公开(公告)号：CN102472975A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080029678.2

申请日：2010-05-11

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： A·亚库宁 ,  V·班尼恩 ,  D·克拉什科夫

IPC: G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  H05G2/00

CPC classification number: G03F7/70925 ,  G03F7/70033 ,  G03F7/70166 ,  G03F7/70191 ,  G03F7/70575 ,  G03F7/70983 ,  G21K1/06 ,  G21K1/10 ,  G21K2201/067

Abstract: 一种透射型光谱纯度滤光片，配置成透射极紫外辐射，且包括具有多个孔的滤光片部分，所述孔用于透射极紫外辐射和抑制第二类型的辐射的透射。所述孔可以通过各向异性蚀刻过程在诸如硅等半导体材料中制造。半导体材料设置有耐氢层，诸如氮硅化合物Si3N4、二氧化硅SiO2或碳化硅SiC。粗糙度特征可以在孔的侧壁中被扩大。滤光片部分的厚度可以小于约20μm，孔的宽度为约2μm至约4μm。

公开(公告)号：CN102197303A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142837.7

申请日：2009-10-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 长井健太郎 ,  田透 ,  大内千种 ,  伊藤英之助

IPC: G01N23/04 ,  A61B6/00

CPC classification number: G06T7/0002 ,  A61B6/4291 ,  A61B6/484 ,  G01J9/02 ,  G01N23/04 ,  G01N23/20075 ,  G01N2223/401 ,  G21K1/06 ,  G21K2201/06 ,  G21K2201/067

Abstract: 公开了能够至少通过单个成像操作获取被检体的微分相位图像或相位图像的X射线成像装置和X射线成像方法。X射线成像装置包括相位光栅(130)、吸收光栅(150)、检测器(170)和算术单元(180)。算术单元(180)执行通过对于由检测器获取的波纹图案的强度分布的傅立叶变换来获取空间频率谱的傅立叶变换处理。算术单元还执行使与载波频率对应的谱与由傅立叶变换处理获取的空间频率谱分离并然后使用逆傅立叶变换来获取微分相位图像的相位恢复处理。

公开(公告)号：CN102150218A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200980135762.X

申请日：2009-08-19

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 小野元司 ,  渡边满 ,  横山美华

IPC: G21K1/06 ,  C03C23/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  C03C23/0025 ,  C03C2204/08 ,  G03F1/24 ,  G03F1/60 ,  G21K2201/067

Abstract: 本发明提供一种将EUVL用光学部件的具有凹陷缺陷点的光学面平滑化的方法。具体而言，本发明提供一种如下所述将EUVL用光学部件的光学面平滑化的方法，即，对含有TiO2且以SiO2为主成分的石英玻璃材料制的EUV光刻(EUVL)用光学部件的具有凹陷缺陷点的光学面，在水蒸气分压3.6mmHg以下的气氛中，以能量密度0.3～1.5J/cm2，照射以EUVL用光学部件的吸收系数为0.01μm-1以上的波长进行振荡的激光，从而将EUVL用光学部件的光学面平滑化。

公开(公告)号：CN102047183A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980120621.0

申请日：2009-05-20

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： D·格卢什科夫 ,  V·巴内尼 ,  J·H·J·莫尔斯 ,  L·A·斯基梅诺克 ,  N·N·塞拉斯申科

IPC: G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  G03F1/14

CPC classification number: G03F7/70958 ,  B82Y10/00 ,  G03F1/24 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067

Abstract: 一种多层反射镜被构造且被布置以反射具有在2-8nm范围内的波长的辐射。所述多层反射镜具有从由Cr和Sc层，Cr和C层，C和B4C层，U和B4C层，Th和B4C层，C和B9C层，La和B9C层，U和B9C层，Th和B9C层，La和B层，C和B层，U和B层，以及Th和B层构成的组中选出的交替层。

公开(公告)号：CN101960338A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980106463.3

申请日：2009-02-24

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： W·A·索尔 ,  V·Y·班尼恩 ,  J·H·J·莫尔斯 ,  M·M·J·W·范赫彭 ,  A·M·亚库林

IPC: G02B5/20 ,  G02B5/22 ,  G02B5/26 ,  G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  G02B5/08

CPC classification number: G02B5/208 ,  B82Y10/00 ,  G02B5/0891 ,  G02B5/22 ,  G02B5/26 ,  G03F7/70191 ,  G03F7/702 ,  G03F7/70575 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/067 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/064 ,  G21K2201/065 ,  G21K2201/067

