公开(公告)号：EP1184335A2

公开(公告)日：2002-03-06

申请号：EP01117577.5

申请日：2001-07-20

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

Inventor： Bruchhaus, Rainer, Dr. ,  Kolb, Stefan ,  Pitzer, Dana ,  Primig, Robert ,  Schreiter, Matthias ,  Winkler, Bernhard

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B7/0006 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/092 ,  B81B2207/097 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0163 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0778

Abstract: Ein Bauelement für integrierte Sensoren, insbesondere für IR-Sensoren, hat ein Substrat (1), in dem eine Schaltung bzw. Bauelemente der Ausleseelektronik integriert ist/sind. Auf dem Substrat (1) ist eine Hilfsschicht angeordnet, die mit ein oder mehreren abgeschlossenen oder evakuierten Hohlräumen (3a) versehen ist. Eine Membran (4) schließt die Hohlräume (3a) nach oben hin ab, so dass ein Sensorelement vertikal in Bezug auf die Ausleseelektronik angeordnet werden kann. In Stützstrukturen (5) aus Si-Oxid befinden sich Metallisierungen (7), die sich senkrecht durch den Hohlraum (3a) erstrecken, um die vertikal angeordneten Sensorelemente und Ausleseschaltungen elektrisch zu verbinden.

Abstract translation: 与电子元件上的基板（1）集成为一个传感器甲组分包括辅助层（3）的空腔（3a）中，用膜（4）在相对于携带该传感器元件在垂直排列的电子腔 电路。 因此独立权利要求中包括了以下内容：（a）所述集成传感器如上; 和（b）用于生产上述的处理。

公开(公告)号：EP0939973A1

公开(公告)日：1999-09-08

申请号：EP97949945.0

申请日：1997-11-18

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

Inventor： SCHEITER, Thomas ,  HIEROLD, Christopher ,  NÄHER, Ulrich

IPC: H01L21 ,  B81B3 ,  B81C1 ,  G01L9 ,  H01L29

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2201/017 ,  G01L9/0042 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185

Abstract: In a process for manufacturing a micromechanical component, a 5 nm to 50 nm thick oxide or nitride layer is deposited as a protective layer (6) on a functional element (4) made of polysilicon by LPCVD (low pressure chemical vapour deposition).

公开(公告)号：EP0867702A3

公开(公告)日：1998-10-21

申请号：EP98870058.9

申请日：1998-03-26

Applicant: INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELEKTRONICA CENTRUM VZW

Inventor： Fiorini, Paolo ,  Sedky, Sherif ,  Caymax, Matty ,  Baert, Christiaan

IPC: G01J5/20 ,  H01L31/18 ,  H01L31/09

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81C2201/017 ,  G01J5/20 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: A method of fabricating an infrared sensitive bolometer, comprising the steps of:
forming a sacrificial layer (11, 12 or 43) on a substrate (10 or 41); patterning said sacrificial layer (11, 12 or 43) ; depositing or growing a layer (13 or 42) consisting essentially of polycrystalline SiGe on said sacrificial layer; depositing an infrared absorber (49) on said polycrystalline SiGe layer; removing the sacrificial layer (11, 12 or 43).

Abstract translation: 一种制造红外敏感辐射热测量计的方法，包括以下步骤：在衬底（10或41）上形成牺牲层（11,12或43）; 图案化所述牺牲层（11,12或43）; 在所述牺牲层上沉积或生长基本上由多晶SiGe组成的层（13或42）; 在所述多晶SiGe层上沉积红外吸收剂（49）; 去除牺牲层（11,12或43）。

公开(公告)号：WO2013020080A1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：PCT/US2012/049587

申请日：2012-08-03

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  FEYH, Ando ,  CLASSEN, Johannes

Inventor： FEYH, Ando ,  CLASSEN, Johannes

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B3/0008 ,  B81C2201/0169 ,  B81C2201/017 ,  B81C2201/0176

Abstract: In one embodiment, a method of forming a MEMS device includes providing a substrate, forming a sacrificial layer above the substrate layer, forming a silicon based working portion on the sacrificial layer, releasing the silicon based working portion from the sacrificial layer such that the working portion includes at least one exposed outer surface, forming a first layer of silicide forming metal on the at least one exposed outer surface of the silicon based working portion, and forming a first silicide layer with the first layer of silicide forming metal.

