公开(公告)号：EP1197778A2

公开(公告)日：2002-04-17

申请号：EP01308610.3

申请日：2001-10-09

Applicant: Agere Systems Guardian Corporation ,  Lucent Technologies Inc.

Inventor： Aksyuk, Vladimir A. ,  Jin, Sungho ,  Kim, Jungsang ,  Mavoori, Hareesh ,  Pardo, Flavio ,  Ramirez, Ainissa

IPC: G02B26/08 ,  B81B3/00

CPC classification number: G02B26/0841 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0164 ,  G02B6/122 ,  G02B6/266 ,  G02B2006/12104

Abstract: The present invention provides a micro-electro-mechanical system (MEMS) optical device (100). The micro-electro-mechanical system (MEMS) optical device (100) includes a mirror (110) having a substrate (140) with an implanted light reflective optical layer (130) thereover, and a mounting substrate (120) on which the mirror (110) is movably mounted. The inclusion of the dopant (150) within the light reflective optical layer (130) increases the tensile stress of the device (100) and tends to correct the concave curvature of the mirror structure toward a desirably flat configuration.

Abstract translation: 本发明提供了一种微机电系统（MEMS）光学装置（100）。 所述微机电系统（MEMS）光学装置（100）包括反射镜（110），其具有基材（140），在植入的光反射性光学层（130）有在和安装基板（120）在其上镜 （110）可移动地安装。 光反射光学层（130）内的掺杂剂（150）的内含物提高了设备​​（100）的拉伸应力，并倾向于以校正反射镜结构的凹曲度朝向理想平坦的构造。

公开(公告)号：EP0367750A3

公开(公告)日：1990-08-29

申请号：EP89890238.2

申请日：1989-09-13

Applicant: IMS Ionen Mikrofabrikations Systeme Gesellschaft m.b.H. ,  NANOSTRUCTURES, INC.

Inventor： Mauger, Philip E.

IPC: H01L21/306

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2201/0164 ,  C23C14/0005 ,  C25F3/12 ,  H01L21/3063 ,  Y10S438/924

Abstract: Verfahren zur Erzeugung einer Siliziummembran mit vorbestimmten Spannungseigenschaften. Ein Siliziumsub­strat wird dotiert, um eine dotierte Schicht zu bilden, deren Dicke mit der Dicke der Membran genau überein­stimmt. Die Spannung in der dotierten Schicht wird durch Auswählen der Dotierungssubstanz unter Zugrundelegung ih­res atomaren Durchmessers im Verhältnis zu Silizium sowie durch Steuern der Gesamtkonzentration und des Konzentra­tionsprofils der Dotierungssubstanz kontrolliert. Danach wird die Membran durch elektrochemisches Wegätzen des Substrats unterhalb der dotierten Schicht gebildet.

公开(公告)号：KR1020050026078A

公开(公告)日：2005-03-14

申请号：KR1020057001759

申请日：2003-05-13

Applicant: 엔엑스피 유에스에이, 인코포레이티드

Inventor： 포에르스트너,주에르젠,에이. ,  스미스,스티븐,엠. ,  루프,레이몬드,머빈

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2203/0735 ,  H01G5/18

Abstract: A method is provided for making a MEMS structure (69). In accordance with the method, a CMOS substrate (51) is provided which has interconnect metal (53) deposited thereon. A MEMS structure is created on the substrate through the plasma assisted chemical vapor deposition (PACVD) of a material selected from the group consisting of silicon and silicon-germanium alloys. The low deposition temperatures attendant to the use of PACVD allow these materials to be used for MEMS fabrication at the back end of an integrated CMOS process.

Abstract translation: 提供了一种用于制造MEMS结构（69）的方法。 根据该方法，提供具有沉积在其上的互连金属（53）的CMOS基板（51）。 通过等离子体辅助化学气相沉积（PACVD）在由硅和硅 - 锗合金组成的组中选择的材料在衬底上产生MEMS结构。 使用PACVD的低沉积温度允许这些材料用于集成CMOS工艺后端的MEMS制造。

公开(公告)号：KR1020030067658A

公开(公告)日：2003-08-14

申请号：KR1020037001885

申请日：2001-08-07

Applicant: 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드

Inventor： 카부즈클레오파트라 ,  호닝로버트디. ,  얼드만프란씨스엠. ,  글렌맥스씨.

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00365 ,  B81C2201/0164 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/2495

Abstract: 본 발명은 비평면적인 곡률이 감소된 붕소-도프된 실리콘층(36)을 개시한다. 상기 층은 실질적으로 상하부표면(38,40)부근에서 실질적으로 동일한 붕소농도를 갖는다. 이와 같이 대향하는 부분의 농도가 동일하므로, 상기 층(36)에서 발생되는 압축응력은 실질적으로 균형을 이룬다. 이로써, 비평면적인 곡률이 감소된 층(36)을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR101668835B1

公开(公告)日：2016-10-28

申请号：KR1020137033278

申请日：2012-05-11

Applicant: 테크놀로지안 투트키무스케스쿠스 브이티티 오와이

Inventor： 프룬닐라,미카 ,  자콜라,안티 ,  펜살라,투오마스

IPC: B81B3/00 ,  H03H9/02

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/0177 ,  G06F17/5045 ,  H03H9/02448 ,  H03H9/2447 ,  H03H2009/2442

Abstract: 본발명은편향또는공진할수 있고상이한재료속성들을갖는적어도 2개의영역들을포함하는반도체소자, 상기반도체소자에기능적으로결합된구동또는감지수단을포함하는마이크로기계장치에관한것이다. 본발명에따르면, 상기영역들의적어도하나는하나이상의 n-형도핑제들을포함하고, 상기영역들의상대적인체적들, 도핑농도들, 도핑제들및/또는결정방위들은일반화된강성의온도감도들이적어도영역들에대한하나의온도에서부호가반대이고, 상기반도체소자의일반화된강성의전체적인온도드리프트가 100 ℃의온도범위상에서 50 ppm 이하이도록구성된다. 상기장치는공진기일수 있다. 또한, 상기장치를설계하는방법이개시되어있다.

