中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

325 records (took 0.034 seconds)

    METHODS AND SYSTEMS FOR PLASMA DEPOSITION AND TREATMENT
    81.
    发明申请
    METHODS AND SYSTEMS FOR PLASMA DEPOSITION AND TREATMENT 审中-公开
    等离子体沉积和处理的方法和系统

    公开(公告)号：US20150028972A1

    公开(公告)日：2015-01-29

    申请号：US14341409

    申请日：2014-07-25

    Applicant: Peter F. Vandermeulen

    Inventor： Peter F. Vandermeulen

    IPC: H01P3/127 ,  H01J37/32 ,  H01P3/12

    CPC classification number: H01J37/32229 ,  C23C16/511 ,  C23C16/513 ,  H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32669 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/3323 ,  H01P3/12 ,  H01P3/127 ,  H01Q21/0043

    Abstract: This application is directed to an apparatus for creating microwave radiation patterns for an object detection system. The apparatus includes a waveguide conduit having first slots at one side of the conduit and corresponding second slots at an opposite side of the conduit. The waveguide conduit is coupled to a microwave source for transmitting microwaves from the microwave source through the plurality of first slots. A plunger is moveably positioned in the waveguide conduit from one end thereof. The plunger allows the waveguide conduit to be tuned to generally optimize the power of the microwaves exiting the first slots. Secondary plungers are each fitted in one of the second slots to independently tune or detune microwave emittance through a corresponding first slot.

    Abstract translation: 本申请涉及用于产生物体检测系统的微波辐射图案的装置。 该装置包括波导导管，其具有在导管的一侧的第一狭槽和在导管的相对侧处的对应的第二狭槽。 波导管道耦合到微波源，用于从微波源通过多个第一槽传输微波。 柱塞从其一端可移动地定位在波导管道中。 柱塞允许波导管道被调谐以通常优化离开第一槽的微波的功率。 次级柱塞各自装配在第二槽中的一个中，以独立地调谐或分离通过相应的第一槽的微波发射。

    System and method for modulation of power and power related functions of PECVD discharge sources to achieve new film properties
    83.
    发明授权
    System and method for modulation of power and power related functions of PECVD discharge sources to achieve new film properties 有权
    用于调制PECVD放电源的功率和功率相关功能的系统和方法，以实现新的膜性质

    公开(公告)号：US07842355B2

    公开(公告)日：2010-11-30

    申请号：US11264596

    申请日：2005-11-01

    Applicant: Michael W. Stowell

    Inventor： Michael W. Stowell

    IPC: C23C8/00 ,  C23C16/00

    CPC classification number: C23C16/515 ,  C23C16/029 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32201

    Abstract: A method of generating a film during a chemical vapor deposition process is disclosed. One embodiment includes generating a first electrical pulse having a first pulse amplitude; using the first electrical pulse to generate a first density of radicalized species; disassociating a feedstock gas using the radicalized species in the first density of radicalized species, thereby creating a first deposition material; depositing the first deposition material on a substrate; generating a second electrical pulse having a second pulse amplitude, wherein the second pulse amplitude is different from the first pulse width; using the second electrical pulse to generate a second density of radicalized species; disassociating a feedstock gas using the radicalized species in the second density of radicalized species, thereby creating a second deposition material; and depositing the second plurality of deposition materials on the first deposition material.

    Abstract translation: 公开了一种在化学气相沉积工艺期间产生膜的方法。 一个实施例包括产生具有第一脉冲幅度的第一电脉冲; 使用第一电脉冲产生第一密度的自由基化物种; 使用第一密度的自由基化物质中的自由基化物质分离原料气体，从而产生第一沉积材料; 将第一沉积材料沉积在基底上; 产生具有第二脉冲幅度的第二电脉冲，其中所述第二脉冲幅度不同于所述第一脉冲宽度; 使用第二电脉冲来产生第二密度的激进化物种; 使用第二密度的自由基化物质中的自由基化物质分解原料气体，从而产生第二沉积材料; 以及将所述第二多个沉积材料沉积在所述第一沉积材料上。

    プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
    85.
    发明申请
    プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 审中-公开
    等离子体处理装置和等离子体处理方法

    公开(公告)号：WO2016181974A1

    公开(公告)日：2016-11-17

    申请号：PCT/JP2016/063926

    申请日：2016-05-10

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 久保田　紳治

    IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

    CPC classification number: H01J37/32302 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32293 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

