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    82.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2910713B1

    公开(公告)日：2009-06-12

    申请号：FR0611350

    申请日：2006-12-26

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ROY FRANCOIS

    IPC: H01L31/103 ,  H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H01L31/18

    Abstract: In a photodiode formed by a region of a first type inside a region of a second type, of a semiconductor substrate, the region of the first type includes a first zone including a dopant of the first type having a first concentration and a first depth. The region of the first type also has a second zone adjacent to the first zone in the dopant of the first type has a second concentration higher than the first concentration and a second depth smaller than the first depth. A method for making such a diode is also disclosed.

    CAPTEUR D'IMAGE COMPRENANT DES PIXELS A UN TRANSISTOR
    83.
    发明专利
    CAPTEUR D'IMAGE COMPRENANT DES PIXELS A UN TRANSISTOR 未知

    公开(公告)号：FR2911007A1

    公开(公告)日：2008-07-04

    申请号：FR0656033

    申请日：2006-12-28

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： TOURNIER ARNAUD ,  ROY FRANCOIS

    IPC: H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H01L31/18

    Abstract: L'invention concerne un pixel comportant un substrat semiconducteur (1) d'un premier type de dopage ; une première couche du second type de dopage recouvrant le substrat ; une seconde couche (33, 34) du premier type de dopage recouvrant la première couche ; et un transistor de type MOS (Tl, T2) formé dans la seconde couche et ayant une zone de drain (15, 25) et une zone de source (14, 24) du second type de dopage. Le pixel comprend une première zone (32) du second type de dopage, plus fortement dopée que la première couche, traversant la seconde couche et s'étendant jusque dans la première couche, et reliée à la zone de drain ; et une seconde zone (40, 41) du premier type de dopage, plus fortement dopée que la seconde couche et bordant la zone de source.

    88.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2910703B1

    公开(公告)日：2009-03-20

    申请号：FR0655895

    申请日：2006-12-22

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ROY FRANCOIS

    IPC: H01L21/768 ,  H01L27/146

    Abstract: The device has a set of components formed on a substrate (100), and superimposed metallic interconnection levels (N1-N3) for interconnecting the components. The levels are located in insulating layers (160, 165) placed on the substrate, where the level (N2) has conductive zones (120a-120c) made of copper. The level (N3) is located on the level (N2) and comprises two other conductive zones made of copper and aluminum, respectively. The latter conductive zones are respectively connected to the conductive zones (120b, 120c). An independent claim is also included for a method for forming a micro-electronic device.

    89.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2897472B1

    公开(公告)日：2008-09-05

    申请号：FR0650536

    申请日：2006-02-14

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： FELLOUS CYRIL ,  HOTELLIER NICOLAS ,  AUMONT CHRISTOPHE ,  ROY FRANCOIS

    IPC: H01L27/146

    Abstract: A photodetector including a photodiode formed in a semiconductor substrate and a waveguide element formed of a block of a high-index material extending above the photodiode in a thick layer of a dielectric superposed to the substrate, the thick layer being at least as a majority formed of silicon oxide and the block being formed of a polymer of the general formula R1R2R3SiOSiR1R2R3 where R1, R2, and R3 are any carbonaceous or metal substituents and where one of R1, R2, or R3 is a carbonaceous substituent having at least four carbon atoms and/or at least one oxygen atom.

    FILTRE OPTIQUE INTEGRE DANS OU SOUS LES NIVEAUX DE METALLISATION D'UNE CELLULE PHOTOSENSIBLE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
    90.
    发明专利
    FILTRE OPTIQUE INTEGRE DANS OU SOUS LES NIVEAUX DE METALLISATION D'UNE CELLULE PHOTOSENSIBLE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT 未知

    公开(公告)号：FR2894073A1

    公开(公告)日：2007-06-01

    申请号：FR0512156

    申请日：2005-11-30

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ROY FRANCOIS ,  LULE TAREK

    IPC: H01L31/0232 ,  H01L27/146

    Abstract: L'invention concerne un circuit intégré comprenant au moins une cellule photosensible. La cellule (1) comprend un élément photosensible (4), une face d'entrée (2) associée audit élément photosensible, un filtre optique (6) situé sur au moins un chemin optique menant à l'élément photosensible et une partie d'interconnexion (5) située entre l'élément photosensible et la face d'entrée. Le filtre optique (6) est disposé entre l'élément photosensible et la surface de la partie d'interconnexion la plus proche de la face d'entrée. En particulier, le filtre optique peut être disposé dans la partie d'interconnexion. L'invention propose également de réaliser le filtre à l'aide d'un verre comprenant du sulfure de cérium ou au moins un oxyde métallique.

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