公开(公告)号：TWI434334B

公开(公告)日：2014-04-11

申请号：TW097144749

申请日：2008-11-19

Applicant: 日本ASM股份有限公司 ,  ASM JAPAN K. K.

Inventor： 中野龍 ,  NAKANO, RYU ,  福田秀明 ,  FUKUDA, HIDEAKI

IPC: H01L21/30 ,  C23C16/513 ,  H05H1/26

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/505

公开(公告)号：TWI405286B

公开(公告)日：2013-08-11

申请号：TW097103290

申请日：2008-01-29

Applicant: 日本ASM股份有限公司 ,  ASM JAPAN K.K.

Inventor： 瀧澤正浩 ,  TAKIZAWA, MASAHIRO ,  諏訪田雅榮 ,  SUWADA, MASAEI ,  萩野崇 ,  HAGINO, TAKASHI

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: C23C16/54 ,  H01L21/67005 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67196

公开(公告)号：TW200913066A

公开(公告)日：2009-03-16

申请号：TW097126663

申请日：2008-07-14

Applicant: 日本ASM股份有限公司 ASM JAPAN K.K.

Inventor： 森貞佳紀 MORISADA, YOSHINORI ,  松木信雄 MATSUKI, NOBUO ,  高德 卡邁勒 凱頓 GOUNDAR, KAMAL KISHOR

IPC: H01L ,  C23C

CPC classification number: H01L21/0337 ,  B05D1/62 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3146

Abstract: 一種藉由電容式偶合電漿化學氣相沉積裝置在半導體基板上形成含烴聚合物膜之方法。此方法包括以下步驟:蒸發沸點在大約20℃至大約350℃之含烴液態單體(C���H���X���,其中���和���為大於等於5的自然數;���為包括零的整數;X為O、N和F);將蒸發的氣體引入至內部置放有基板的化學氣相沉積反應腔室內;以及藉由電漿聚合此氣體在所述基板上形成含烴聚合物膜。此液態單體是不飽和的且不具有苯結構。

Abstract in simplified Chinese: 一种借由电容式偶合等离子化学气相沉积设备在半导体基板上形成含烃聚合物膜之方法。此方法包括以下步骤:蒸发沸点在大约20℃至大约350℃之含烃液态单体(C���H���X���,其中���和���为大于等于5的自然数;���为包括零的整数;X为O、N和F);将蒸发的气体引入至内部置放有基板的化学气相沉积反应腔室内;以及借由等离子聚合此气体在所述基板上形成含烃聚合物膜。此液态单体是不饱和的且不具有苯结构。

公开(公告)号：TW200811985A

公开(公告)日：2008-03-01

申请号：TW096125606

申请日：2007-07-13

Applicant: 日本ASM股份有限公司 ASM JAPAN K.K.

Inventor： 山岸孝幸 YAMAGISHI, TAKAYUKI ,  小林民宏 KOBAYASHI, TAMIHIRO ,  渡部朗 WATANABE, AKIRA ,  金內邦容 KANEUCHI, KUNIHIRO

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/67745 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/68707 ,  Y10S294/902 ,  Y10S414/141

Abstract: 一種用於在反應腔室中加載以及卸載基板之基板移送裝置,其包含:臂,其具有可在直線方向上側向移動之末端;以及端接器,其用於在反應腔室中加載以及卸載基板,其包含下部端接器以及上部端接器。所述下部端接器或所述上部端接器中之一者可移動地耦接至所述臂以與所述臂相接,且另一端接器固定至所述可移動耦接之端接器。所述固定之端接器固定至所述可移動耦接之端接器。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于在反应腔室中加载以及卸载基板之基板移送设备,其包含:臂,其具有可在直线方向上侧向移动之末端;以及端接器,其用于在反应腔室中加载以及卸载基板,其包含下部端接器以及上部端接器。所述下部端接器或所述上部端接器中之一者可移动地耦接至所述臂以与所述臂相接,且另一端接器固定至所述可移动耦接之端接器。所述固定之端接器固定至所述可移动耦接之端接器。

公开(公告)号：TW200303932A

公开(公告)日：2003-09-16

申请号：TW092102509

申请日：2003-02-07

Applicant: 日本ASM股份有限公司 ASM JAPAN K. K.

