-
81.发明授权
公开(公告)号：KR101232671B1
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：KR1020110064580
申请日：2011-06-30
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , C01B19/002 , C01P2002/72 , H01L21/02568 , H01L21/02628 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은, 태양전지용 흡수층(CIS층)으로 사용하는데 적합한 흡수막 조성물 및 그 제조 방법과 이를 이용한 태양전지 셀 및 태양전지 모듈에 관한 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 구리 화합물, 인듐 화합물 및 셀레늄 화합물을 0.8 ∼ 1.3 : 0.8 ∼ 1.3 : 1.7 ∼ 2.3의 화학양론비로 혼합한 흡수층 입자를 포함하는 태양전지용 흡수막 조성물 및 그 제조 방법을 제공함으로써, 상대적으로 치밀도가 우수한 CIS 조성물 및 그 막을 제조할 수 있으며, 별도의 추가 공정 없이 합성 단계에서 Cu : In : Se의 화학양론비를 원하는 조성으로 조절할 수 있는 것이다.
-
82.发明公开
公开(公告)号：KR1020130007231A
公开(公告)日：2013-01-18
申请号：KR1020110064580
申请日：2011-06-30
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , C01B19/002 , C01P2002/72 , H01L21/02568 , H01L21/02628 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: PURPOSE: An absorber film composition for a solar cell, a manufacturing method thereof, a solar cell using the same, and a solar cell using the same are provided to manufacture an absorption layer composition with relatively high density by synthesizing CIS particles including CuSe or CuSe2 of a low melting point to form a film. CONSTITUTION: A rear metal layer(104) is formed on a substrate(102). An absorbing layer(106) is formed on the rear metal layer. A buffer layer(108) is formed on the absorbing layer. A window layer(110) is formed on the buffer layer. A front electrode layer(112) is formed on the window layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于太阳能电池的吸收膜组合物，其制造方法，使用该太阳能电池的太阳能电池和使用该太阳能电池的太阳能电池，并通过合成包含CuSe或CuSe2的CIS颗粒来制造具有较高密度的吸收层组合物 的低熔点形成膜。 构成：在基板（102）上形成后金属层（104）。 在后金属层上形成吸收层（106）。 在吸收层上形成缓冲层（108）。 在缓冲层上形成窗口层（110）。 在窗口层上形成前电极层（112）。
-
公开(公告)号：KR101192252B1
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：KR1020100044710
申请日：2010-05-12
Applicant: 한국화학연구원 , 한화케미칼 주식회사
Abstract: 본 발명은 친수성으로 표면 개질한 평균입경이 100nm 이하의 구리 나노입자 20 ~ 70 중량%, 물 10 ~ 45 중량%, 다가알콜 15 ~ 40 중량% 및 수계분산제 0.1 ~ 2 중량%를 포함하는 디지털프린팅용 수계 구리잉크 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 고농도 수계 구리잉크 조성물은 우수한 내산화성을 가지며 수계 조성물이므로 환경친화적이다. 또한, 유연기판과의 접착성이 우수하며, 잉크 젯팅성 및 배선의 선폭 제어가 용이하여 디지털인쇄용으로 적합하다.-
公开(公告)号：KR101124224B1
公开(公告)日：2012-03-27
申请号：KR1020100014252
申请日：2010-02-17
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 순도가 매우 높을 뿐만 아니라 결정 입자가 구형으로 균일한 입경 분포를 갖는 칼코파이라이트형 나노입자를 제공한다. 보다 상세하게 본 발명은 Cu, Ⅲ족 원소 및 Ⅵ족 원소로 이루어진 칼코파이라이트형 화합물의 제조에 있어서, 반응물인 Cu염, Ⅲ족 원소 염 및 Ⅵ족 원소 분말의 용해도를 향상시키고, 킬레이트제, 이온성액체, 또는 이들의 혼합물 및 분산제를 포함한 혼합물을 초음파진동한 후, 불활성기체분위기에서 마이크로파를 조사하여 균일한 입경 분포를 갖으면서 순도가 매우 높은 칼코파이라이트형 나노입자를 제조하는 방법을 제공하는 데 목적이 있다.
-
公开(公告)号：KR101116752B1
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：KR1020090047065
申请日：2009-05-28
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 역마이셀법을 이용한 금속 나노분말의 제조방법 및 그에 의해서 제조된 나노분말에 관한 것으로, 역마이셀법을 이용하는 것을 특징으로 하는 이산화루테늄 나노분말의 제조방법에 관한 것으로, 균일한 나노입자 크기를 갖는 이산화루테늄 나노분말을 단순한 공정으로 제조할 수 있어 합성이 용이하다.
