公开(公告)号：KR1020050060797A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：KR1020030092519

申请日：2003-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 우상민 ,  배승조 ,  김진미 ,  김창수 ,  전승협 ,  박유현 ,  이원재 ,  김학영

IPC: G06Q50/10

Abstract: 본 발명은 디스패쳐 노드를 통해 각 시스템 또는 노드간의 컨텐트 분배 및 전송 작업을 중앙 집중 방식으로 관리함으로써 제한된 네트워크 자원의 대역폭 및 전송 상태 등을 효율적으로 관리할 수 있고 사용자에게 각종 서비스를 효과적으로 제공할 수 있도록 하는 네트워크 자원의 효율적 사용을 위한 컨텐트 전송 방법 및 그 구현 시스템에 관한 것이다.
본 발명의 컨텐트 전송 방법은, 네트워크상의 클러스터 시스템에서 노드간 또는 시스템간의 컨텐트 전송을 관리함에 있어, 클러스터 시스템의 디스패쳐 노드에서 중앙 집중 방식으로 그 하위 서브 노드들에 대한 컨텐트 분배 및 전송을 제어하고, 각 서브 노드 및 컨텐트 전송 상태를 중앙 관리하며, 각 서브 노드들은 상기 디스패쳐 노드의 제어에 의해 타 서브 노드 및 타 시스템과의 컨텐트 전송 작업을 수행하고 그 전송 상태를 상위의 디스패쳐 노드로 알리는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020040046177A

公开(公告)日：2004-06-05

申请号：KR1020020074016

申请日：2002-11-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이용의 ,  강승열 ,  안성덕 ,  서경수 ,  이원재

IPC: H01L27/108 ,  B82Y10/00

Abstract: PURPOSE: A capacitor and a manufacturing method thereof are provided to be capable of increasing the effective contact surface area between an electrode layer and a dielectric layer for obtaining large charging capacity at a limited cell area. CONSTITUTION: A capacitor is provided with a substrate(102), the first electrode layer(106) formed on the substrate, and at least one conductive wire(108) formed on the first electrode layer. The capacitor further includes a dielectric layer(110) for enclosing the conductive wire and the second electrode layer(112) formed on the dielectric layer. Preferably, the conductive wire is in the shape of a pillar type structure. Preferably, the conductive wires are independently isolated from each other. Preferably, the conductive wire has a diameter of 5 nm to 10 μm and a height of 5 nm to 100 μm.

Abstract translation: 目的：提供一种电容器及其制造方法，其能够增加电极层和电介质层之间的有效接触表面积，以在有限的电池区域获得大的充电容量。 构成：电容器设置有衬底（102），形成在衬底上的第一电极层（106）和形成在第一电极层上的至少一个导线（108）。 电容器还包括用于封装导电线的介电层（110）和形成在电介质层上的第二电极层（112）。 优选地，导线是柱状结构的形状。 优选地，导线彼此独立地隔离。 优选地，导线的直径为5nm〜10μm，高度为5nm〜100μm。

公开(公告)号：KR1020020042228A

公开(公告)日：2002-06-05

申请号：KR1020000072033

申请日：2000-11-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이원재 ,  유인규 ,  양일석 ,  유병곤 ,  조경익

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31691 ,  Y10S438/905

Abstract: PURPOSE: A formation method of a Sr-Ta-O thin film is provided to improve an electrical characteristic by forming a Sr-Ta-O thin film having a high dielectric constant and a low current leakage through an atomic vaporization using plasma. CONSTITUTION: A thermal treatment is performed at the temperature of 155 - 165 deg.C, after locating a substrate to a reactive chamber(119). Then, a source having a strontium tantalum ethoxide is injected to the reactive chamber(119) by a carrier gas. An evaporated source in the carrier gas is carried to the outer of the reactive chamber(119) by an Ar gas. A plasma is formed by injecting an oxygen into the reactive chamber(119). Then, the oxygen plasma is carried to the outer of the reactive chamber(119) using the Ar gas.

