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公开(公告)号：KR101275840B1
公开(公告)日：2013-06-18
申请号：KR1020090055025
申请日：2009-06-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 투명 태양전지가 제공된다. 이 소자는 투명 기판; 상기 투명 기판에 접촉된 제1 면 및 상기 제1 면에 대향된 제2 면을 포함하는 선택적 투명 반사막; 상기 선택적 투명 반사막의 상기 제2 면 상에 차례로 적층된 제1 전극, 광전변환층 및 제2 전극을 포함하되, 상기 선택적 투명 반사막은 적어도 일부 파장의 가시광선은 투과하여 상기 투명기판으로 방출시키며 적외선을 반사하여 상기 광전변환층에 입사시킨다.
투명 태양전지, 선택적 투명 반사막, 가시광선, 적외선-
公开(公告)号：KR1020110025024A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：KR1020090134517
申请日：2009-12-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/541
Abstract: PURPOSE: A solar cell is provided to diffuse an alkali metal with an alkali metal film into a photoelectric transformation layer, thereby increasing photoelectric transformation efficiency of the photoelectric transformation layer. CONSTITUTION: A photoelectric transformation layer(120) includes the first surface and the second surface facing the first surface. The first electrode(110) is connected to the first electrode of the photoelectric transformation layer. The second electrode(130) is connected to the second surface of the photoelectric transformation layer. An alkali metal film(140) contacts one of the first and second electrodes. A glass substrate(150) is arranged on the alkali metal film.
Abstract translation: 目的：提供一种太阳能电池，用于将碱金属与碱金属膜扩散到光电转换层中，从而提高光电转换层的光电转换效率。 构成：光电转换层（120）包括面向第一表面的第一表面和第二表面。 第一电极（110）连接到光电转换层的第一电极。 第二电极（130）连接到光电转换层的第二表面。 碱金属膜（140）接触第一和第二电极之一。 玻璃基板（150）布置在碱金属膜上。
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公开(公告)号：KR1020100115691A
公开(公告)日：2010-10-28
申请号：KR1020090055025
申请日：2009-06-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A transparent solar cell is provided to improve photovoltaic energy conversion efficiency by absorbing a transmitted infrared ray. CONSTITUTION: A transparent solar cell includes a transparent substrate(110), a selective transparent reflective film(120), a first electrode(130), a photoelectric transformation layer, and a second electrode(138). The selective transparent reflective film includes a second surface which faces a first surface and the first surface. The first electrode, the photoelectric transformation layer, and the second electrode are sequentially laminated on the second side of the transparent reflective film. The selective transparent reflective film transmits the visible ray of a part wavelength and reflects an infrared ray.
Abstract translation: 目的：提供透明的太阳能电池，以通过吸收透射的红外线来提高光伏能量的转换效率。 构成：透明太阳能电池包括透明基板（110），选择性透明反射膜（120），第一电极（130），光电转换层和第二电极（138）。 选择性透明反射膜包括面向第一表面和第一表面的第二表面。 第一电极，光电转换层和第二电极依次层叠在透明反射膜的第二面上。 选择性透明反射膜透射部分波长的可见光并反射红外线。
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公开(公告)号：KR1020100029676A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：KR1020080125326
申请日：2008-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B1/115 , H01L31/02168 , Y02E10/52
Abstract: PURPOSE: An anti-reflection layer for a solar cell, the solar cell and a method for manufacturing the solar cell are provided to prevent the reflection to a solar ray including wavelengths with wide band width and various incident angles by adjusting the refraction index and the thickness of a combined layer in which a high dielectric film and a low dielectric film are combined. CONSTITUTION: A low dielectric film(721) is composed of a material with a first dielectric constant. A high dielectric film(723) is composed of a material with a second dielectric constant. The second dielectric constant is higher the first dielectric constant. An inclined layer(722) is placed between the low dielectric film and the high dielectric film in order to increase the dielectric constant from the first dielectric constant to the second dielectric constant.