또한, 균일한 나노입자 크기를 갖고 분산성이 우수한 이산화루테늄 나노분말을 이용하는 잉크 및 이의 제조방법에 대한 것이다.
이산화루테늄, 루테늄, 역마이셀, 나노분말, 잉크-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101055625B1
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：KR1020090107041
申请日：2009-11-06
Applicant: 한국화학연구원 , 에이비씨나노텍 주식회사
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1의 구리-글리신 복합물을 포함하는 배선용 잉크 조성물과 이를 기재에 인쇄한 후 열처리하여 구리배선을 형성시키는 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
[상기 화학식 1에서, M은 Cu이고, R
1 및 R
2 는 서로 상이하거나 동일할 수 있으며, 할로겐이 하나 이상 치환되거나 치환되지 않은 C3-C7의 선형 또는 분지형의 알킬기이다.]
본 발명에 따른 배선용 잉크 조성물은 종래의 금속 나노입자를 계면활성제 또는 덮개리간드와 함께 분산용매에 분산시키는 잉크 조성물보다 분산 안정성이 우수한 장점이 있다. 또한 낮은 온도에서 열처리 공정을 수행할 수 있는 장점이 있으며, 잉크젯 인쇄방법에 적합하여 전극배선 패턴을 용이하게 형성할 수 있다.
배선용 잉크, 구리 화합물, 구리 복합물, 잉크젯 프린팅, 도전성 잉크, 구리 전구체, 전극 배선 패턴, RFID-
公开(公告)号：KR1020110025334A
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：KR1020090083346
申请日：2009-09-04
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L21/208 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02565 , H01L21/02628
Abstract: PURPOSE: A method for controlling crystallization for an oxide semiconductor for a solution process at a low temperature is provided to promote crystallization by controlling the thickness of a thin film. CONSTITUTION: A metal oxide precursor solution is coated on a substrate with the thickness of a thin film between 1 and 10 nm. The coated thin film is processed at a temperature of 200 to 350 degrees. The diluted solutions of the metal oxide precursor are made to control the thickness of the thin film between 1 and 10 nm by the coating of the metal oxide precursor solution. The diluted solutions of the metal oxide precursor include the metal oxide precursor of 0.01 to 0.09M.
Abstract translation: 目的：提供一种用于控制低温溶液处理的氧化物半导体结晶的方法，以通过控制薄膜的厚度来促进结晶。 构成：将金属氧化物前体溶液涂覆在基板上，薄膜的厚度在1至10nm之间。 涂覆的薄膜在200至350度的温度下进行处理。 金属氧化物前体的稀释溶液通过涂覆金属氧化物前体溶液来控制薄膜的厚度在1和10nm之间。 金属氧化物前体的稀释溶液包括0.01至0.09M的金属氧化物前体。
-
88.发明公开
公开(公告)号：KR1020110024174A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：KR1020090082061
申请日：2009-09-01
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C01G3/006 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B19/002 , C01G15/006 , C01P2004/64 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing low temperature water-based copper-indium-gallium-selenium(CuIn_xGa_1-xSe_2) nano particles is provided to control the particle of the copper-indium-gallium-selenium in a nano scale by controlling the size of an intermediate complex. CONSTITUTION: A complex solution containing copper and indium is prepared by reacting a copper compound, an indium compound, and a polymer electrolyte represented by chemical formula 1. A selenium compound is introduced into the complex solution, and copper-indium-(gallium-)selenium nano particles are prepared at low temperature. In chemical formula 1, R1 represents C6 to C30 aryl group, C1 to C18 alkyl group, C2 to C18 alkenyl group, or C3 to C18 cycloalkyl group. R2 is selected from a group including carboxylic acid, sulfonate, sulfate, ester sulfate, and phosphate. M1 is selected from sodium, ammonium, potassium, and amine. n represents an integer of 1 to 1000, and m represents an integer of 1 to 1000.