Abstract translation: 目的：提供Sr-Ta-O薄膜的形成方法，以通过使用等离子体通过原子蒸发形成具有高介电常数和低电流泄漏的Sr-Ta-O薄膜来改善电特性。 构成：在将基板定位到反应室（119）之后，在155-165℃的温度下进行热处理。 然后，通过载气将具有钽酸锶钽的源注入反应室（119）。 载气中的蒸发源通过Ar气输送到反应室（119）的外部。 通过将氧注射到反应室（119）中形成等离子体。 然后，使用Ar气体将氧等离子体运送到反应室（119）的外部。

公开(公告)号：KR1020010037449A

公开(公告)日：2001-05-07

申请号：KR1019990044998

申请日：1999-10-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조채룡 ,  이원재 ,  유병곤 ,  유인규 ,  김보우

IPC: H01L29/786

Abstract: PURPOSE: A non-destructive read-out field effect transistor is provided to obtain enhanced stability by manufacturing an SBN thin film through an organic metal heat decomposition. CONSTITUTION: Ba 2-ethylhexanoate and Sr 2-ethylhexanoate are solved into xylene solvent and Nb-ethoxide is solved into 2-methoxyethanol to prepare a precursor solution. The precursor solution is deposited on a substrate to form an SBN thin film through spin-coating at 3000 rpm. The spin coated thin film is first dried at 150 deg.C for 5 minutes, and second dried at 450 deg.C for 5 minutes. The second drying is repeated to obtain a desired thickness of the thin film. Annealing is performed for the final crystallization at 850 deg.C under an oxygen or air atmosphere for 30 minutes to 1 hour.

Abstract translation: 目的：提供一种非破坏性的读出场效应晶体管，通过有机金属热分解制造SBN薄膜来获得更高的稳定性。 构成：将2-乙基己酸钡和Sr 2-乙基己酸酯溶解在二甲苯溶剂中，并将铌酸乙酯溶解在2-甲氧基乙醇中以制备前体溶液。 将前体溶液沉积在基底上以通过以3000rpm旋涂形成SBN薄膜。 旋涂的薄膜首先在150℃下干燥5分钟，然后在450℃下干燥5分钟。 重复第二次干燥以获得期望的薄膜厚度。 在氧气或空气气氛下，在850℃下进行退火30分钟至1小时。

公开(公告)号：KR1020010002725A

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019990022661

申请日：1999-06-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김시호 ,  유병곤 ,  김보우 ,  이원재

IPC: G11C16/00

Abstract: PURPOSE: A nonvolatile ferroelectric memory device and method for driving the device is provided to independently select only one cell when programming an information of the first state and the second state, thereby preventing a drain disturb at a nonselected cell. CONSTITUTION: A nonvolatile ferroelectric memory device includes a large number of ferroelectric transistor cells, a large number of word lines(W/L), a large number of source lines(S/L), a large number of bit lines(B/L), and a large number of well lines. The large number of ferroelectric transistor cells are arranged in a matrix in the direction of a row and a column. The large number of word lines are commonly connected to each gate electrode of the ferroelectric transistors in each row direction. The large number of source lines are commonly connected to one side junction of the ferroelectric transistor in each column direction. The large number of bit lines are commonly connected to other side of the ferroelectric transistors in each column direction. The large number of well lines are commonly connected to the well of the ferroelectric transistors in each column direction.

