公开(公告)号：CN101000844A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200710051232.X

申请日：2007-01-09

Applicant: 武汉大学

Inventor： 方国家 ,  李春 ,  袁龙炎 ,  刘逆霜

IPC: H01J1/304 ,  H01J3/02 ,  H01J9/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明涉及一种复合场致电子发射材料，包括导电基底，以附着在导电基底上的氧化物纳米线、纳米带或纳米棒为基体，基体上生长有一维碳纳米材料。上述复合场致电子发射材的制备方法为：在导电基底上生长氧化物纳米线、纳米带或纳米棒，在氧化物纳米线、纳米带或纳米棒表面镀制过渡金属催化剂，然后在火焰中烧1－30分钟，形成以氧化物纳米线、纳米带或纳米棒为基体的一维碳纳米材料的复合场致电子发射材料。本发明制备工艺简单、成本低廉，制得的复合场致电子发射材料可作为发射阴极在场发射显示器或发光光源、X－射线电子源、质谱仪电子源及其它需要电子源的场合的应用。

公开(公告)号：CN1971805A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610149517.2

申请日：2006-09-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 赵珍熙 ,  李相祚 ,  全祥皓 ,  安商爀 ,  洪秀奉 ,  诸柄佶

IPC: H01J1/30 ,  H01J1/46 ,  H01J3/02 ,  H01J29/02 ,  H01J29/04 ,  H01J29/46 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J1/30 ,  H01J29/04 ,  H01J31/127

Abstract: 本发明公开了一种电子发射器件和电子发射显示器，该电子发射器件包括基板、以绝缘的方式布置在基板上的阴极和栅电极、以及电连接到阴极电极的电子发射区。每个阴极电极包括在其一个侧面处具有的凹槽的线电极和形成在通过凹槽暴露的基板上的隔离电极，以使隔离电极和线电极绝缘。在隔离电极上设置电子发射区，并且电阻层电连接隔离电极至线电极。

公开(公告)号：CN1316533C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN03800984.6

申请日：2003-02-18

Applicant: 法国原子能委员会

Inventor： J·第戎 ,  A·富尼耶 ,  B·蒙特马尤尔

IPC: H01J3/02

CPC classification number: H01J3/022

Abstract: 本发明涉及一种三极管类型的阴极结构，该阴极结构叠置地包括，构成阴极(13)和支撑一些层(14)形状的电子发射材料构成的装置的一个电极；一个电绝缘层(11)和一个栅极(15)；一个开口(12)，开在栅极中和电绝缘层中，该开口(12)使电子发射材料构成的装置暴露。该电子发射材料构成的装置(14)位于该栅极(15)的开口的中央部分中，该开口为缝隙形，通过该缝隙暴露电子发射材料构成的装置包括一些沿该缝隙的纵轴对齐的元件。

公开(公告)号：CN1957635A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200580015109.1

申请日：2005-03-09

Applicant: 西门子公司

Inventor： D·布罗克斯 ,  A·斯科特 ,  K·V·特鲁翁

IPC: H04Q11/00 ,  H01J3/16

CPC classification number: H04L43/10 ,  H04J3/1694

Abstract: 本发明提供一种用于通过可操作地连接于光线路终端16的集中式显示设备(16)远程访问传统的光纤到驻地的网络10中的分散式设备(18)的方法。本发明还提供用于被显示设备(16)所远程访问的分散式设备(18)。本发明还提供一种调试被管实体实例(48)。

公开(公告)号：CN1254382C

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN01818608.4

申请日：2001-10-26

Applicant: 莱克斯马克国际公司

Inventor： 比利·C·查普尔 ,  克里斯托弗·G·奇 ,  戈登·R·邓宁 ,  保罗·D·奥拉尔

IPC: B41J2/385 ,  B41J2/435 ,  B41J2/45 ,  B41J15/14 ,  B41J27/00 ,  G03G13/04 ,  H01J3/14 ,  H01J5/16 ,  H01J40/14 ,  G03B27/00

CPC classification number: G03G15/326 ,  G03G15/04072 ,  G03G2215/0119 ,  G03G2215/0404

Abstract: 一种成像装置(10)，它包括一个机架(66)，一个容纳产生激光束(38)的打印头(12)的打印头外壳(68)，以及一个位置传感装置(70)。该位置传感装置包括一个位置传感装置构架(72)和一个用于检测激光束位置的位置传感器(56)。该激光传感装置构架被插入该机架和打印头外壳之间。机架、打印头外壳和位置传感装置构架中的每一个都包括至少一个定位部件，其组合起来相对于机架精确定位打印头外壳的位置。

公开(公告)号：CN1725417A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510078896.6

申请日：2005-05-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 张喆铉 ,  安商爀 ,  洪秀奉 ,  李相祚