公开(公告)号：KR1020030027951A

公开(公告)日：2003-04-07

申请号：KR1020037002105

申请日：2001-06-13

Applicant: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤

Inventor： 이시바시키요시 ,  호리카와마키오 ,  오쿠무라미카 ,  아오토마사아키 ,  요시다다이사쿠 ,  다카쿠라히로후미

IPC: H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0169 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814 ,  H01G4/33 ,  H01G5/16

Abstract: 본 발명은, 반도체 가공기술을 사용하여 형성되는 박막구조체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 반도체 가속도 센서를 구성하는 박막구조체 및 그 제조방법에 있어서, 간편히 박막체의 응력제어가 가능함과 동시에, 박막체의 막두께를 두껍게 하는 것이 용이한 박막구조체 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그리고, 상기목적을 달성하기 위해, 반도체 가속도 센서의 질량체(3), 빔(7) 및 고정전극(5)을 구성하는 박막체(8)가, 불순물로서 예를 들면 인을 도프하면서 폴리실리콘을 막형성하는 공정을 복수회 행하여 적층된 복수의 도프된 폴리실리콘 박막(33, 35)에 의해 구성되어 있다.

Abstract translation: 通过使用半导体加工技术及其制造方法形成的薄膜结构体，特别是构成半导体加速度传感器的薄膜结构体及其制造方法。 薄膜结构体容易对薄膜部件进行应力控制，并且容易使薄膜部件的膜厚变厚。 薄膜构件形成质量体，并且半导体加速度传感器的梁和固定电极由多个掺杂多晶硅薄膜构成，所述多个掺杂多晶硅薄膜通过执行多晶硅的膜沉积步骤而层压，而例如磷 作为杂质被多次掺杂。

公开(公告)号：JP2014519260A

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：JP2014510842

申请日：2012-05-11

Applicant: テクノロジアン テュトキムスケスクス ヴェーテーテーTeknologian tutkimuskeskus VTT

Inventor： プルニーラ ミーカ ,  ヤーコラ アンティ ,  ペンサラ トゥオマス

IPC: H03H9/24 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H03H3/007

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/0177 ,  G06F17/5045 ,  H03H9/02448 ,  H03H9/2447 ,  H03H2009/2442

Abstract: 本発明は、偏向又は共振することができ、異なる材料特性を有する少なくとも２つの領域を含む半導体素子と、前記半導体素子に機能的に連結された、駆動手段又は感知手段とを備える微小機械素子に関するものである。 本発明によれば、前記領域の少なくとも１つが、１つ以上のｎ型ドーピング剤を含み、前記領域の相対体積、ドーピング濃度、ドーピング剤、及び／又は結晶方位が、前記領域において、一般化剛性の温度感受性が、少なくとも１つの温度で逆符号であるとともに、半導体素子の一般化剛性の総合温度ドリフトが、１００℃の温度範囲で５０ｐｐｍ以下であるように構成される。 当該素子を共振器とすることができる。 また、当該素子を設計する方法を開示する。
【選択図】図２ｃ

公开(公告)号：JP5026632B2

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：JP2000216404

申请日：2000-07-17

Applicant: ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： フュルチュ マッティアス ,  オッフェンベルク ミヒャエル

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0169

公开(公告)号：JP2005534510A

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：JP2004525975

申请日：2003-05-13

Applicant: フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド

Inventor： エム． スミス、スティーブン ,  エイ． フォーストナー、ジュエルゲン ,  マービン ループ、レイモンド

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01H49/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2203/0735 ,  H01G5/18

Abstract: A method is provided for making a MEMS structure (69). In accordance with the method, a CMOS substrate (51) is provided which has interconnect metal (53) deposited thereon. A MEMS structure is created on the substrate through the plasma assisted chemical vapor deposition (PACVD) of a material selected from the group consisting of silicon and silicon-germanium alloys. The low deposition temperatures attendant to the use of PACVD allow these materials to be used for MEMS fabrication at the back end of an integrated CMOS process.

公开(公告)号：JP2004519335A

公开(公告)日：2004-07-02

申请号：JP2002517420

申请日：2001-08-07

Applicant: ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド

Inventor： アードマン，フランシス・エム ,  カブズ，クレオパトラ ,  グレン，マックス・シー ,  ホーニング，ロバート・ディー

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/308 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00365 ,  B81C2201/0164 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/2495

Abstract: 低減された面外曲率を有する硼素ドープされた珪素（３６）の層が開示される。 この層は、頂部（３８）及び底部（４０）の表面付近に硼素の実質的に等しい濃度を有する。 対向する濃度が実質的に等しいので、層（３６）上の圧縮応力は実質的に釣り合っており、それにより、低減された面外曲率を有する層（３６）がもたらされる。