Abstract translation: 目的：提供用于驱动该器件的非易失性铁电存储器件和方法，用于在编程第一状态和第二状态的信息时独立地仅选择一个单元，从而防止非选定单元的漏极干扰。 构成：非易失性铁电存储器件包括大量的铁电晶体管单元，大量字线（W / L），大量源极线（S / L），大量位线（B / L ），还有大量井线。 大量的铁电晶体管单元沿行和列的方向排列成矩阵。 大量的字线通常连接到每个行方向上的铁电晶体管的每个栅电极。 大量的源极线通常连接到铁电晶体管的每个列方向的一侧结。 大量的位线在每个列方向上通常连接到铁电晶体管的另一侧。 大量的阱线在每个列方向上通常连接到铁电晶体管的阱。

公开(公告)号：KR1020000034004A

公开(公告)日：2000-06-15

申请号：KR1019980051099

申请日：1998-11-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김시호 ,  김보우 ,  유병곤 ,  이원재

IPC: G11C7/06

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: PURPOSE: A nonvolatile ferroelectric memory is provided to decrease the number of cycles which is authorized to a reference cell and extend operation life of a memory by constructing a memory array so that a reference cell word line, which is connected with a sense amplifier which is not selected, is not selected in read/write operation. CONSTITUTION: A memory cell and reference cells, which has one select transistor(MB) and one ferroelectric storage capacitor(Cs) respectively, are arrayed in a form of a matrix in a nonvolatile ferroelectric memory. The reference cell is operated only when both of a select signal of the corresponding reference cell and the reference cell word line(RWL) are authorized by having a logic gate in which an output end is connected to a gate of a select transistor of the reference cell(MB) and one input end is connected to a reference cell word line(RWL) and the other input end is connected to a selection signal of corresponding reference cell. According to this invention, because an information of the reference cell is read by turning on the selection transistor of the corresponding reference cell(MB) which is connected to the selected sense amplifier, the number of cycles of a voltage which is authorized to the reference cell decreases. So a total life of memory increases.

Abstract translation: 目的：提供非易失性铁电存储器，以减少授权给参考单元的周期数，并通过构造存储器阵列延长存储器的使用寿命，使得与读出放大器相连的参考单元字线 未选择，在读/写操作中未选择。 构成：分别具有一个选择晶体管（MB）和一个铁电存储电容器（Cs）的存储单元和参考单元在非易失性铁电存储器中以矩阵的形式排列。 参考单元仅在相应参考单元的选择信号和参考单元字线（RWL）都通过具有其输出端连接到参考的选择晶体管的栅极的逻辑门被授权时才被操作 单元（MB）和一个输入端连接到参考单元字线（RWL），另一个输入端连接到相应参考单元的选择信号。 根据本发明，由于通过接通与所选读出放大器连接的相应参考单元（MB）的选择晶体管来读取参考单元的信息，所以被授权给参考的电压的周期数 细胞减少。 所以记忆的总寿命增加。

公开(公告)号：KR1019990084635A

公开(公告)日：1999-12-06

申请号：KR1019980016541

申请日：1998-05-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이원재 ,  유병곤 ,  유종선 ,  이진효 ,  김보우

IPC: H01L27/10

Abstract: 본 발명은 반도체 제조 분야에 관한 것으로, 특히 하나의 트랜지스터로 하나의 메모리 셀의 구성이 가능한 강유전체 트랜지스터 메모리 소자에 관한 것이다. 본 발명은 동작 전압을 감소시키며, 우수한 강유전체 특성을 확보할 수 있는 강유전체 트랜지스터 메모리 소자를 제공하는데 그 목적이 있다. 이를 위하여 본 발명은 강유전체 박막을 게이트 유전막으로 채택한 비파괴 독출형 전계효과 트랜지스터를 단위 셀로 하는 강유전체 트랜지스터 메모리 소자를 구현함에 있어서, 강유전체 박막과 기판 사이에 절연막/고유전체 박막을 채용하여 기판과의 계면 특성을 향상시키고 불순물의 상호 확산을 방지하며 동작 전압을 감소시킬 수 있다. 또한, 강유전체 박막과 기판 사이에 절연막/전도성 산화막을 채용하여 강유전체 박막의 결정 특성 및 피로(fatigue) 특성을 개선하였다. 이와 더불어 본 발명은 상기한 게이트 구조를 덮는 보호막을 채용하여 강유전체 박막을 이루는 원소의 휘발에 의한 소자의 열화를 방지하였다.