公开(公告)号：KR1020100111999A

公开(公告)日：2010-10-18

申请号：KR1020090030516

申请日：2009-04-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 채병규 ,  김현탁

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/0541 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/4232

Abstract: PURPOSE: A field effect transistor including a graphene channel layer is provided to increase the on-off ratio of a operating current using graphene as a channel layer. CONSTITUTION: A graphene channel layer(110) including graphene on a part of a substrate(100). A first electrode(120) is located on the first region of the graphene channel region. A second region is spaced apart from the first region. An interposing layer(130) is located on the second layer. A second electrode(140) is located on the interposing layer. A gate insulating layer(150) is located on the graphene channel layer, the first electrode, and the second electrode. A gate electrode(160) is located on the gate insulating layer.

Abstract translation: 目的：提供包括石墨烯通道层的场效应晶体管，以增加使用石墨烯作为沟道层的工作电流的开 - 关比。 构成：在衬底（100）的一部分上包括石墨烯的石墨烯通道层（110）。 第一电极（120）位于石墨烯通道区域的第一区域上。 第二区域与第一区域间隔开。 中间层（130）位于第二层上。 第二电极（140）位于插入层上。 栅极绝缘层（150）位于石墨烯通道层，第一电极和第二电极上。 栅电极（160）位于栅极绝缘层上。

公开(公告)号：KR100964186B1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：KR1020080052257

申请日：2008-06-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  이용욱 ,  김봉준 ,  윤선진

IPC: G05F3/24

CPC classification number: H01L25/16 ,  H01L23/62 ,  H01L2924/0002 ,  H02H3/085 ,  H02H5/047 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 퓨즈의 기능을 대체할 수 있고 또한 반영구적으로 사용할 수 있는 MIT 소자를 이용하여, 전력용 트랜지스터의 발열을 방지함으로써 전력용 트랜지스터를 보호할 수 있는 트랜지스터 발열제어 회로 및 그 발열제어 방법을 제공한다. 그 발열제어 회로는 소정 임계 온도에서 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT)가 발생하는 MIT 소자; 및 구동 소자에 연결되어 상기 구동 소자로의 전력 공급을 제어하는 전력용 트랜지스터(power transistor);를 포함하고, 상기 MIT 소자가 상기 트랜지스터의 표면 혹은 발열 부분에 부착되고, 회로적으로는 상기 트랜지스터의 베이스 또는 게이트 단자에 연결되어, 상기 트랜지스터가 상기 임계온도 이상 상승 시, 상기 MIT 소자가 상기 트랜지스터의 전류를 줄이거나 차단함으로써, 상기 트랜지스터의 발열을 방지한다.
금속-절연체 전이, MIT 소자, 트랜지스터 발열 제어

公开(公告)号：KR1020100056333A

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：KR1020090002731

申请日：2009-01-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  서기완

IPC: H02M1/06 ,  H02M1/32

Abstract: PURPOSE: By including the heat dissipation electrode in the substrate backside 3 terminal thermistor, the thermistor-transistor, and the power transistor control circuit and electrical power system can prevent the one own initiative generation of heat. CONSTITUTION: A radiating terminal(40) is formed into the substrate backside. The radiating terminal transfers the heat. The thermistor thin film(20) is formed into the substrate upside central part. The first and the second electrode(30) are from side to side formed into the substrate upside of the thermistor thin film. A terminal thermistor comprises the isolation buffer layer(50) among substrate and thermistor thin film.

