公开(公告)号：EP1694609A1

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：EP04803348.4

申请日：2004-11-30

Applicant: Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG

Inventor： KÖPPLER, Rainer ,  KÜHN, Bodo ,  WERDECKER, Waltraud ,  KIRST, Ulrich ,  LEHMANN, Walter

IPC: C03B19/10 ,  C03C1/02 ,  C03C3/06 ,  C03C4/00

CPC classification number: C03C4/0071 ,  C03B19/06 ,  C03B19/063 ,  C03B19/066 ,  C03B19/1005 ,  C03B19/1065 ,  C03B19/108 ,  C03B19/1095 ,  C03B20/00 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/34 ,  C03C1/026 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/3435 ,  C03C2201/3488 ,  C03C2201/36 ,  C03C2203/22 ,  C03C2203/30 ,  C03C2203/44 ,  C03C2203/52

Abstract: The invention relates to a method for the economic production of a blank for a component made from laser-active quartz glass in any form or dimension. The method comprises the following method steps: a) preparation of a dispersion with a solids content of at least 40 wt. %, comprising Si02 nanopowder and doping agents, including a cation of the rare earth metals and transition metals in a fluid, b) granulation by agitation of the dispersion, with removal of moisture to form a doped Si02 granulate of spherical porous granular particles with a moisture content of less than 35 wt. % and a density of at least 0.95 g/cm3, c) drying and purification of the Si02 granulate, by heating to a temperature of at least 1000 °C to form doped porous Si02 grains with an OH content of less than 10 ppm and d) sintering or fusing the doped SiO2 grains in a reducing atmosphere to give the blank made from doped quartz glass.

公开(公告)号：EP1347545A1

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：EP03290551.5

申请日：2003-03-07

Applicant: ALCATEL

Inventor： Gasca, Laurent ,  Pastouret, Alain ,  Moreau, Christine ,  Baniel, Pascal ,  Belouet, Christian

IPC: H01S3/067

CPC classification number: C03C14/006 ,  C03C3/06 ,  C03C4/0071 ,  C03C4/10 ,  C03C13/04 ,  C03C13/045 ,  C03C14/004 ,  C03C2201/20 ,  C03C2201/28 ,  C03C2201/31 ,  C03C2201/32 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/3476 ,  C03C2201/3482 ,  C03C2201/36 ,  H01S3/06716 ,  H01S3/1616 ,  H01S3/169

Abstract: La présente invention concerne un guide optique (100) comportant un milieu amplificateur comprenant :

un coeur (10) en une matrice principale d'un matériau transparent, la matrice principale contenant des particules (1, 2), chaque particule étant formée d'une matrice submicronique distincte de la matrice principale et dopée par un élément actif métallique,
une gaine guidante externe (11) en contact avec le coeur (10).
La taille des particules (1, 2) est inférieure à 20 nm.
La présente invention concerne aussi un procédé de fabrication d'un tel guide.

Abstract translation: 光导包括放大介质包括在透明材料中的主矩阵和与芯接触外部引导包层（11）的芯（10）的。 主基体含有颗粒（1，2）。 每个颗粒中形成亚微矩阵从主矩阵不同，并通过在活性金属元素掺杂的。 所述颗粒的尺寸小于20纳米，有源元件不存在于主基质。 因此独立claimsoft被包括用于在光导包括：制备由化学合成或激光烧蚀所述颗粒产生的方法; 结合，并在主基质的前体的颗粒。

公开(公告)号：JP5502479B2

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：JP2009527779

申请日：2007-09-04

Applicant: ヘレウス・クアルツグラース・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンディット・ゲゼルシャフトHeraeus Quarzglas GmbH & Co. KG ,  信越石英株式会社

Inventor： ウェーバー，ユールゲン ,  龍弘 佐藤 ,  シュナイダー，ラルフ ,  ホフマン，アキム ,  ゲバウアー，クリスチャン

IPC: C03C3/06 ,  C03B20/00

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B19/06 ,  C03B19/066 ,  C03B20/00 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/24 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/36 ,  C03C4/20 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/24 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/3435 ,  C03C2203/10 ,  C03C2203/54

公开(公告)号：JP2010524822A

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：JP2010504207

申请日：2008-04-16

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated

Inventor： ジェニファー ワイ サン ,  レングアン デュアン ,  ジィエ ユアン

IPC: C03C3/06 ,  C03B20/00 ,  C23C16/458 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B32/00 ,  C03B2201/24 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/36 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/36 ,  C03C2203/54 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68757 ,  Y02P40/57 ,  Y10S156/915

Abstract: 本願において、ドープ石英コンポーネントの製造方法を提供する。 一実施形態において、ドープ石英コンポーネントは、基板を支持するように構成されたイットリウムをドープした石英リングである。 別の実施形態において、ドープ石英コンポーネントは、イットリウムとアルミニウムをドープしたカバーリングである。 更に別の実施形態において、ドープ石英コンポーネントは、イットリウム、アルミニウム及び窒素を含有するカバーリングである。

公开(公告)号：JP3656956B2

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：JP2001008081

申请日：2001-01-16

Applicant: 信越石英株式会社

Inventor： 哲司 上田 ,  龍弘 佐藤 ,  宜正 吉田 ,  朗 藤ノ木

IPC: C03B20/00 ,  C03C3/06 ,  C03C3/095 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03C2201/34 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/36 ,  C03C2201/40

公开(公告)号：JP2018507838A

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：JP2017545639

申请日：2016-04-06

Applicant: 成都光明光▲電▼股▲分▼有限公司

Inventor： ▲孫▼ ▲偉▼

IPC: C03C3/068 ,  G02B1/00

CPC classification number: C03C3/068 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/3417 ,  C03C2201/3452 ,  C03C2201/3488 ,  G02B1/00 ,  G02B1/118 ,  G02B3/0087 ,  G02B27/0062

