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    반도체 집적 회로에 내장되는 전기 디바이스
    81.
    发明公开
    반도체 집적 회로에 내장되는 전기 디바이스 有权
    电气设备构建成半导体集成电路

    公开(公告)号：KR1020090082148A

    公开(公告)日：2009-07-29

    申请号：KR1020090005991

    申请日：2009-01-23

    Applicant: 가부시끼가이샤 도시바

    Inventor： 고지마아끼히로 ,  스기자끼요시아끼 ,  시모오까요시아끼

    IPC: H01L23/055

    CPC classification number: B81B7/0038 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00476

    Abstract: An electrical device which is built in a semiconductor IC for improving reliability is provided to prevent the toxic gas including the steam by diffusing the second intra-membrane and breaking within collaboration. An electrical device(10) comprises a substrate(12), a first film(14), a second film(15), a third film(16), and a fourth film(17). The first film forms collaborations receiving the functional device with substrate. The first film is comprised in order to include a plurality of penetration holes. The second film is comprised in order to coat with a plurality of penetration holes. The second film is formed on the first film. The second film has the gas permeability which is greater than the first film. The third film is comprised in order to be formed on at least, the second film. The third film has the gas permeability smaller than the second film. The fourth film is comprised in order to be formed on the third film. The fourth film has the elasticity which is bigger than the third film.

    Abstract translation: 提供内置于半导体IC中以提高可靠性的电气装置，用于通过扩散第二内膜并在协作中破坏包括蒸汽在内的有毒气体。 电气装置（10）包括基板（12），第一膜（14），第二膜（15），第三膜（16）和第四膜（17）。 第一个电影形成接收功能设备与基板的协作。 包括第一膜以便包括多个穿透孔。 包括第二膜以便涂覆多个穿透孔。 第二个膜形成在第一个膜上。 第二膜具有比第一膜大的透气性。 包含第三膜以至少形成第二膜。 第三膜的气体透过率小于第二膜。 包括第四膜以形成在第三膜上。 第四片具有大于第三片的弹性。

    INTEGRATED CAPACITIVELY-COUPLED BIAS CIRCUIT FOR RF MEMS SWITCHES
    86.
    发明申请
    INTEGRATED CAPACITIVELY-COUPLED BIAS CIRCUIT FOR RF MEMS SWITCHES 审中-公开
    用于RF MEMS开关的集成电容耦合偏置电路

    公开(公告)号：WO2015183841A1

    公开(公告)日：2015-12-03

    申请号：PCT/US2015/032498

    申请日：2015-05-26

    Applicant: RAYTHEON COMPANY

    Inventor： MORRIS, Frances, J.

    IPC: H01G5/18 ,  H01H59/00

    CPC classification number: H01G5/16 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/0221 ,  H01G5/18 ,  H01H59/0009 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/92

    Abstract: A switchable capacitor (100) including a first electrode (104), a dielectric layer (110) on the first electrode (104), a second electrode (106) configured to be suspended in an undeflected position over the dielectric layer (110) in a de-activated state, and to deflect toward the first electrode (104) in an activated state in response to a voltage difference between the two electrodes (104,106), a gap between the second electrode (106) and the dielectric layer (110) in the activated state being less than a corresponding gap in the de-activated state, and a capacitor (120) having a first and second end, coupled to one of the electrodes at the first end, and configured to reduce the voltage difference between the electrodes (104,106) as the second electrode (106) deflects toward the first electrode (104) in the activated state, wherein the voltage difference between the electrodes corresponds to a bias voltage applied across the second end of the capacitor (120) and an other one of the first (104) and second (106) electrodes.