Abstract translation: 目的：提供一种用于太阳能电池的抗反射层，太阳能电池和太阳能电池的制造方法，以通过调节折射率来防止包括具有宽带宽和各种入射角的波长的太阳光的反射，并且 组合了高介电膜和低电介质膜的组合层的厚度。 构成：低介电膜（721）由具有第一介电常数的材料构成。 高介电膜（723）由具有第二介电常数的材料构成。 第二介电常数高于第一介电常数。 为了将介电常数从第一介电常数提高到第二介电常数，在低电介质膜和高电介质膜之间放置倾斜层（722）。
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公开(公告)号：KR1020090006452A
公开(公告)日：2009-01-15
申请号：KR1020070069815
申请日：2007-07-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2463 , H01L29/45 , H01L45/1233
Abstract: The metal insulator phase changeable memory cell and a method of manufacturing thereof are provided to achieve the high current gain and performance characteristic regardless of the size of the memory cell by using the transistor and resistor having the MIT property. The MIT transistor(1) comprises the substrate(100). The insulating layer(110) is formed on the substrate. The MIT channel layer(120) is formed on the fixed region of the insulating layer. The source(130) and drain(135) are formed ate both sides of the MIT channel layer. The gate insulating layer(140) is formed on the insulating layer, the MIT channel layer, and the source and drain. The gate(150) is formed on the gate insulating layer in order to be positioned at the MIT channel layer, source, drain and the upper of the MIT channel layer.
Abstract translation: 提供金属绝缘体相变存储单元及其制造方法，以通过使用具有MIT特性的晶体管和电阻器来实现高电流增益和性能特性，而与存储单元的尺寸无关。 MIT晶体管（1）包括基板（100）。 绝缘层（110）形成在基板上。 MIT沟道层（120）形成在绝缘层的固定区域上。 源极（130）和漏极（135）形成在MIT沟道层的两侧。 栅极绝缘层（140）形成在绝缘层，MIT沟道层以及源极和漏极上。 栅极（150）形成在栅极绝缘层上，以便位于MIT沟道层，源极，漏极和MIT沟道层的上部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080040536A
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：KR1020070011121
申请日：2007-02-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03K19/20
CPC classification number: H03K19/20
Abstract: A logic circuit using an MIT(Metal-Insulator Transition) device is provided to improve a manufacturing process, and a structure by freely adjusting a transition voltage and a size. A logic circuit using an MIT device includes an MIT(Metal-Insulator Transition) element(100), a power supply unit(400), and a resistor(300). The MIT element has an MIT thin film and an electrode thin film which is contacted with the MIT thin film, and has at least one MIT element which generates a discontinuous MIT at a transition voltage. The power supply unit has at least one power source which applies a power to the MIT element. The resistor has at least one resistor which is coupled to the MIT element. The MIT element outputs a logic operation signal in response to the signal applied through the power.
Abstract translation: 提供了使用MIT（金属 - 绝缘体转换）器件的逻辑电路，以通过自由地调节转换电压和尺寸来改善制造工艺和结构。 使用MIT装置的逻辑电路包括MIT（金属绝缘体转移）元件（100），电源单元（400）和电阻器（300）。 MIT元件具有MIT薄膜和与MIT薄膜接触的电极薄膜，并且具有至少一个在转变电压下产生不连续MIT的MIT元件。 电源单元具有至少一个向MIT元件施加电力的电源。 电阻器具有耦合到MIT元件的至少一个电阻器。 MIT元件响应于通过电源施加的信号输出逻辑运算信号。
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87.发明授权급격한 ＭＩＴ 소자, 그 소자를 이용한 ＭＩＴ 센서 및 그ＭＩＴ 센서를 포함한 경보기 및 이차전지 폭발 방지 회로 失效突发的金属 - 绝缘体转换MIT装置，MIT传感器使用相同的突发MIT装置，以及报警装置和二次电池防爆电路，包括相同的MIT传感器
公开(公告)号：KR100825760B1
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020060125063
申请日：2006-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L49/003 , G01K3/005
Abstract: 본 발명은 급격한 MIT를 일으키는 전이 온도 또는 전이 전압을 요구되는 특정 온도 또는 특정 전압으로 가변할 수 있는 급격한 MIT 소자, 그 급격한 MIT 소자를 이용한 MIT 센서, 및 그 MIT 센서를 포함한 경보기 및 이차전지 폭발방지 회로를 제공한다. 그 급격한 MIT 소자는 전이 온도 또는 전이 전압에서 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition:MIT)를 일으키는 급격한 MIT 박막; 급격한 MIT 박막에 컨택하는 적어도 2 개의 전극 박막;을 포함하고, 전극박막으로 인가되는 전압, 급격한 MIT 박막에 영향을 미치는 전자파, 압력 및 개스 농도 변화 중 적어도 하나의 인자의 변화에 의해 전이 온도 또는 전이 전압이 가변된다. 그 MIT 센서는 급격한 MIT 소자를 이용하여 형성되고, 온도 센서, 적외선 센서, 이미지 센서, 압력 센서, 및 개스 농도 센서 및 스위치 등이 될 수 있다. 또한, 그 경보기는 MIT 센서; 및 MIT 센서에 직렬로 연결된 경보신호기;를 포함하고, 그 이차전지 폭발방지 회로는 이차전지; 이차전지에 부착되어 이차전지의 온도를 감지하여 이차전지의 폭발을 방지하는 MIT 센서; 및 이차 전지에 의해 전력을 공급받는 회로 본체;를 포함한다.
