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    USE OF QUASI-ONE-DIMENSIONAL TRANSITION METAL TERNARY COMPOUNDS AND QUASI-ONE-DIMENSIONAL TRANSITION METAL CHALCOGENIDE COMPOUNDS AS ELECTRON EMITTERS
    82.
    发明公开
    USE OF QUASI-ONE-DIMENSIONAL TRANSITION METAL TERNARY COMPOUNDS AND QUASI-ONE-DIMENSIONAL TRANSITION METAL CHALCOGENIDE COMPOUNDS AS ELECTRON EMITTERS 审中-公开
    用作电子发射体的准一维过渡金属三元化合物和准一维过渡金属硫化物化合物的用途

    公开(公告)号：EP1540687A1

    公开(公告)日：2005-06-15

    申请号：EP03766800.1

    申请日：2003-07-23

    Applicant: Institut " Josef Stefan "

    Inventor： NEMANIC, Vincenc ,  ZUMER, Marko ,  MRZEL, Ales ,  REMSKAR, Maja ,  MIHAILOVIC, Dragan

    IPC: H01J1/304 ,  H01J1/312

    CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30469

    Abstract: The present invention pertains to the use of quasi­one-dimensional transition metal ternary compounds MXHyHaZ (where M is a transition metal Mo, W, Ta, Nb; H is sulfur (S), selenium (Se), tellurium (Te); Ha is iodine (I)) and of doped quasi-one-dimensional transition metal ternary compounds MXHyHaZ, (where M=Ta, Ti, Nb; H is sulfur (S), selenium (Se), tellurium (Te); Ha is iodine (I)) with elements of group lb (silver (Ag), gold (Au), or copper (Cu)) as electron emitters under the influence of an external electric field. The percentage of quasi-one­dimensional transition metal ternary compounds and/or doped quasi-one-dimensional transition metal ternary compounds doped with elements of group lb in the active material ranges from 0.01 to 99.9 the rest consisting of additives in the form of conducting, non-conducting or semi-conducting compounds or composites. Electron emission takes place at a pressure below 1 mbar.

    Abstract translation: （S），硒（Se），碲（Te）; Ha是过渡金属Mo， 碘（I））和掺杂的准一维过渡金属三元化合物MXHyHaZ（其中M = Ta，Ti，Nb; H是硫（S），硒（Se），碲（Te）; Ha是碘 I））在外部电场的作用下与作为电子发射体的第1b族（银（Ag），金（Au）或铜（Cu））的元素反应。 在活性材料中掺杂有族元素1b的准一维过渡金属三元化合物和/或掺杂的准一维过渡金属三元化合物的百分比在0.01至99.9的范围内，其余为由导电非添加剂 导电或半导电化合物或复合材料。 电子发射发生在1毫巴以下的压力下。

    窒化ホウ素薄膜エミッターとその製造方法、及び該窒化ホウ素薄膜エミッターを使用する電子放出方法
    86.
    发明申请
    窒化ホウ素薄膜エミッターとその製造方法、及び該窒化ホウ素薄膜エミッターを使用する電子放出方法 审中-公开
    BORON NITRIDE薄膜发生器及其生产方法，以及使用BORON NITRIDE THIN FILM EMITTER的电子发射方法

    公开(公告)号：WO2006068287A1

    公开(公告)日：2006-06-29

    申请号：PCT/JP2005/023995

    申请日：2005-12-21

    Applicant: 独立行政法人物質・材料研究機構 ,  小松 正二郎 ,  守吉 佑介 ,  岡田 勝行

    Inventor： 小松 正二郎 ,  守吉 佑介 ,  岡田 勝行

    IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

    CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30446

    Abstract: 電界電子放出性に優れた、先端の尖った形状の窒化ホウ素結晶を含む窒化ホウ素薄膜と、その薄膜によるエミッター設計において、前記結晶の分布状態を適正にコントロールすることによって、電界電子放出閾値の低い、効率の良いエミッターを提供する。　一般式ＢＮで示され、ｓｐ 3　 結合性、ｓｐ 2　 結合性窒化ホウ素、あるいはその混合物を含み、先端の尖った電界電子放出性に優れた形状をした結晶を含んでなる窒化ホウ素薄膜エミッターの設計において、エミッターを気相からの反応によって析出させる際、反応ガスの流れに対して基板の角度を制御することによって、該薄膜表面における該結晶の分布状態を制御する。