    Abstract translation: 一种可切换电容器（100），包括第一电极（104），第一电极（104）上的电介质层（110），第二电极（106），被配置为悬置在电介质层（110）上的未偏转位置 响应于两个电极（104,106）之间的电压差，第二电极（106）和电介质层（110）之间的间隙，在激活状态下朝着第一电极（104）偏转， 在所述激活状态小于所述去激活状态下的对应间隙，以及具有第一端和第二端的电容器（120），所述电容器（120）在所述第一端处耦合到所述电极中的一个，并且被配置为降低 作为第二电极（106）的电极（104,106）在激活状态下朝向第一电极（104）偏转，其中电极之间的电压差对应于施加在电容器（120）的第二端上的偏置电压，另一个 一个f 第一（104）和第二（106）电极。

    CMOS INTEGRATED MOVING-GATE TRANSDUCER WITH SILICON AS A FUNCTIONAL LAYER
    87.
    发明申请
    CMOS INTEGRATED MOVING-GATE TRANSDUCER WITH SILICON AS A FUNCTIONAL LAYER 审中-公开
    CMOS集成式移动栅传感器，以硅作为功能层

    公开(公告)号：WO2014100497A1

    公开(公告)日：2014-06-26

    申请号：PCT/US2013/076725

    申请日：2013-12-19

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  FEYH, Ando ,  CHEN, Po-jui ,  ULM, Markus

    Inventor： FEYH, Ando ,  CHEN, Po-jui ,  ULM, Markus

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0228 ,  B81C1/00134 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0771

    Abstract: A semiconductor device includes a substrate, a first dielectric layer located above the substrate, a moving-gate transducer, and a proof mass. The moving-gate transducer is at least partially formed within the substrate and is at least partially formed within the first dielectric layer. The proof mass includes a portion of the first dielectric layer and a portion of a silicon layer. The silicon layer is located above the first dielectric layer.

    Abstract translation: 半导体器件包括衬底，位于衬底上方的第一介电层，移动栅极换能器和校验块。 移动栅极换能器至少部分地形成在衬底内并且至少部分地形成在第一介电层内。 检测质量包括第一电介质层的一部分和硅层的一部分。 硅层位于第一介电层的上方。

    静電アクチュエーターおよび可変容量デバイス
    88.
    发明申请
    静電アクチュエーターおよび可変容量デバイス 审中-公开
    静电致动器和可变电容器件

    公开(公告)号：WO2014080444A1

    公开(公告)日：2014-05-30

    申请号：PCT/JP2012/007570

    申请日：2012-11-26

    Applicant: パイオニア株式会社 ,  パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社

    Inventor： 埴原　甲二 ,  杉田　哲郎

    IPC: H02N1/00

    CPC classification number: H02N1/08 ,  B81B3/0016 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/0181

    Abstract: 　簡易な構成で、他方部分が基板に近づいた方向に揺動した揺動梁を、一方部分が基板に近づく方向に確実に揺動させることができる静電アクチュエーター等を提供する。　シリコン基板２上の支持部２１によりシーソー状に揺動可能に支持され、静電気力により揺動する揺動梁部２２と、支持部２１に対する揺動梁部２２の外側部分２２ａにシリコン基板２側で対向して外側部分２２ａとの間に静電気力を生じさせると共に、支持部２１側とは反対側の端部が、外側部分２２ａの端部と接続され、支持部２１側の端部が、シリコン基板２に対して固定された可動梁２５とを備えた。

    Abstract translation: 本发明提供了一种静电致动器，其能够使摇摆梁的一部分在接近基板的方向上稳定摆动，同时使另一部分沿朝向基板的方向摇摆。 静电致动器包括：摇动梁（22），其被支撑成能够通过硅衬底（2）上的支撑件（21）摆动成跷跷板并通过静电力摆动; 以及在所述硅衬底（2）侧相对于所述摇动梁（22）的相对于所述支撑件（21）的外部部分（22a）的可动梁（25），以在其与所述外部部分之间产生静电力 （22a），并且在与所述外部部分（22a）的端部连接并且固定到所述硅基板（2）的所述支撑件（21）侧上的另一端的相对侧的一侧具有一端。

    MICRO-ELECTRO-MECHANICAL SYSTEM (MEMS) VARIABLE CAPACITOR APPARATUSES AND RELATED METHODS
    89.
    发明申请
    MICRO-ELECTRO-MECHANICAL SYSTEM (MEMS) VARIABLE CAPACITOR APPARATUSES AND RELATED METHODS 审中-公开
    微电子机械系统（MEMS）可变电容器装置及相关方法

    公开(公告)号：WO2014047525A1

    公开(公告)日：2014-03-27

    申请号：PCT/US2013/061065

    申请日：2013-09-20

    Applicant: WISPRY, INC.