Abstract: 一种光学元件包括第一层(4)，所述第一层包括第一材料，并配置成对第一波长的辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射是基本上透明的。光学元件包括第二层(2)，所述第二层包括第二材料，并配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的或透明的。光学元件包括第三层(3)，位于所述第一层和所述第二层之间的所述第三层包括第三材料，并对所述第二波长的辐射是基本上透明的并且配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射。第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。

公开(公告)号：CN101836263A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200880108435.0

申请日：2008-09-26

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： M·M·J·W·范赫彭斯 ,  V·Y·班尼恩 ,  W·A·索尔

IPC: G21K1/10 ,  G21K1/06 ,  G03F7/20 ,  G02B5/20

CPC classification number: G21K1/10 ,  G02B5/203 ,  G03F7/70191 ,  G03F7/70575 ,  G21K1/06 ,  G21K2201/067

Abstract: 公开了一种光刻光谱杂质滤光片，该光刻光谱杂质滤光片包括沿着光轴布置位于依次的位置上的第一和第二滤光片元件。第一滤光片元件具有沿第一方向布置的狭缝。第二滤光片元件具有沿横向于第一方向的第二方向布置的狭缝。光谱滤光片被配置以通过反射第一波长的辐射和允许透射第二波长的辐射来改善辐射束的光谱纯度，所述第一波长大于第二波长。

公开(公告)号：CN1580957B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200410058768.0

申请日：2004-07-30

Applicant: 英特尔公司

Inventor： P·-Y·颜

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G21K2201/067

Abstract: 远紫外线光刻掩模，由覆盖以衬垫层诸如硅或碳化硼，再覆盖以用于阻止内部扩散的薄层，以及最后覆盖以钌保护层而形成的多层叠层。通过根据保护层最佳化衬垫层的厚度，可以改进光的性质。

公开(公告)号：CN100377303C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN03802357.1

申请日：2003-06-19

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 宫岛义一

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G21K1/06

CPC classification number: G21K1/06 ,  G02B7/1815 ,  G03F7/70175 ,  G03F7/702 ,  G03F7/70233 ,  G03F7/70891 ,  G21K2201/065 ,  G21K2201/067

Abstract: 本申请公开了一种反射镜设备、曝光设备以及器件制造方法。在通过反射引导曝光光线的曝光设备中，用在反射光学系统中的反射镜设备具有：一个具有一个反射所述曝光光线的反射表面的反射镜；用于散热冷却的散热板，被设置在离开所述反射镜的外表面的位置。所述散热板的设置确保入射到所述反射表面上并从该反射表面反射的所述曝光光线的通道区域。另外，用流过冷却管的冷却液体对各散热板进行温度控制。这样，可以抑制用在曝光设备的反射光学系统中的反射镜的温度上升，保持反射镜反射面的面形状的精度。

公开(公告)号：CN101088031A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200580044832.2

申请日：2005-12-23

Applicant: 弗劳恩霍弗实用研究促进协会

Inventor： N·比诺特 ,  T·费格尔 ,  N·凯瑟 ,  S·尤林

IPC: G02B5/08 ,  G02B1/10 ,  G21K1/06

CPC classification number: G02B5/0833 ,  B82Y10/00 ,  G02B5/0891 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067

Abstract: 本发明涉及一种用于反射EUV射线的多层的反射镜(1)，包括多个交替的钼层(4)及硅层(3)，在这些钼层(4)与硅层(3)之间的多个边界面上分别设置一个阻挡层(5)，该阻挡层包括一种硅氮化合物或硅硼化合物。通过由硅氮化合物或硅硼化合物构成的阻挡层(5)实现了高的热稳定性，尤其是实现了在温度大于300℃时的长时间的高稳定性，同时，该多层的反射镜的反射率高。这种多层的反射镜(1)可尤其是用作一个EUV辐射源的可加热的集光镜。

公开(公告)号：CN1739168A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200480002249.0

申请日：2004-01-14

Applicant: 欧洲系统光学公司

Inventor： 让-雅克·费尔梅 ,  让-弗朗索瓦·卡尔

IPC: G21K1/06

CPC classification number: G21K1/06 ,  G02B7/182 ,  G02B26/0816 ,  G02B26/0825 ,  G21K2201/067

Abstract: 本发明涉及一种可变形系统，该系统包括一呈矩形块状的部件(P)，例如一个梁，其连接在一致动器上，该致动器通过使该部件沿纵向产生弯曲而发生变形。本发明的特征在于，所述部件(P)具有一将被变形的主体部分(10)，该主体部分在其端部设有突出部(11，12)，从而使得该部件(P)的纵剖面呈细长U形，该致动器(20)具有用以抵靠所述突出部(11，12)的杠杆(30，40)，以传递适于使该部件(P)产生变形的力。