    Abstract translation: 在设计具有优异的场致电子发射性能并含有尖端形状的氮化硼晶体的氮化硼薄膜和由薄膜形成的发射极时，适当地控制晶体的分布状态，从而提供 发射极低场电子发射阈值，效率优异。 在设计含有由通式BN所示的晶体的氮化硼薄膜发射体，其含有结合氮化硼或它们的混合物，并且具有 在尖端形状锐化，场电子发射性能优异，当通过气相反应沉积发射体时，控制基板与反应气流的角度，从而控制晶体在表面上的分布状态 的薄膜。

    FIELD EMISSION DEVICE
    87.
    发明申请
    FIELD EMISSION DEVICE 审中-公开
    场发射装置

    公开(公告)号：WO2004001785A3

    公开(公告)日：2004-04-08

    申请号：PCT/GB0302634

    申请日：2003-06-19

    Applicant: UNIV DUNDEE ,  ROSE MERVYN JOHN ,  SILVA RAVI ,  SHANNON JOHN ,  HAJTO JANOS PETER

    Inventor： ROSE MERVYN JOHN ,  SILVA RAVI ,  SHANNON JOHN ,  HAJTO JANOS PETER

    IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J1/62 ,  H01L51/52 ,  H01J31/12 ,  H01J9/24

    CPC classification number: H01J1/3044 ,  G02F2001/133625 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30446 ,  H01L51/5225

    Abstract: There is disclosed an improved field emission device (30) which finds use in display devices, such as a flat panel displays. Known devices and displays suffer from problems such as complexity of fabrication and limited colour gamut. The device (30) therefore provides a field emission backplate (38) which is made from a substantially semiconductor based material and comprises a plurality of grown tips (32), the device (30) further comprising at least one electro-luminescent and/or photo-luminescent material (34) having a fluorescent material chemically attached thereto, i.e. a fluorescent dye doped material.

    Abstract translation: 公开了一种可用于诸如平板显示器的显示装置中的改进的场致发射装置（30）。 已知的装置和显示器存在制造复杂性和色域有限等问题。 因此，装置（30）提供由基本上半导体的材料制成并包括多个生长的尖端（32）的场发射背板（38），所述装置（30）还包括至少一个电致发光和/或 具有与其化学连接的荧光材料的光致发光材料（34），即荧光染料掺杂材料。

    FIELD EMISSION COLD CATHODE
    88.
    发明申请
    FIELD EMISSION COLD CATHODE 审中-公开
    场发射冷阴极

    公开(公告)号：WO2004010450A1

    公开(公告)日：2004-01-29

    申请号：PCT/US2002/021283

    申请日：2002-07-18

    Applicant: UNITED STATES OF AMERICA as represented by the SECRETARY OF THE AIR FORCE

    Inventor： SHIFFLER, Donald, A., Jr.

    IPC: H01J1/304

    CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446

    Abstract: A field emission cold cathode (11) for use in vacuum tubes. A carbon velvet material (25) is comprised of high aspect ratio carbon fibers embedded perpendicular to a base material. The tips and/or the shafts of the carbon velvet material (25) are coated with a low work function cesiated salt. The base material of the carbon velvet material (25) is bonded to a cathode surface (27). The cold cathode (11) emits electrons when an electric field is applied, even at operating temperatures less than 900°C.