IPC: H01J3/02 ,  H01J1/30 ,  H01J29/02 ,  H01J31/12 ,  G09F9/30 ,  G09G3/00

CPC classification number: G09G3/22 ,  G09G2310/0262 ,  G09G2310/06 ,  G09G2320/0209

Abstract: 一种电子发射设备，包括：第一电极，具有施加其上的数据信号；第二电极，具有施加其上的扫描信号；电子发射体，用于响应于数据信号和扫描信号之间的电压差而发射电子；和第三电极，具有用于聚焦从电子发射体发射的电子的聚焦信号。在该电子发射设备中，设置扫描信号的关闭电压低于数据信号的导通电压。

公开(公告)号：CN1691245A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200410027020.4

申请日：2004-04-21

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 柳鹏 ,  盛雷梅 ,  魏洋 ,  刘亮 ,  齐京 ,  范守善

IPC: H01J3/02 ,  H01J41/00 ,  G01L21/34

CPC classification number: G01L21/34

Abstract: 一种用于超高真空和极高真空量测的冷阴极电子枪，其包括一栅极和一设置于该栅极下方的阴极，其特征在于在该栅极上方平行设置一屏蔽极。本发明还提供一种使用上述冷阴极电子枪的真空规管，其包括一外壳、一收集极、一阳极和一冷阴极电子枪；该冷阴极电子枪和该收集极相对该阳极同轴对称放置；该外壳开口一端与待测器件相接，其特征在于该冷阴极电子枪包括一栅极、一平行设置于该栅极上方的屏蔽极和一设置于该栅极下方的阴极。本发明采用冷阴极电子枪的真空规管具有阴极体积小、功耗小、灵敏度高和降低吸放气率的优点。

公开(公告)号：CN1574270A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410031053.6

申请日：2004-04-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小泽润 ,  关口克巳

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23C14/00 ,  C23C16/00 ,  H01J3/00 ,  H01J19/00 ,  H01J37/00

CPC classification number: H01L21/67207 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67063 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67201

Abstract: 本发明涉及用于处理待处理物体的处理设备、处理方法、压力控制方法、被处理物体传送方法以及传送设备。提供了一种可以有效地进行多个处理的被处理物体处理设备。多个处理系统可连通地在一线连接在一起并在其中处理被处理物体。负载锁定系统可连通地连接到处理系统并具有将被处理物体送进和送出每个处理系统的传送机构。至少一个处理系统是真空处理系统，负载锁定系统设置在适当的位置以与处理系统形成一线。

公开(公告)号：CN1515016A

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN02811772.7

申请日：2002-06-10

Applicant: 惠普公司

Inventor： P·J·本宁 ,  W·R·奈特 ,  M·J·雷甘

IPC: H01J3/02 ,  G11B9/10

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B9/10 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1418 ,  G11C11/23 ,  H01J3/022

Abstract: 一种用于将电子从阴极(10)聚焦到阳极(30)的电子透镜。所述透镜包括第一导电层(36)，所述第一导电层具有与阴极(10)相隔第一距离(48)的第一开口(38)。所述第一导电层(36)保持在第一电压。所述透镜还包括第二导电层(32)，所述第二导电层具有在与第一导电层(36)相隔第二距离(46)且与阳极(30)相隔第三距离(24)处的第二开口(34)。所述第二导电层(32)保持在基本上等于阳极(30)电压的第二电压。所述第一(38)和第二(34)开口是根据第一电压、第二电压、第一距离(48)、第二距离(46)以及第三距离(24)而选择的。所述开口在阳极(30)上将从阴极(10)发射的电子聚焦为优选小于40纳米的斑点大小。阴极(10)和阳极(30)之间产生的力通过所述透镜结构而最小化。

公开(公告)号：CN1481542A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN01820711.1

申请日：2001-08-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川濑透 ,  古贺启介

IPC: G09G3/22 ,  G09G1/00 ,  H01J3/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: G09G3/22 ,  G09G1/002 ,  G09G2300/08 ,  G09G2320/043 ,  H01J3/022

Abstract: 本发明的目的是提供场致发射器件的驱动方法和驱动装置，它能稳定地控制发射电流而不管场致发射器件被驱动多长时间。本发明的场致发射器件的驱动方法和驱动装置通过把供给发射体的电流量调整至参考电平来把实际的发射电流调整到参考电平。通过随驱动时间t的流逝提高驱动电压而把电子发射性能保持在参考电平以上的状态，把向发射体供给的电流量调整至参考电平。甚至当由于驱动时间t流逝的缘故致场致发射器件发射电子的性能变坏时，通过在驱动电压高于最小电压的状态下调整供给发射体的电流量，也可以保持稳定的发射电流量并且可以实现无波动的电子发射。