    Abstract: プラズマ処理装置は、処理容器と、所定の中心周波数を中心とする所定の周波数帯域に属する周波数であって、互いに異なる周波数をそれぞれ有する複数の搬送波から成る搬送波群を生成する搬送波群生成部と、搬送波群を用いて、処理容器内にプラズマを生成するプラズマ生成部とを備える。

    Abstract translation: 提供一种等离子体处理装置，其包括：处理容器; 载波组生成单元，生成包含各自具有相互不同的频率的多个载波的载波组，该频率属于预定中心频率为中心的预定频带; 以及通过使用载波组在处理容器内产生等离子体的等离子体产生单元。

    プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
    87.
    发明申请
    プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 审中-公开
    等离子体处理方法和等离子体处理装置

    公开(公告)号：WO2013118520A1

    公开(公告)日：2013-08-15

    申请号：PCT/JP2013/050055

    申请日：2013-01-08

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 塩澤　俊彦 ,  宮原　準弥 ,  藤野　豊

    IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/318 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32311 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

    Abstract: 　処理容器内に複数のマイクロ波を導入し、プラズマを生成させる方式のプラズマ処理装置を用い、複数のマイクロ波のパワーの合計をウエハＷの面積当たり１Ｗ／ｃｍ ２ 以下にしてプラズマを生成させる。例えば、プラズマ酸化処理では、プラズマ生成用の希ガスと酸素含有ガスを用い、処理温度を１００℃以下、マイクロ波の供給開始から３０秒間における平均酸化レートを０．０３ｎｍ／秒以下とする。複数のマイクロ波によりプラズマを着火するときにはインピーダンス整合を行わず、プラズマによりウエハＷを処理するときにインピーダンス整合を行うことが好ましい。

    Abstract translation: 使用将多个微波引入处理容器并产生等离子体的设计的等离子体处理装置，产生等离子体，使得多个微波的总功率为每单位表面积为1W / cm 2以下 的晶片（W）。 例如，在使用含氧气体和惰性气体进行等离子体生成的等离子体氧化处理中，将处理温度设定为100℃以下，在微波开始30秒后的平均氧化率为 0.03nm / sec以下。 在优选实践中，当晶片（W）被等离子体处理时，进行阻抗匹配，而不是当等离子体被微波点燃时发生阻抗匹配。

    METHODS AND SYSTEMS FOR PLASMA DEPOSITION AND TREATMENT
    88.
    发明申请
    METHODS AND SYSTEMS FOR PLASMA DEPOSITION AND TREATMENT 审中-公开
    等离子体沉积和处理的方法和系统

    公开(公告)号：WO2010129901A2

    公开(公告)日：2010-11-11

    申请号：PCT/US2010034094

    申请日：2010-05-07

    Applicant: VANDERMEULEN PETER F

    Inventor： VANDERMEULEN PETER F

    IPC: C23C24/08 ,  B05B7/22 ,  B05D1/04 ,  C23C4/12

    CPC classification number: H01J37/32229 ,  C23C16/511 ,  C23C16/513 ,  H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32669 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/3323 ,  H01P3/12 ,  H01P3/127 ,  H01Q21/0043

    Abstract: A plasma deposition apparatus includes a waveguide conduit having a plurality of slots therein. The waveguide conduit is coupled to a microwave source for transmitting microwaves from the microwave source through the plurality of slots. One or more pipes have an outlet end positioned at each of the plurality of slots for transporting material from one or more material sources to the plurality of slots. The apparatus also includes a plasma chamber in communication with the waveguide tube through the plurality of slots. The plasma chamber receives through said plurality of slots microwaves from the waveguide tube and material to be melted or evaporated from the one or more pipes. The plasma chamber includes a plurality of magnets disposed in an outer wall of the plasma chamber for forming a magnetic field in the plasma chamber. The plasma chamber further includes one or more outlet openings for discharging plasma containing material to be deposited on a substrate.