    Inventor： MORRIS, Arthur, S. ,  DEREUS, Dana ,  BAYTAN, Norito

    IPC: H01G5/16

    CPC classification number: H01G5/16 ,  B81B3/0008 ,  B81B3/0016 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/0221 ,  B81C1/00166 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  H01G5/18 ,  H01G7/00

    Abstract: Systems, devices, and methods for micro-electro-mechanical system (MEMS) tunable capacitors can include a fixed actuation electrode attached to a substrate, a fixed capacitive electrode attached to the substrate, and a movable component positioned above the substrate and movable with respect to the fixed actuation electrode and the fixed capacitive electrode. The movable component can include a movable actuation electrode positioned above the fixed actuation electrode and a movable capacitive electrode positioned above the fixed capacitive electrode. At least a portion of the movable capacitive electrode can be spaced apart from the fixed capacitive electrode by a first gap, and the movable actuation electrode can be spaced apart from the fixed actuation electrode by a second gap that is larger than the first gap.

    Abstract translation: 用于微机电系统（MEMS）可调谐电容器的系统，装置和方法可以包括附接到基板的固定致动电极，附接到基板的固定电容电极和位于基板上方的可移动部件， 固定的致动电极和固定的电容电极。 可移动部件可以包括位于固定致动电极上方的可动致动电极和位于固定电容电极上方的可动电容电极。 可移动电容电极的至少一部分可以通过第一间隙与固定电容电极间隔开，并且可移动致动电极可以通过比第一间隙大的第二间隙与固定的致动电极间隔开。

    可変容量装置
    90.
    发明申请
    可変容量装置 审中-公开
    可变电容器件

    公开(公告)号：WO2011158708A1

    公开(公告)日：2011-12-22

    申请号：PCT/JP2011/063101

    申请日：2011-06-08

    Applicant: 株式会社村田製作所 ,  山田宏 ,  柴原輝久

    Inventor： 山田宏 ,  柴原輝久

    IPC: H01G5/16 ,  B81B3/00 ,  H01G5/00 ,  H01G5/01

    CPC classification number: H01G5/18 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/0118 ,  H01G5/01

    Abstract: 　可変容量装置（１）は、支持板（２）と、可動梁（６）と、下側ＲＦ容量電極（３Ａ，３Ｂ）と、下側駆動容量電極（４Ａ，４Ｂ）とを備える。可動梁（６）は支持板（２）の主面に平行し、支持板（２）に接続される。下側ＲＦ容量電極（３Ａ，３Ｂ）と、下側駆動容量電極（４Ａ，４Ｂ）とは、可動梁（６）の主軸方向を長手として支持板（２）に形成される。下側駆動容量電極（４Ａ，４Ｂ）は、可動梁（６）との間に形成される駆動容量に基づいて可動梁（６）を変形させる。下側ＲＦ容量電極（３Ａ，３Ｂ）は、可動梁（６）との間に生じるＲＦ容量を介してＲＦ信号を伝搬させる。可動梁（６）は、Ｚ軸方向の厚みが薄く、Ｙ軸方向に線路状に延設される線路状溝部（６Ａ２）を備え、複数の線路状溝部（６Ａ２）を間隔を隔てて平行させた構成である。

    Abstract translation: 所公开的可变电容装置（1）设置有支撑板（2），可动梁（6），下侧RF电容电极（3A，3B）和下侧驱动电容电极（4A，4B）。 可移动梁（6）平行于支撑板（2）的主表面设置并连接到支撑板（2）。 下侧RF电容电极（3A，3B）和下侧驱动电容电极（4A，4B）形成在支撑板（2）上，其长度尺寸与可动梁（6）的轴向对准。 下驱动电容电极（4A，4B）根据形成在可动光束（6）和驱动电容电极（4A，4B）之间的驱动电容使可动光束（6）变形。 下侧RF电容电极（3A，3B）通过发生在可动光束（6）和RF电容电极（3A，3B）之间的RF电容传播RF信号。 可移动梁（6）沿着Z轴是薄的，并且设置有沿着Y轴延伸的轨道状槽（6A2），多个轨道状槽（6A2）彼此平行地布置在 间隔。

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