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公开(公告)号：WO2016089121A1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：PCT/KR2015/013085
申请日：2015-12-02
Applicant: (주)씨앤켐
CPC classification number: H01L27/1266 , C08K3/34 , C08K3/346 , C09D7/61 , C09D139/00 , C09D179/02 , C09D179/08 , G09F9/00 , H01L21/6835 , H01L27/1218 , H01L2221/68345 , H01L2221/6835 , H01L2221/68381
Abstract: 본 발명은 양이온성 폴리머 전해질 또는 유기 실란과 음으로 대전된 층상 규산염 나노 판상 입자로 이루어진 박리층을 제공한다. 상기 박리층은 a) 기판 표면을 음으로 대전시킨 다음, b) 양이온성 폴리머 전해질을 도포하거나 실란화 공정을 거치고, c) 층상 규산염을 음으로 대전시켜 도포하는 것을 특징으로 하는 박리층의 제조방법에 의해 제조할 수 있다. 본 발명의 박리층은 박리층 내의 나노 판상입자로 인해 결합력의 감소효과가 있어 유연 디스플레이 제조시 임시로 지지기판 위에 고정시키고 제조가 완료된 후 용이하게 박리할 수 있다.
Abstract translation: 本发明提供了由阳离子聚合物电解质或有机硅烷带负电荷的页硅酸盐板状纳米颗粒制成的剥离层。 剥离层可以通过剥离层制造方法制造，其特征在于：a）对基材表面进行负电荷; b）施加阳离子聚合物电解质或经历硅烷化工艺; 和c）负极填充和应用页硅酸盐。 由于本发明的剥离层具有降低剥离层内的板状纳米粒子的结合力的效果，所以当制造柔性显示器时，剥离层可以将柔性显示器临时固定在支撑基板上，并且可以容易地 在制造完成后剥离柔性显示器。
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公开(公告)号：KR20180055641A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：KR20170023559
申请日：2017-02-22
Applicant: (주)씨앤켐
Inventor： KIM YONG SEOK , YANG SEUNG YEOL , KIM KWANG JOON , LEE DO YOON , KIM SUN KYO , KIM JEONG SEOK , JUNG SEOK
IPC: G02F1/1333 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/78
Abstract: 본발명은플렉시블전자소자를제조하는방법으로서, (a) 상대적으로견고한지지기재의적어도일면에증발분무적층법으로 2차원무기질재료로이루어진박리조력층을형성하는과정, (b) 상기박리조력층상에플렉시블플라스틱필름기재를형성하는과정, (c) 상기플렉시블플라스틱필름기재상에전자소자를형성하는과정, 및 (d) 상기지지기재로부터플렉시블플라스틱필름기재를박리하는과정을포함하는것을특징으로하는플렉시블전자소자의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR100768333B1
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：KR1020060076531
申请日：2006-08-14
Applicant: (주)씨앤켐
Abstract: A protective layer material of a plasma display panel and a manufacturing method of the same are provided to enhance discharge efficiency and to reduce a discharge time by using a magnesium oxide including BeO, CaO, and hydrogen. A protective layer material of a plasma display panel includes magnesium oxide as a main component and is formed by performing a vacuum deposition process under hydrogen or moisture atmosphere by using one or more deposition sources selected from a group including BeO and CaO. The BeO is used as the deposition source. The BeO is between 50 ppm and 8,000 ppm when the magnesium oxide is 1 weight percent. In the deposition process, partial pressure of hydrogen or moisture is 1x10^-4Pa to 10^0Pa.