Abstract translation: 在一个实施例中，形成MEMS器件的方法包括提供衬底，在衬底层上形成牺牲层，在牺牲层上形成硅基工作部分，从牺牲层释放硅基工作部分，使得工作 部分包括至少一个暴露的外表面，在硅基工作部分的至少一个暴露的外表面上形成第一层硅化物形成金属，以及形成具有第一层硅化物形成金属的第一硅化物层。

公开(公告)号：WO2012131360A3

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：PCT/GB2012050685

申请日：2012-03-28

Applicant: UCL BUSINESS PLC ,  CHEUNG CARL LEUNG SHIN ,  HOOGENBOOM BART WIEBREN

Inventor： CHEUNG CARL LEUNG SHIN ,  HOOGENBOOM BART WIEBREN

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/00 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/12 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/017

Abstract: A micromechanical device has a functional layer. One or more layers are provided between the functional layer and the micromechanical device to provide stress relief.

Abstract translation: 微机械装置具有功能层。 在功能层和微机械装置之间设置一层或多层以提供应力释放。

公开(公告)号：WO2012131360A2

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：PCT/GB2012/050685

申请日：2012-03-28

Applicant: UCL BUSINESS PLC ,  CHEUNG, Carl Leung Shin ,  HOOGENBOOM, Bart Wiebren

Inventor： CHEUNG, Carl Leung Shin ,  HOOGENBOOM, Bart Wiebren

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/00 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/12 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/017

Abstract: A micromechanical device has a functional layer. One or more layers are provided between the functional layer and the micromechanical device to provide stress relief.

Abstract translation: 微机械装置具有功能层。 在功能层和微机械装置之间设置一层或多层以提供应力消除。

公开(公告)号：WO2009127273A3

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：PCT/EP2008066715

申请日：2008-12-03

Applicant: BOSCH GMBH ROBERT ,  PIRK TJALF ,  PINTER STEFAN ,  BENZEL HUBERT ,  WEBER HERIBERT ,  KRUEGER MICHAEL ,  SATTLER ROBERT ,  MUCHOW JOERG ,  FRITZ JOACHIM ,  SCHELLING CHRISTOPH ,  FRIESE CHRISTOPH

Inventor： PIRK TJALF ,  PINTER STEFAN ,  BENZEL HUBERT ,  WEBER HERIBERT ,  KRUEGER MICHAEL ,  SATTLER ROBERT ,  MUCHOW JOERG ,  FRITZ JOACHIM ,  SCHELLING CHRISTOPH ,  FRIESE CHRISTOPH

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G02B26/08

CPC classification number: B81C1/00007 ,  B81B2201/032 ,  B81B2201/033 ,  B81B2201/045 ,  B81B2203/019 ,  B81C1/00142 ,  B81C2201/017

Abstract: The invention relates to a method for producing a micromechanical component (10), encompassing the following steps: a first electrode unit (14) is formed in a first position relative to a bottom substrate (16); a supporting element (22) is formed which comprises a first subunit (23, 28, 30) having a first internal stress and a second subunit (23, 28, 30) having a second internal stress that differs from the first internal stress, said supporting element (22) being fastened to the first electrode unit (14) at a first end while being fastened to the bottom substrate (16) at a second end; and the supporting element (22) is bent as a result of the difference between the first internal stress and the second internal stress, the bending action causing the first electrode unit (14) to be moved from the first position relative to the bottom substrate (16) into a second position relative to the bottom substrate (16). The invention further relates to a micromechanical component (10).