Abstract translation: 目的：通过将散热电极包括在基板背面3端子热敏电阻中，热敏电阻晶体管和功率晶体管控制电路和电力系统可以防止自己主动产生热量。 构成：辐射端子（40）形成在衬底背面。 散热端子传热。 热敏电阻薄膜（20）形成为基板上侧中央部。 第一和第二电极（30）从一侧到另一侧形成热敏电阻薄膜的衬底上侧。 端子热敏电阻器包括衬底和热敏电阻薄膜之间的隔离缓冲层（50）。

公开(公告)号：KR1020090044964A

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：KR1020080023827

申请日：2008-03-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임정욱 ,  김준관 ,  윤선진 ,  김현탁

IPC: H01C7/10 ,  C04B35/453

CPC classification number: H01C7/112 ,  C23C14/086 ,  C23C14/5853 ,  H01C7/1013 ,  H01C17/06546 ,  Y10T29/49099

Abstract: 본 발명은 박막형 바리스터 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 스퍼터링 방식으로 제1 산화아연 박막을 저온 증착시키는 제1 단계; 및 불활성 기체와 산소가 함께 주입된 환경하에서 상기 제1 산화아연 박막을 저온 열처리하여 바리스터용 산화아연 박막을 형성하는 제2 단계를 포함하여 구성되며, 이에 의하여 고집적화 회로에 적용할 수 있도록 바리스터 특성은 유지하면서도 공정온도는 낮추고 제조공정은 보다 간단해질 수 있도록 한다.
박막형 바리스터 소자, 박막, 저온 증착, 저온 열처리

公开(公告)号：KR1020090035357A

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：KR1020070100602

申请日：2007-10-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  이용욱 ,  김현탁 ,  김봉준 ,  임정욱 ,  최성열

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/113

Abstract: A photo gating switch system is provided to constitute an optic detection device and a light source separately, so integrating the light source. A metal insulator metal transition device(7) is formed as an optical detecting device on an optical transmission substrate(1). An photo gating switch system is installed on a substrate in which the metal insulator metal transition device is formed while integrating the light source(15). A metal insulator metal transition layer(3) as a photo detection layer is formed the substrate through which a light is permeated. An electrode is formed at both sides of the metal insulator metal transition layer.

Abstract translation: 提供了一种光门控开关系统，以分别构成光检测装置和光源，从而整合光源。 在光传输基板（1）上形成金属绝缘体金属过渡装置（7）作为光学检测装置。 照明门控开关系统安装在其上形成金属绝缘体金属过渡装置的基板上，同时整合光源（15）。 作为光检测层的金属绝缘体金属过渡层（3）形成有透过光的基板。 在金属绝缘体金属过渡层的两侧形成电极。

公开(公告)号：KR100842296B1

公开(公告)日：2008-06-30

申请号：KR1020070077170

申请日：2007-07-31

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이용욱 ,  김봉준 ,  김현탁 ,  최성열 ,  채병규 ,  임정욱 ,  윤선진

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L49/003 ,  H03B9/12

Abstract: An MIT element-based oscillation circuit and a method for controlling an oscillation frequency of the same are provided to control an oscillation phenomenon by adjusting an applied voltage or a resistance value to a specific condition. An MIT(Metal-Insulator Transition) element(700) has a MIT thin film and an electrode thin film connected to the MIT thin film, in which discontinuous MIT occurs at MIT occurring voltage. A variable resistive element(800) is connected in series with the MIT element. A power source(600) applies a voltage or current to the MIT element. An oscillation frequency is determined in accordance with a voltage to be applied to the power source and a resistance value of the variable resistive element.

Abstract translation: 提供了一种基于MIT元件的振荡电路和用于控制其振荡频率的方法，以通过将施加的电压或电阻值调整到特定条件来控制振荡现象。 MIT（金属绝缘体转移）元件（700）具有MIT薄膜和连接到MIT薄膜的电极薄膜，其中在MIT发生电压下发生不连续的MIT。 可变电阻元件（800）与MIT元件串联连接。 电源（600）向MIT元件施加电压或电流。 根据要施加到电源的电压和可变电阻元件的电阻值来确定振荡频率。