Abstract: 本発明は屈折率ndが1.78〜1.95であり、アッベ数νdが32〜50の高屈折低分散特性を有し、ガラス組成成分にはGeO2を含まず、失透し難い光学ガラスを提供する。光学ガラスの陽イオン%で表す組成が、Si4+:1〜20%;B3+:25〜60%;La3+:10〜40%;Y3+:0〜15%;Nb5+:0〜20%;Ti4+:0〜15%;Ta5+:0〜10%;W6+:0〜5%;Zr4+:0〜15%;Zn2+:0〜10%;Bi3+:0〜10%である。本発明は、透過率の優れる光学ガラスを提供し、当該光学ガラスから形成されるガラスプリフォームと光学素子を提供する。上記光学ガラス及び上記ガラスプリフォーム又はレンズ等の光学素子ブランクから形成される光学素子は、光学系に用いられる。

公开(公告)号：JP4439192B2

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：JP2003065000

申请日：2003-03-11

Applicant: 東ソ−・エスジ−エム株式会社 ,  東ソー・クォーツ株式会社 ,  東ソー株式会社

Inventor： 美徳 原田 ,  一喜 新井 ,  英昭 桐谷 ,  眞吉 橋本 ,  努 高畑

IPC: C03B20/00 ,  C03C3/06 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C3/095 ,  C03C4/08 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03C2201/32 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/3417 ,  C03C2201/3423 ,  C03C2201/36 ,  C03C2201/54

公开(公告)号：JP2010503599A

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：JP2009527779

申请日：2007-09-04

Applicant: ヘレウス・クアルツグラース・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンディット・ゲゼルシャフトHeraeus Quarzglas GmbH & Co. KG ,  信越石英株式会社

Inventor： ウェーバー，ユールゲン ,  ゲバウアー，クリスチャン ,  シュナイダー，ラルフ ,  ホフマン，アキム ,  龍弘 佐藤

IPC: C03C3/06 ,  C03B20/00

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B19/06 ,  C03B19/066 ,  C03B20/00 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/24 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/36 ,  C03C4/20 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/24 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/3435 ,  C03C2203/10 ,  C03C2203/54

Abstract: 本発明は、半導体製造用石英ガラスの公知の組成物を出発点とし、該組成物は少なくとも近表層領域において第１ドーパントと第２酸化ドーパントとの共ドーピングを示し、前記第２ドーパントは一種類以上の希土類金属をそれぞれ（ＳｉＯ
2 及びドーパントの全質量に基づいて）０．１〜３％の濃度で含有する。 エッチング処理を使用する環境において半導体製造用石英ガラス組成物を供給することを出発点として、該組成物は高純度及び高いドライエッチング耐性により区別され、酸化アルミニウムとの共ドーピングにより引き起こされる公知の欠点を回避し、第１ドーパントが窒素であり、石英ガラス中の準安定ヒドロキシル基の平均含有量が３０質量ｐｐｍ未満とすることを本発明により提案するものである。
【選択図】 図１

公开(公告)号：JP2004284828A

公开(公告)日：2004-10-14

申请号：JP2003065000

申请日：2003-03-11

Applicant: Tohos Sgm Kk ,  Tosoh Corp ,  Tosoh Quartz Corp ,  東ソ−・エスジ−エム株式会社 ,  東ソー・クォーツ株式会社 ,  東ソー株式会社

Inventor： ARAI KAZUYOSHI ,  TAKAHATA TSUTOMU ,  HASHIMOTO SHINKICHI ,  KIRITANI HIDEAKI ,  HARADA YOSHINORI

IPC: C03B20/00 ,  C03C3/06 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C3/095 ,  C03C4/08 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03C2201/32 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/3417 ,  C03C2201/3423 ,  C03C2201/36 ,  C03C2201/54

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a quartz glass having a high purity and exhibiting enhanced durability while keeping good processability and machinability, and reduced dusting property as a member of a semiconductor production apparatus or a liquid crystal display production apparatus using a halide gas and/or its plasma; and to provide a device equipped with such excellent quartz glass.
SOLUTION: The highly durable quartz glass is characterized by containing aluminum and at least one element (M) selected from the group consisting of group 2A elements, group 3A elements and group 4A elements of the periodic table. A method for manufacturing the quartz glass, and the quartz glass member and the device using the quartz glass are also provided.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有高纯度并且在保持良好加工性和机械加工性的同时显示出增强的耐久性的石英玻璃，以及作为半导体制造装置的构件或使用卤化物的液晶显示器制造装置的降低的除尘性 气体和/或其等离子体; 并提供配备有这样优良的石英玻璃的装置。 解决方案：高耐用的石英玻璃的特征在于含有铝和至少一种选自元素周期表的2A族元素，3A族元素和4A族元素的元素（M）。 还提供了一种制造石英玻璃的方法，以及石英玻璃构件和使用石英玻璃的装置。 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：KR101440864B1

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：KR1020097024236

申请日：2008-04-16

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 유안,지에 ,  선,제니퍼와이. ,  두안,렌구안

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B32/00 ,  C03B2201/24 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/36 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/36 ,  C03C2203/54 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68757 ,  Y02P40/57 ,  Y10S156/915

Abstract: 본 발명은 도핑 석영 부품을 제조하기 위한 방법이 제공된다. 일 실시예에서, 도핑 석영 부품은 기판을 지지하도록 구성된 이트륨 도핑 석영 링이다. 또 다른 실시예에서, 도핑 석영 부품은 이트륨 및 알루미늄 도핑 커버 링이다. 또 다른 실시예에서, 도핑 석영 부품은 이트륨, 알루미늄 및 질소 함유 커버 링이다.