起单元和凹形单元的间隙（14）。
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公开(公告)号：KR100817042B1
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：KR1020060059791
申请日：2006-06-29
Applicant: 한국기계연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 프로브 카드(probe card)에 사용되는 벨로우즈 형상을 가진 수직형 미세 접촉 프로브에 관한 것이다.
반도체 칩의 정상 유무를 전기적으로 테스트하기 위해 사용되는 수직형 프로브 카드는, 프로브가 수직방향으로 세워져 상단의 프로브 카드 본체에 고정되고 하단의 프로브 끝이 반도체 칩의 패드와 접촉되는 구조를 갖는다. 그리고 완전한 전기적 접촉을 위하여 어느 정도의 접촉력이 필요하며, 수직형이기 때문에 패드에 단차가 존재할 경우 이를 극복하기 위해 변형을 흡수할 수 있는 스프링 형태의 구조를 갖는다.
본 발명에서는 수직형 프로브에 변형이 생길 경우 발생되는 응력집중 현상을 제거하기 위하여 벨로우즈 형상으로 프로브를 설계한 것을 특징으로 한다.
수직형 프로브를 벨로우즈 형상으로 설계하면 프로브가 응력을 고르게 받을 수 있으므로 수만 회의 반복 작동횟수를 만족시킬 수 있다.
프로브, 미세 접촉, 수직형, 벨로우즈형-
公开(公告)号：KR1020030058715A
公开(公告)日：2003-07-07
申请号：KR1020010089248
申请日：2001-12-31
Applicant: 한국씰마스타주식회사 , 한국기계연구원
IPC: F16J15/00
Abstract: PURPOSE: A mechanical face seal is provided to maintain the excellent oblateness at a high pressure and to uniformly distribute the contact force to a seal ring and a face ring by adding a taper cut and an inner cut. CONSTITUTION: A taper cut(22a) to be faced to a face ring(21) at a certain angle is formed in the inner face of a seal ring(22) in a stator. The seal ring is faced to the face ring. An inner cut(22b) is formed inside the seal ring to maintain the oblateness of a sealed face at a high pressure by reducing the force to the face ring through the seal ring and reducing the thermal transformation at the high pressure. Thereby, the sealing is performed effectively.
Abstract translation: 目的：提供机械面密封件，以保持高压下的优良扁平度，并通过添加锥形切口和内切口将接触力均匀分布到密封环和面环。 构成：在定子的密封环（22）的内表面上形成有以一定角度面对面环（21）的锥形切口（22a）。 密封环面对面环。 在密封环的内侧形成有内切口22b，通过减小密封环对面环的力，减少高压下的热变形，使密封面的扁平状态保持在高压状态。 从而有效地进行密封。
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