离子注入装置、最终能量过滤器以及离子注入方法

    公开(公告)号:CN104952681B

    公开(公告)日:2018-06-19

    申请号:CN201510104494.2

    申请日:2015-03-10

    Inventor: 八木田贵典

    Abstract: 本发明提供一种能够广泛使用的离子注入装置及离子注入方法。本发明的最终能量过滤器(400)具备入口侧单透镜(304)、中间电极部(401)及出口侧单透镜(308)。最终能量过滤器(400)具备FEF电源部(414),该FEF电源部构成为分别单独向入口侧单透镜(304)、中间电极部(401)及出口侧单透镜(308)施加电压。FEF电源部(414)分别向上游辅助电极部(402)、偏转电极部(306)及下游辅助电极部(404)施加电压,以使上游辅助电极部(402)与偏转电极部(306)之间的第1区域中的离子束的能量范围和偏转电极部(306)与下游辅助电极部(404)之间的第2区域中的离子束的能量范围成为相同程度。

    用于高分辨率电子束成像的设备及方法

    公开(公告)号:CN106548913A

    公开(公告)日:2017-03-29

    申请号:CN201710049531.3

    申请日:2013-04-02

    Inventor: 姜辛容 韩立群

    CPC classification number: H01J37/153 H01J37/05 H01J37/28 H01J2237/1534

    Abstract: 本发明涉及用于高分辨率电子束成像的设备及方法。一个实施例涉及一种用于高分辨率电子束成像的设备。所述设备包含经配置以限制入射电子束中的电子的能量扩散的能量过滤器。所述能量过滤器可使用消像散维恩(Wien)过滤器及过滤器孔口而形成。另一实施例涉及一种形成用于高分辨率电子束设备的入射电子束的方法。另一实施例涉及一种包含弯曲导电电极的消像散维恩过滤器。另一实施例涉及一种包含一对磁轭及多极偏转器的消像散维恩过滤器。本发明还揭示其它实施例、方面及特征。

    一种宽带离子束传输方法及离子注入机

    公开(公告)号:CN103377865B

    公开(公告)日:2015-06-17

    申请号:CN201210118487.4

    申请日:2012-04-20

    Abstract: 本发明公开了一种宽带离子束传输方法,其采用两个独立的磁场:分析磁场和校正磁场,以及分析光栏对宽带离子束进行传输;若所述分析磁场使从其入射面射入的宽带离子束在水平方向沿逆时针方向偏转,则所述校正磁场使通过所述分析光栏后再次扩散的离子束在水平方向沿顺时针方向偏转;若所述分析磁场使从其入射面射入的宽带离子束在水平方向沿顺时针方向偏转,则所述校正磁场使通过所述分析光栏后再次扩散的离子束在水平方向沿逆时针方向偏转;本发明还公开了一种离子注入机。由于分析磁场和校正磁场使离子束在水平方向沿不同方向偏转,使得宽带离子束中所需的离子从校正磁场的出射面射出时具有与入射时相同的分布。

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