금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 온도 센서, 경보기 회로, 리튬이온 전 지 보호회로-
公开(公告)号：KR1020070023477A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：KR1020050117265
申请日：2005-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C23C16/40 , H01L21/205
Abstract: 균일한 표면과 안정된 조성을 가진 대면적의 바나듐산화물 박막의 제조방법을 제공한다. 그 방법은 바나듐-유기금속화합물 가스를 챔버에 주입하여, 바나듐-유기금속화합물 분자가 기판의 표면에 포화흡착된 흡착물을 형성한다. 그후, 챔버에 산소-전구체를 주입하여, 상기 흡착물과 표면포화반응(surface saturation reaction)시켜 바나듐산화물 박막을 제조한다.
바나듐산화물, 박막, 대면적, 표면포화반응-
公开(公告)号：KR100640001B1
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：KR1020050111882
申请日：2005-11-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772
CPC classification number: H01L49/003 , H01L27/0248
Abstract: 정격표준전압 이상의 고주파수 잡음이 전기전자시스템의 전원 라인 혹은 신호라인을 타고 들어올 때 상기 잡음을 효과적으로 제거할 수 있는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로 및 그 보호회로를 포함한 전기전자시스템을 개시한다. 그 전기전자시스템 보호회로는 잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 병렬 연결되는 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition:MIT) 소자를 포함한다. 전기전자시스템 보호회로는 정격표준전압 이상의 전압이 인가될 때 발생하는 잡음전류의 대부분을 급격한 MIT 소자 쪽으로 바이패스(bypass) 시킴으로써, 전기전자시스템을 보호한다.
금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 보호회로-
公开(公告)号：KR100510821B1
公开(公告)日：2005-08-30
申请号：KR1020030036796
申请日：2003-06-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/6835 , B81C1/00896 , H01L21/4803 , H01L21/4814 , H01L2221/68318 , H01L2221/68345
Abstract: 본 발명은 기판 제조방법에 관한 것으로, 하나의 기판에 에어 갭(air-gap)이 형성된 또 다른 기판을 부착하여 반도체 소자 또는 디스플레이 패널 제조 공정시 기판에 가해지는 스트레스를 이완시키고, 공정이 종료된 후에는 하나의 기판(상부 기판)에 부착된 또 다른 기판(하부 기판)을 용이하게 분리해 낼 수 있도록 하는 것이다.
본 발명은 반도체 소자 제조 공정 시 반도체 소자가 형성되는 상부 기판을 지지하고 반도체 소자 제조 공정 완료 후에 상부 기판으로부터 제거되는 하부 기판과, 상기 하부 기판의 상면에 서로간에 일정한 간격의 에어 갭을 형성하는 복수의 형상층을 갖도록 패터닝 되어있는 완충층 및 상기 완충층 상면에 형성되어 상부 기판을 상기 완충층에 접착 고정시키는 접착층으로 구성된다. 본 발명에 의하면 반도체 소자 제조 공정시 스트레스를 이완시키는 상기 에어 갭(air-gap)으로 인하여 공정시 온도에 따라 늘어나고 줄어드는 기판의 스트레스를 최소화함으로써 공정을 수월하게 진행할 수 있어 소자의 불량정도를 줄일 수 있다.
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