Abstract translation: 提供等离子体显示面板的保护层材料及其制造方法，以通过使用包含BeO，CaO和氢的氧化镁来提高放电效率和减少放电时间。 等离子体显示面板的保护层材料包括氧化镁作为主要成分，并且通过使用一种或多种选自包括BeO和CaO的沉积源在氢气或水分气氛下进行真空沉积来形成。 BeO用作沉积源。 当氧化镁为1重量％时，BeO为50ppm至8,000ppm。 在沉积过程中，氢或水分的分压为1×10 -4 Pa至10 -3 Pa。
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公开(公告)号：KR1020160062407A
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：KR1020140165060
申请日：2014-11-25
Applicant: (주)씨앤켐
IPC: B21C23/01
CPC classification number: B21C23/01
Abstract: 본발명은금속의후방충격압출성형방법에관한것으로, 금속슬러그의상부면의모서리에돌출부를형성한다음, 후방충격압출성형하는것을특징으로한다. 상기돌출부는, 금속슬러그의상부면 모서리의장변또는단변, 또는장변과단변모두에형성할수 있다. 또한상기돌출부는장변또는단변의전부에형성하거나일부에만형성할수도있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于金属倒向冲击挤压的方法，包括：在金属渣顶表面的拐角处形成突出部分; 并且在突出部分中进行向后冲击挤压，其中突出部分形成在金属渣的顶表面的角部的长边或短边中，或者在长边和短边中; 并且突出部分形成在长边或短边的整个或部分中。 因此，本发明显着降低了挤压制品的误差率，显着提高了生产率。
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公开(公告)号：KR101192965B1
公开(公告)日：2012-10-19
申请号：KR1020090076237
申请日：2009-08-18
Abstract: 본 발명은 개선된 특성을 갖는 PDP 보호막용 산화마그네슘 증착재 및 이를 이용한 산화마그네슘 소결체 제조방법에 관한 것으로, 스칸듐(Sc), 가돌리늄(Gd), 지르코늄(Zr) 및 철(Fe) 중에서 선택되는 2가지 이상의 물질 1 ~ 200 ppm이 복합 도펀트(Multi Dopant)로서 산화마그네슘(MgO)에 첨가되어, 복합 도펀트를 포함하는 다결정 MgO 형태로 형성된 소결체를 제조하고 이를 이용하여 PDP용 보호막을 제조함으로써, PDP의 내구성 향상, 수명 특성의 향상 및 제조 공정의 저가화를 실현하고, PDP 방전 특성의 향상을 통한 고휘도 및 고선명도를 구현하여 PDP의 고품질화를 실현할 수 있도록 하는 기술에 관한 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100796203B1
公开(公告)日：2008-01-21
申请号：KR1020060059022
申请日：2006-06-29
Applicant: (주)씨앤켐
IPC: H01J11/40
Abstract: 본 발명은 플라즈마 화상표시기(PDP)의 보호막 물질로 사용 중인 다결정 MgO의 특성을 개선할 수 있는 다결정 MgO 증착재를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 방법은, 난소결성인 MgO에 소결조제로 Flux를 첨가하여 제조하는 것으로, Flux의 함량은 0.1wt% ~ 20wt%이다.
PDP, Protective Layer, MgO, Flux, 보호막-
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公开(公告)号：KR1020110025575A
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：KR1020090083701
申请日：2009-09-04
Applicant: (주)씨앤켐
CPC classification number: C23C14/081 , C01F11/02 , C01P2002/50 , C23C14/082 , H01J17/49
Abstract: PURPOSE: A low voltage protective film material for a plasma display panel and a method for manufacturing the same are provided to improve light emitting efficiency by reducing a discharging voltage. CONSTITUTION: The ternary solid solution oxide is based on a binary metal oxide(MO) in a rock-salt crystal structure. The binary metal oxide contains an alkaline earth metal oxide. A monovalence metal oxide(L_2O) and a tervalence metal oxide(N_2O_3) containing an alkaline metal oxide are contained as an alloy element. L is selected form a group including 'Li, Na, K, Ag, and Cu. M is selected from a group including Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Co, and Fe. N is selected from a group including Al, Co, Fe, As, Cr, Ga, V, Ti, Ir, Mo, Nb, Sc, Pd, In, Er, Y, Dy, Eu, Ce, U, and Bi.