Abstract translation: 本发明涉及一种用于微机械部件（10）的制造方法，包括以下步骤：在一个第一位置到一个基底（16）形成第一电极单元（14）; 形成具有具有与方向上从所述第一内部应力第二残余应力偏离，第一本征电压和第二子单元（23,28,30）的第一子单元（23,28,30）的支撑部件（22），其中在所述支撑构件（22） 第一端连接到所述第一电极部（14）和在第二端处与基底基板（16）被安装; 和支撑部件（22）弯曲，由于第一内部应力和第二特征电压之间的差，由于从所述第一位置到所述基底（16），所述支撑构件（22），所述第一电极单元（14）的相对于所述的第二位置的弯曲 基底基板（16）被调整。 此外，本发明提供了一种微机械部件（10）涉及。

公开(公告)号：WO2007106271A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：PCT/US2007/003591

申请日：2007-02-09

Applicant: QUALCOMM INCORPORATED ,  TUNG, Ming-Hau ,  KOGUT, Lior

Inventor： TUNG, Ming-Hau ,  KOGUT, Lior

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81B3/001 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/042 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/017 ,  B81C2201/112 ,  B81C2201/115 ,  G02B26/001 ,  Y10T428/30 ,  Y10T428/31678 ,  Y10T428/31935

Abstract: Methods of forming a protective coating on one or more surfaces of a microelectromechanical device are disclosed comprising the steps of forming a composite layer of a sacrificial material and a protective material, and selectively etching the sacrificial material to form a protective coating. The protective coatings of the invention preferably improve one or more aspects of the performance of the microelectromechanical devices in which they axe incorporated. Also disclosed are microelectromechanical devices formed by methods of the invention, and visual display devices incorporating such devices.

Abstract translation: 公开了在微机电装置的一个或多个表面上形成保护涂层的方法，其包括以下步骤：形成牺牲材料和保护材料的复合层，并选择性地蚀刻牺牲材料以形成保护涂层。 本发明的保护涂层优选地改进其中所包含的微机电装置的性能的一个或多个方面。 还公开了通过本发明的方法形成的微机电装置以及包括这种装置的视觉显示装置。

公开(公告)号：WO03035542A3

公开(公告)日：2003-10-16

申请号：PCT/US0234459

申请日：2002-10-26

Applicant: OPTICNET INC

Inventor： HOPKINS DEAN A JR ,  LIM MARTIN ,  MAO MINYAO

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B2201/033 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/051 ,  B81C2201/017 ,  H02N1/008

Abstract: A method of fabricating a vertical actuation comb drive first etches a cavity in a semiconductive wafer; then the comb structure is etched, and the fixed part of the structure is deformed by an induced strain, by techniques such as boron doping, by adding a metal layer or a fixed oxide, or a mechanical latch or an additional plate electrode. In a manner known in the art, application of a voltage across the fingers of the comb produces a deflection either tilting or a vertical movement in the moveable portion of the comb drive.

Abstract translation: 制造垂直致动梳状驱动器的方法首先蚀刻半导体晶片中的空腔; 然后蚀刻梳状结构，并且通过诸如硼掺杂的技术，通过添加金属层或固定氧化物，或者机械闩锁或附加平板电极，通过感应应变使结构的固定部分变形。 以本领域已知的方式，在梳齿的指状物上施加电压在梳齿驱动器的可移动部分中产生偏转或者倾斜或者垂直运动。

公开(公告)号：WO2003045539A1

公开(公告)日：2003-06-05

申请号：PCT/US2002/036724

申请日：2002-11-15

Applicant: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA ,  DOUGHERTY, George, M.

Inventor： DOUGHERTY, George, M.

IPC: B01D63/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B01D67/0072 ,  B01D71/02 ,  B01D2323/10 ,  B01D2325/02 ,  B01D2325/04 ,  B81B2201/10 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/017 ,  H01L21/28525 ,  H01L29/16

Abstract: A membrane structure (10) comprising a silicon film of thickness (T) having a grain structure including grains (12) of diameter (D) separated by grooves (14) thereby defining pores (16) with lateral dimension (L) therebetween.

Abstract translation: 一种膜结构（10），其包括厚度（T）的硅膜，其具有包含由凹槽（14）分开的直径（D）的晶粒（12）的晶粒结构，从而限定其间具有横向尺寸（L）的孔（16）。