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公开(公告)号:CN102295263A
公开(公告)日:2011-12-28
申请号:CN201110173720.4
申请日:2011-06-24
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor: 乔治.A.邓巴三世 , 杰弗里.C.马林 , 威廉.J.莫菲 , 安东尼.K.斯塔姆珀
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括形成下牺牲材料,用于形成下腔体。该方法还包括形成将下腔体连接到上腔体的腔体通孔。该腔体通孔形成有圆形或倒角边缘的俯视外形。该方法还包括在腔体通孔内及其上方形成上牺牲材料,其具有基于该腔体通孔的外形的生成表面。该上腔体形成有顶盖,该顶盖具有不妨碍MEMS梁的结构,包括:在上牺牲材料的生成表面上沉积顶盖材料;以及排出该上牺牲材料以形成上腔体,从而该顶盖材料形成与该上牺牲材料的生成表面保形的顶盖。
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公开(公告)号:CN100550429C
公开(公告)日:2009-10-14
申请号:CN02826974.8
申请日:2002-11-08
Inventor: 达纳·R·德吕斯
CPC classification number: B81B3/0024 , B81B3/0051 , B81B2201/014 , B81B2201/018 , B81B2203/0118 , B81B2203/04 , B81B2207/07 , B81C1/0015 , B81C2201/0107 , B81C2201/0108 , B81C2201/0109 , H01H1/04 , H01H1/504 , H01H59/0009 , H01H61/04 , H01H2001/0042 , H01H2001/0063 , H01H2001/0089 , H01H2059/0072 , H01H2061/006 , H01L23/3735 , H01L23/522 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H02N1/006 , H02N10/00 , Y10T29/49222 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例,提供一种悬挂在基板上方的可移动MEMS部件。该部件可包括结构层,该结构层具有与基板分开一定间隙的可移动电极。该部件还可包括至少一个支座凸块,该支座凸块固定到结构层上并延伸到所述间隙中,当该部件移动时用于防止可移动电极与导电材料接触。
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公开(公告)号:CN100532248C
公开(公告)日:2009-08-26
申请号:CN200480027286.7
申请日:2004-09-21
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: G02B26/0816 , B81B3/0086 , B81B2201/033 , B81B2201/045 , B81C1/00484 , B81C2201/0109 , B81C2201/019 , G02B6/3516 , G02B6/3518 , G02B6/3546 , G02B6/355 , G02B6/357 , G02B6/3584 , H02N1/008
Abstract: 一种用于制造包括固定地支撑在底座上的固定元件和可动地支撑在所述底座上的可动元件的微机电系统(MEMS)的方法。所述方法采用与下衬底分离的上衬底。所述上衬底在其顶层被选择性蚀刻以在其中形成多个柱,所述柱从所述上衬底的底层一起突出。所述柱包括将被固定到所述下衬底的所述固定元件和仅弹性地支撑于一个或多个所述固定元件以相对于所述固定元件可移动的所述可动元件。所述下衬底在其顶表面形成有至少一个凹陷。然后所述上衬底颠倒结合到所述下衬底的顶部,使得把所述固定元件直接设置在所述下衬底上,并把所述可动元件设置在所述凹陷上方。最后,除去所述上衬底的底层,以从所述底层释放所述可动元件,从而把所述可动元件浮置在所述凹陷上,并允许它们相对于所述下衬底移动,同时保持所述固定元件固定到所述下衬底的顶部。
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公开(公告)号:CN101284643A
公开(公告)日:2008-10-15
申请号:CN200810099049.1
申请日:2002-04-29
Applicant: 铱显示器公司
Inventor: M·W·迈尔斯
IPC: B81C1/00
CPC classification number: G02B26/001 , B81B2201/042 , B81B2203/0315 , B81C1/00396 , B81C2201/0109 , B81C2203/0136
Abstract: 本发明提供了一种制造微机电系统(MEMS)器件的方法,所述方法包括:在基底上沉积一个包括牺牲材料的层;将牺牲层形成图案;在牺牲层上沉积附加层;以及利用牺牲层作为光掩膜将附加层形成图案。该方法有助于减少在微机电系统器件制造过程所需的掩膜步骤的次数。
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公开(公告)号:CN101119924A
公开(公告)日:2008-02-06
申请号:CN200580048189.0
申请日:2005-12-21
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81C1/00476 , B81C2201/0109 , B81C2201/053
Abstract: 本发明描述了一种用于制造微机械膜片传感器的方法以及一种借助所述方法制造的微机械膜片传感器。在此规定,微机械膜片传感器具有至少一个第一膜片和一个基本上在第一膜片之上的第二膜片。此外还规定,微机械膜片传感器具有第一空腔和基本上在第一空腔之上的第二空腔。