公开(公告)号：KR100825762B1

公开(公告)日：2008-04-29

申请号：KR1020060128928

申请日：2006-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  윤선진 ,  최상국

IPC: G01R19/165

CPC classification number: G01R31/2641

Abstract: 본 발명은 MIT 소자의 불연속 MIT를 연속적으로 측정할 수 있는 불연속 MIT 측정회로 및 그 측정회로를 센서에 응용하여 제작된 MIT 센서를 제공한다. 그 불연속 MIT 측정회로는 전이 전압에서 불연속 MIT를 일으키는 MIT 소자를 포함한 측정 대상부; 상기 측정 대상부로 소정 전류 또는 전압을 인가하기 위한 전원부; 상기 MIT 소자의 불연속 MIT를 측정하는 측정부; 및 상기 전원부와 상기 측정부를 제어하는 마이크로프로세서(microprocessor);를 포함하여 상기 MIT 소자의 불연속 MIT를 측정할 수 있다. 본 발명에 따른 불연속 MIT 측정회로는 MIT 소자의 불연속 MIT를 연속적으로 측정함으로써, 외부 인자의 변화를 감지할 수 있는 센서에 활용할 수 있다.
금속-절연체 전이, MIT, MIT 소자, ADC, DAC, 마이크로프로세스

公开(公告)号：KR100714125B1

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：KR1020060001677

申请日：2006-01-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  강광용 ,  채병규 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  윤선진 ,  김경옥

IPC: H01L27/00

CPC classification number: H01L49/003

Abstract: 본 발명은 정격신호전압보다 낮은 잡음신호를 제거할 수 있는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로 및 그 회로를 포함한 전기전자시스템을 제공한다. 그 잡음 방지 회로는 잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 직렬 연결된 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 소자를 포함한다. 본 발명은 소정 전압에서 급격한 금속-절연체 전이 특성을 갖는 급격한 MIT 소자를 전기전자시스템에 직렬로 연결함으로써, 저전압 잡음을 효과적으로 제거할 수 있다.
금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 보호회로, 노이즈 필터

公开(公告)号：KR100714115B1

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：KR1020050124045

申请日：2005-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  강광용 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  윤선진 ,  채병규 ,  김경옥

IPC: H02H7/22 ,  H02H1/00

Abstract: 전기전자시스템 특히, 고전압 개폐기 등과 같이 초고전압으로부터 보호하기 위해 초고전압 잡음을 바이패스 시키기 위한 소자 및 그 소자를 이용하여 초고전압 잡음을 바이패스 시키는 고전압 잡음 제거회로 및 그 회로를 포함한 전기전자시스템을 제공한다. 그 소자는 기판; 및 기판 상면 및 하면 각각에 형성된 제1 및 제2 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 구조물;을 포함한다. 그 제거회로는 보호받고자 하는 전기전자시스템에 병렬연결되고, 적어도 2개의 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 소자가 직렬연결된 급격한 MIT 소자열을 포함한다.
금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 개폐기, 고전압 잡음

公开(公告)号：KR1020070040709A

公开(公告)日：2007-04-17

申请号：KR1020060015636

申请日：2006-02-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  강광용 ,  이용욱 ,  채병규 ,  김봉준 ,  최상국 ,  윤선진

IPC: G08B17/06 ,  G08B3/00 ,  G08B5/00

CPC classification number: G01K3/005 ,  G01K7/22 ,  G08B17/06 ,  G08B3/1025 ,  G08B5/22

Abstract: Provided are a temperature sensor using a metal-insulator transition (MIT) device subject to abrupt MIT at a specific temperature and an alarm including the temperature sensor. The abrupt MIT device includes an abrupt MIT thin film and at least two electrode thin films that contacts the abrupt MIT thin film. The abrupt MIT device generates abrupt metal-insulator transition at a specific transition temperature. The alarm includes a temperature sensor comprising an abrupt MIT device, and an alarm signaling device serially connected to the temperature sensor. Accordingly, the alarm can be manufactured to have a simple circuit and be of a small size by including the temperature sensor using an abrupt MIT device.