Abstract translation: 目的：提供一种用于等离子体显示面板的低电压保护膜材料及其制造方法，以通过降低放电电压来提高发光效率。 构成：三元固溶体氧化物基于岩盐晶体结构中的二元金属氧化物（MO）。 二元金属氧化物含有碱土金属氧化物。 含有单价金属氧化物（L_2O）和含有碱金属氧化物的三价金属氧化物（N_2O_3）作为合金元素。 L选自由Li，Na，K，Ag，Cu组成的组。 M选自Be，Mg，Ca，Sr，Ba，Co和Fe组成的组。 N选自Al，Co，Fe，As，Cr，Ga，V，Ti，Ir，Mo，Nb，Sc，Pd，In，Er，Y，Dy，Eu，Ce，U和Bi。
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公开(公告)号：KR1020080001034A
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：KR1020060059053
申请日：2006-06-29
Applicant: (주)씨앤켐
IPC: H01J11/40
Abstract: An MgO vapor deposition material and a forming method thereof are provided to increase a light transmittance of a PDP by improving a secondary electron emission coefficient. A polycrystal MgO vapor deposition material for a protective film of a PDP(Plasma Display Panel) contains Gd less than 400ppm. A purity of MgO is greater than 99.9% and a relative density of the MgO is greater than 90%. The concentration of the Gd contained in the polycrystal MgO vapor deposition material is between 100 and 400ppm. Gd2O3 less than 400ppm is added into the MgO and the added result is fired for one to ten hours at a temperature between 1600 and 1700 degrees centigrade.
Abstract translation: 提供MgO蒸镀材料及其形成方法，以通过提高二次电子发射系数来提高PDP的透光率。 用于PDP（等离子体显示面板）的保护膜的多晶MgO气相沉积材料含有小于400ppm的Gd。 MgO的纯度大于99.9％，MgO的相对密度大于90％。 多晶MgO蒸镀材料中所含的Gd的浓度为100〜400ppm。 在MgO中加入少于400ppm的Gd 2 O 3，加入的结果在1600〜1700摄氏度的温度下焙烧1〜10小时。
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公开(公告)号：KR101176602B1
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：KR1020090083701
申请日：2009-09-04
Applicant: (주)씨앤켐
Abstract: 본 발명은 플라즈마 디스플래이 소자(PDP)의 전면판 보호막의 성분 및 제조방법에 관한 것으로서, 기존에 AC PDP에서 보호막으로 제공되어 왔던 순수 MgO 재료 또는 합금화된 MgO 재료를 대체하여, 알칼리 토금속 산화물을 포함하는 암염(Rock-Salt Crystal Structure) 결정 구조의 2가 산화물(MO)을 기지 재료로 하고, 알칼리 금속 산화물을 포함하는 1가 산화물(L
2 O) 과 3가 산화물(N
2 O
3 )를 합금 원소로 동시에 첨가하여 이루어진 3원계 고용체 산화물인 [(L
x
N
y )
z M
1
-z ]O 을 보호막 증착원으로 이용하여 보호막을 형성하거나, 이들 산화물 분말 재료를 보호막으로 사용하는 것을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다. 여기서 L
2 O 산화물은 Li, Na, K, Ag, Cu등과 같은 알칼리 금속 산화물을 포함한 1가 산화물이고, MO 산화물은 Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Co, Fe 등의 알칼리 토금속 산화물을 포함한 암염 구조를 가진 2가 금속 산화물이고, N
2 O
3 산화물은 Al, Co, Fe, As. Cr. Ga. V Ti, Ir, Mo, Nb, Sc, Pd, In, Er, Y, Dy, Eu, Ce, U, Bi등의 3가 금속 산화물이다.
본 발명에 따르면, 제공된 [(L
x
N
y )
z M
1
-z ]O 3원계 고용체 산화물 보호막은 AC PDP의 방전 전압을 저하시켜서, 방전 효율을 획기적으로 향상키는 것이 가능하여, 소자의 소비 전력을 감소시키고, 전기 전자 부품의 개수 및 용량을 감소시키는 것이 가능하게 되어 PDP 원가를 감소시킬 수 있기 때문에, PDP의 특성을 향상시키고 모듈의 원가를 감소시킬 수 있는 장점이 있다.
플라즈마, 디스플래이, 보호막
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