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公开(公告)号:CN1986386A
公开(公告)日:2007-06-27
申请号:CN200610169098.9
申请日:2006-12-20
Applicant: 施乐公司
CPC classification number: B81C1/00801 , B41J2/14 , B41J2/16 , B41J2/1626 , B41J2/1639 , B41J2002/043 , B81B2201/052 , B81C2201/0109 , B81C2201/0133 , B81C2201/014
Abstract: 一种用于制造微型机械装置的初始结构,所述结构在操作配置中具有多个层,每个层顺序相互层叠,所述层包括第一牺牲层、第二牺牲层和所需下面层,所述第一牺牲层具有与所需下面层类似的材料蚀刻性能,所述第二牺牲层具有与所述所需下面层完全不同的材料蚀刻性能,其中所述第二牺牲层大致经得起用来去除所述第一牺牲层的材料,并且其中所述第二牺牲层能够在所述第一牺牲层通过所述蚀刻去除时保护下面层。
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公开(公告)号:CN1292447C
公开(公告)日:2006-12-27
申请号:CN02826914.4
申请日:2002-11-08
Inventor: 肖恩·J·坎宁安 , 达纳·R·德吕斯 , 苏巴哈姆·塞特 , 斯韦特兰娜·塔蒂克-卢奇克
IPC: H01H57/00
CPC classification number: B81B3/0024 , B81B3/0051 , B81B2201/014 , B81B2201/018 , B81B2203/0118 , B81B2203/04 , B81B2207/07 , B81C1/0015 , B81C2201/0107 , B81C2201/0108 , B81C2201/0109 , H01H1/04 , H01H1/504 , H01H59/0009 , H01H61/04 , H01H2001/0042 , H01H2001/0063 , H01H2001/0089 , H01H2059/0072 , H01H2061/006 , H01L23/3735 , H01L23/522 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H02N1/006 , H02N10/00 , Y10T29/49222 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种悬挂在基板(102)上的活动的、三层微元件(108),并且包括第一导电层(116),将该第一导电层构图限定活动电极(114)。用间隙将基板(102)与第一金属层(116)分开。微元件(108)还包括在第一金属层(116)上形成并且一端相对于基板(102)固定的电介质层(112)。此外,微元件(102)包括在介质层(112)上形成的第二导电层(120),并且构图限定与活动电极(114)电连接的电极互连(124)。
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公开(公告)号:CN1678939A
公开(公告)日:2005-10-05
申请号:CN03820384.7
申请日:2003-05-14
Applicant: 硅光机器公司
IPC: G02B26/00
CPC classification number: B81C1/00111 , B81B2203/0136 , B81B2203/0307 , B81C2201/0109 , G02B26/0808
Abstract: 一种微机电器件,包括一个或者多个带条或者悬臂结构形式的可动微结构(704)。该带条或者悬臂结构通过一个或者多个支承区域(703)与基板(701)相连,该支承区域具有多个固定支承部件(711,711’)和多个柱支承部件(713,713’)。该微机电器件是带有多个可动带条结构的光学微机电器件,每个带条结构相对两端由支承区域(703)支承,每个支承区域具有多个固定支承部件(711,711’)和多个柱支承部件(713,713’)。
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公开(公告)号:CN1607648A
公开(公告)日:2005-04-20
申请号:CN200410077822.6
申请日:2004-09-15
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: B81B3/0072 , B81C2201/0109
Abstract: 本发明公开了一种在衬底上形成重量补偿/调节层的方法。本发明的实施例在表面形貌具有变化的结构(例如,具有一个或多个材料层(例如,薄膜)的硅晶片)上形成重量补偿/调节层。表面形貌变化表现为材料的厚的区域和薄的区域。重量补偿/调节层包括分别与厚的区域和薄的区域相对应的窄的区域和宽的区域。
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公开(公告)号:CN1522223A
公开(公告)日:2004-08-18
申请号:CN02813191.6
申请日:2002-06-27
Applicant: 英特尔公司
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81C1/00126 , B81C2201/0109 , H03H3/0072
Abstract: 一种方法,包括:在衬底的一定区域上形成多个三维第一结构;在形成第一结构之后,在所述衬底的区域上共形引入牺牲材料;在牺牲材料上引入第二结构材料;以及清除牺牲材料。一种装置,包括:处于衬底上的第一结构;以及处于衬底上被清除的薄膜的厚度所确定的未被填充的间隙与第一结构分隔的第二结构。
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