Abstract translation: 目的：提供一种制造低温水性铜铟镓硒（CuIn_xGa_1-xSe_2）纳米颗粒的方法，通过控制纳米尺度的铜铟镓硒颗粒的尺寸 中间复合体。 构成：通过铜化合物，铟化合物和由化学式1表示的聚合物电解质的反应制备含有铜和铟的复合溶液。将硒化合物引入复合溶液中，并将铜铟 - （镓） 硒纳米颗粒在低温下制备。 在化学式1中，R 1表示C 6〜C 30芳基，C 1〜C 18烷基，C 2〜C 18烯基或C 3〜C 18环烷基。 R2选自羧酸，磺酸盐，硫酸盐，酯硫酸盐和磷酸盐。 M1选自钠，铵，钾和胺。 n表示1〜1000的整数，m表示1〜1000的整数。
-
公开(公告)号：KR100931378B1
公开(公告)日：2009-12-11
申请号：KR1020070045252
申请日：2007-05-09
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 메탄기체계 및 액상법에 의한 탄소나노튜브의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 액상의 탄화수소계 물질을 탄소원으로 사용하고, 상기 탄소원의 임계온도 및 임계압력 영역으로 가온 및 가압하여 초임계유체 상태를 이루는 조건을 유지한 후에, 금속 핵(seed)물질의 존재 하에서 반응 및 냉각하여 탄소나노튜브 형태로 성장시키는 제조방법을 메탄기체계에 의하여 반응기 내에 특정의 증기압이 유지되는 분위기 하에서 수행하여 탄소나노튜브를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 탄소나노튜브의 제조방법은 액상 탄소원을 사용하고 있어 원료 취급이 보다 용이하고, 메탄기체계가 반응원 및 압력상승원으로 작용하고, 사용된 탄소원의 임계영역 범위에 해당하는 비교적 낮은 온도 및 압력 조건이 유지되는 온화한 조건으로도 길이가 1 ㎛ 이상인 탄소나노튜브를 제조할 수 있어 보다 저렴한 비용으로 대량생산이 가능한 이점이 있다.
탄소나노튜브, 액상법, 대량생산Abstract translation: 本发明提供一种碳纳米管的制造方法，其通过使用液态碳源容易地处理原料，并且以廉价的成本批量生产碳纳米管，因为甲烷气体体系充当反应源和升压源，并且碳 长度为1μm以上的纳米管可以在维持与使用碳源的临界区域对应的较低的温度和压力条件的温和条件下制造。 由于包含金属晶种材料的液态碳源保持处于临界状态的温度和压力，因此通过液相法生长碳纳米管的形式来生长碳纳米管。 在甲烷气系统的蒸气压保持在50〜200psi的条件下，将液态碳源加热并加压至200℃〜800℃和1〜400atm。 在将结晶生长成碳源的液相和气相平衡的临界状态之后，制造冷却的碳纳米管。
-
公开(公告)号：KR100927696B1
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：KR1020070130498
申请日：2007-12-13
Applicant: 한국화학연구원
IPC: B41J29/393 , B41J2/01
Abstract: 본 발명은 프린트헤더에서 분사되는 잉크의 속도를 측정하는 방법에 관한 것이다. 잉크젯 프린터기의 프린터헤더에서 분사되는 잉크방울의 속도를 측정하는 방법에 있어서, 상기 프린터헤더에서 분사되는 잉크방울을 카메라로 촬영하는 단계; 상기 촬영된 이미지를 컴퓨터에 저장하는 단계; 상기 저장된 이미지 중 소정의 프로그램에서 잉크방울을 포함한 원하는 부분 을 라인(line)으로 지정하는 단계; 상기 라인으로 지정된 부분 중 상기 잉크방울에서 테두리 검출(edge detection)하는 단계; 상기 테두리 검출 단계에서 선정된 잉크방울에서 이미지 프로세싱하는 단계; 및 상기 이미지 프로세싱 수행 후 잉크 방울의 속도를 산출하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다. 잉크방울의 속도측정방법에 있어서 종래 잉크방울의 면적 즉 2차원 평면을 이미지 프로세싱하여 잉크방울의 속도를 측정하는 방법과 달리 1차원인 직선만을 이미지 프로세싱하는 방법으로 잉크방울의 신속한 속도측정이 가능하게 된다.
잉크방울, 프린트헤더, 스레숄딩값, 라인.Abstract translation: 通过处理与通过二维平面图像处理测量墨滴速度的常规方法不同的一维线，提供了用于测量喷墨打印机中墨滴的速度的方法以使生产率最大化。 一种用于测量喷墨打印机中墨滴的速度的方法，包括以下步骤：拍摄从打印机头部喷射的墨滴的图片; 将拍摄的图像存储在计算机中; 将存储的图像中包括墨滴的期望部分指定为线; 检测墨滴的边缘; 对选定的墨滴执行图像处理; 并在图像处理之后测量墨滴的速度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
167
records
(took 0.03 seconds)