    Abstract translation: 等离子体沉积设备包括其中具有多个狭槽的波导管道。 波导管道耦合到微波源，用于从微波源通过多个狭槽传送微波。 一个或多个管道具有位于多个狭槽中的每一个的出口端，用于将材料从一个或多个材料源输送到多个狭槽。 该装置还包括通过多个狭槽与波导管连通的等离子体室。 等离子体腔室通过所述多个槽从波导管接收微波，并且从一个或多个管道熔化或蒸发的材料。 等离子体室包括设置在等离子体室的外壁中的多个磁体，用于在等离子体室中形成磁场。 等离子体室还包括一个或多个出口开口，用于排放待沉积在衬底上的等离子体材料。

    METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING PLASMA
    89.
    发明申请
    METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING PLASMA 审中-公开
    生产等离子体的方法和装置

    公开(公告)号：WO2007089836A2

    公开(公告)日：2007-08-09

    申请号：PCT/US2007002633

    申请日：2007-01-30

    Applicant: INVENT DCU LTD ,  OKSUZ LUTFI ,  ELLINGBOE ALBERT ROGERS

    Inventor： OKSUZ LUTFI ,  ELLINGBOE ALBERT ROGERS

    IPC: H01P5/18

    CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4622 ,  H05H2001/463

    Abstract: A method and apparatus for producing a distributed plasma at atmospheric pressure. A distributed plasma can be produced at atmospheric pressure by using an inexpensive high frequency power source in communication with a waveguide having a plurality particularly configured couplers disposed therein. The plurality of particularly arranged couplers can be configured in the waveguide to enhance the electromagnetic field strength therein. The plurality of couplers have internal portions disposed inside the waveguide and spaced apart by a distance of 1/4 wavelength of the high frequency power source and external portions disposed outside the waveguide and spaced apart by a predetermined distance which is calculated to cause the electromagnetic fields in the external portions of adjacent couplers to couple and thereby further enhance the strength of the electromagnetic field in the waveguide. Plasma can be formed in plasma areas defined by gaps between electrodes disposed on the external portions.

    Abstract translation: 一种用于在大气压下制造分布式等离子体的方法和装置。 通过使用与具有设置在其中的多个特别配置的耦合器的波导连通的便宜的高频电源，可以在大气压下产生分布式等离子体。 多个特别布置的耦合器可以配置在波导中以增强其中的电磁场强度。 多个耦合器具有设置在波导内部的内部部分，并且间隔开高频电源的1/4波长的距离和设置在波导外部的外部部分，隔开预定距离，该预定距离被计算为导致电磁场 在相邻耦合器的外部部分中以耦合，从而进一步增强波导中的电磁场的强度。 等离子体可以形成在由设置在外部部分上的电极之间的间隙限定的等离子体区域中。

    マグネトロン発振装置
    90.
    发明申请
    マグネトロン発振装置 审中-公开
    MAGNETRON振荡器件

    公开(公告)号：WO2006033278A1

    公开(公告)日：2006-03-30

    申请号：PCT/JP2005/017033

    申请日：2005-09-15

    Applicant: 日本高周波株式会社 ,  篠原 己拔

    Inventor： 篠原 己拔

    IPC: H03B9/10 ,  H01J23/34 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H03B9/10 ,  H01J23/34 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H05H1/46

    Abstract: 　マグネトロン（２）と、マグネトロン（２）の出力電力を取り出すランチャー（４）と、ランチャー（４）の出力端に一端が接続されたインピーダンス発生器（５）と、インピーダンス発生器（５）の他端に接続された基準信号供給部（６）とを備える。基準信号供給部（６）は、マグネトロン（２）の出力よりも低電力かつ周波数が安定した基準信号をマグネトロン（２）に供給する。マグネトロン（２）は、基準信号の注入により基準信号の周波数に発振周波数が固定される。インピーダンス発生器（５）は、マグネトロン（２）の負荷インピーダンスを調整することにより、マグネトロン（２）の発振周波数の変化幅を縮小できる。これにより、周波数安定度がよく、出力電力を変化させても周波数が変動しないマグネトロン発振装置（１）を実現できる。

    Abstract translation: 磁控管振荡装置包括磁控管（2），用于从磁控管（2）获取输出功率的发射器（4），具有连接到发射器（4）的输出端子的一端的阻抗发生器（5） 参考信号供给单元（6）连接到阻抗发生器（5）的另一端。 参考信号提供单元（6）向磁控管（2）提供具有比磁控管（2）的输出更低的功率和稳定频率的参考信号。 磁控管（2）通过接收参考信号使振荡频率固定在参考信号的频率上。 阻抗发生器（5）可以通过调节磁控管（2）的负载阻抗来减小磁控管（2）的振荡频率的变化宽度。 因此，即使输出功率变化，也可以实现稳定频率不变的磁控管振荡装置（1）。

Patent Agency Ranking