    Abstract translation: 一种用于真空管的场致发射冷阴极（11）。 碳绒材料（25）由与基材垂直嵌入的高纵横比碳纤维构成。 碳丝绒材料（25）的尖端和/或轴被涂覆有低功函数的盐酸盐。 碳丝绒材料（25）的基材结合到阴极表面（27）上。 当施加电场时，即使在低于900℃的工作温度下，冷阴极（11）也会发射电子。

    IMPROVED FIELD EMISSION DEVICE
    89.
    发明申请
    IMPROVED FIELD EMISSION DEVICE 审中-公开
    改进的场发射装置

    公开(公告)号：WO2004001785A2

    公开(公告)日：2003-12-31

    申请号：PCT/GB2003/002634

    申请日：2003-06-19

    Applicant: THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF DUNDEE ,  ROSE, Mervyn, John ,  SILVA, Ravi ,  SHANNON, John ,  HAJTO, Janos, Peter

    Inventor： ROSE, Mervyn, John ,  SILVA, Ravi ,  SHANNON, John ,  HAJTO, Janos, Peter

    IPC: H01J9/00

    CPC classification number: H01J1/3044 ,  G02F2001/133625 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30446 ,  H01L51/5225

    Abstract: There is disclosed an improved field emission device (30) which finds use in display devices, such as a flat panel displays. Known devices and displays suffer from problems such as complexity of fabrication and limited colour gamut. The device (30) therefore provides a field emission backplate (38) which is made from a substantially semiconductor based material and comprises a plurality of grown tips (32), the device (30) further comprising at least one electro-luminescent and/or photo-luminescent material (34) having a fluorescent material chemically attached thereto, i.e. a fluorescent dye doped material.

    Abstract translation: 公开了一种可用于诸如平板显示器的显示装置中的改进的场致发射装置（30）。 已知的装置和显示器存在制造复杂性和色域有限等问题。 因此，装置（30）提供由基本上半导体的材料制成并包括多个生长的尖端（32）的场发射背板（38），所述装置（30）还包括至少一个电致发光和/或 具有与其化学连接的荧光材料的光致发光材料（34），即荧光染料掺杂材料。

    MULTILAYER CARBON-BASED FIELD EMISSION ELECTRON DEVICE FOR HIGH CURRENT DENSITY APPLICATIONS
    90.
    发明申请
    MULTILAYER CARBON-BASED FIELD EMISSION ELECTRON DEVICE FOR HIGH CURRENT DENSITY APPLICATIONS 审中-公开
    用于高电流密度应用的多层基于碳的场发射电子器件

    公开(公告)号：WO02029844A1

    公开(公告)日：2002-04-11

    申请号：PCT/US2000/027403

    申请日：2000-10-04

    IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  H01J29/48

    CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446

    Abstract: An electron field emission device is provided by placing a substrate in a reactor, heating the substrate and supplying a mixture of hydrogen and a carbon-containing gas at a concentration of about 8 to 13 per cent to the reactor while supplying energy to the mixture of gases near the substrate for a time to grow a first layer of carbon-based material to a thickness greater than about 0.5 micrometers, subsequently reducing the concentration of the carbon-containing gas and continuing to grow a second layer of carbon-based material, the second layer being much thicker than the first layer. The substrate is subsequently removed from the first layer and an electrode is applied to the second layer. The device is free-standing and can be used as a cold cathode in a variety of electronic devices such as cathode ray tubes, amplifiers and traveling wave tubes. The surface of the substrate may be patterned before growth of the first layer to produce a patterned surface on the field emission device.

    Abstract translation: 通过将基板放置在反应器中，加热基板并将浓度约为8％至13％的含碳气体的混合物供应给反应器，同时向混合物中提供能量来提供电子场发射装置， 靠近衬底的气体一段时间，以将第一层碳基材料生长至大于约0.5微米的厚度，随后降低含碳气体的浓度并继续生长第二层碳基材料， 第二层比第一层厚得多。 随后从第一层去除衬底，并将电极施加到第二层。 该器件是独立的，可用作各种电子器件如阴极射线管，放大器和行波管中的冷阴极。 可以在第一层生长之前对衬底的表面进行图案化以在场发射器件上产生图案化表面。

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