Inventor： 直人 NAOTO TSUJI ,  森幸博 ,  高橋聰 SATOSHI TAKAHASHI ,  松下清廣 KIYOHIRO MATSUSHITA ,  深澤篤毅 ATSUKI FUKAZAWA ,  麥克 圖德 MICHAEL TODD

IPC: C23C ,  H01L

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633 ,  Y10S438/91

Abstract: 一種形成具有高機械強度之含矽絕緣層之方法，包括步驟(a)導入一反應氣體到放置有一基底的一反應室中，其中該反應氣體包括(l)包括含有可交鍵官能基之含矽碳氫化物的氣體源，(ii)交鍵氣體，以及(iii)惰性氣體；(b)施加射頻電源以在該反應室內部產生電漿反應空間；以及(c)控制該反應氣體之流動以及該射頻電源之強度。

Abstract in simplified Chinese: 一种形成具有高机械强度之含硅绝缘层之方法，包括步骤(a)导入一反应气体到放置有一基底的一反应室中，其中该反应气体包括(l)包括含有可交键官能基之含硅碳氢化物的气体源，(ii)交键气体，以及(iii)惰性气体；(b)施加射频电源以在该反应室内部产生等离子反应空间；以及(c)控制该反应气体之流动以及该射频电源之强度。

公开(公告)号：TW200832534A

公开(公告)日：2008-08-01

申请号：TW096134852

申请日：2007-09-19

Applicant: 日本ASM股份有限公司 ASM JAPAN K.K

Inventor： 松下清廣 MATSUSHITA, KIYOHIRO ,  福田秀明 FUKUDA, HIDEAKI ,  加加美健一 KAGAMI, KENICHI

IPC: H01L ,  B08B

Abstract: 一種清潔UV輻射室的方法,其包括以下步驟:(i)在完成以透射穿過UV輻射室中所提供之光學透射窗的UV光來輻射基板之後,在UV輻射室之外部生成清潔氣體之自由基物質;以及(ii)將自由基物質自UV輻射室之外部引入UV輻射室中,由此清潔光學透射窗。

Abstract in simplified Chinese: 一种清洁UV辐射室的方法,其包括以下步骤:(i)在完成以透射穿过UV辐射室中所提供之光学透射窗的UV光来辐射基板之后,在UV辐射室之外部生成清洁气体之自由基物质;以及(ii)将自由基物质自UV辐射室之外部引入UV辐射室中,由此清洁光学透射窗。

公开(公告)号：TW587285B

公开(公告)日：2004-05-11

申请号：TW090114929

申请日：2001-06-20

Applicant: 日本ASM股份有限公司 ASM JAPAN K. K.

Inventor： 清水亮 ,  尾崎 文紀 FUMITOSHI OZAKI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76807 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/5222 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種處理半導體基底的方法，包括以含有氟化氫或含有氟化氫與水之氣體來蝕刻一層含氟的二氧化矽層(SiOF)。此方法可以用來在半導體基底中形成中空結構之內層絕緣層。

Abstract in simplified Chinese: 一种处理半导体基底的方法，包括以含有氟化氢或含有氟化氢与水之气体来蚀刻一层含氟的二氧化硅层(SiOF)。此方法可以用来在半导体基底中形成中空结构之内层绝缘层。

公开(公告)号：TW200917364A

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：TW097132990

申请日：2008-08-28

Applicant: 日本ASM股份有限公司 ASM JAPAN K.K.

Inventor： 松下清廣 MATSUSHITA, KIYOHIRO ,  加加美健一 KAGAMI, KENICHI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/3105

Abstract: 在半導體製程期間,低介電常數材料在處理室中固化。低介電常數材料藉由UV光照射而固化。在照射期間,處理室中的環境具有大約25ppm至10000ppm的O2濃度。O2限制在低介電常數材料中形成-Si-H基團以及-Si-OH基團,從而降低在低介電常數材料中出現潮濕吸收以及氧化。

Abstract in simplified Chinese: 在半导体制程期间,低介电常数材料在处理室中固化。低介电常数材料借由UV光照射而固化。在照射期间,处理室中的环境具有大约25ppm至10000ppm的O2浓度。O2限制在低介电常数材料中形成-Si-H基团以及-Si-OH基团,从而降低在低介电常数材料中出现潮湿吸收以及氧化。

公开(公告)号：TW200837866A

公开(公告)日：2008-09-16

申请号：TW097103290

申请日：2008-01-29

Applicant: 日本ASM股份有限公司 ASM JAPAN K.K.

Inventor： 瀧澤正浩 TAKIZAWA, MASAHIRO ,  諏訪田雅榮 SUWADA, MASAEI ,  萩野崇 HAGINO, TAKASHI

IPC: H01L

CPC classification number: C23C16/54 ,  H01L21/67005 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67196

Abstract: 一種叢聚式半導體製程裝置,包括晶圓處理腔,從晶圓處理腔的軸向來看,此晶圓處理腔具有多邊形基底,此多邊形基底包括多條配置給晶圓製程腔的邊與兩條配置給晶圓載入/卸載腔的相鄰邊。配置給晶圓製程腔的多條邊中的兩條相鄰邊之間的角A大於用360�除以邊的總數而計算出的角B,其中邊的總數包括配置給晶圓製程腔的多條邊與配置給晶圓載入/卸載腔的兩條相鄰邊。

Abstract in simplified Chinese: 一种丛聚式半导体制程设备,包括晶圆处理腔,从晶圆处理腔的轴向来看,此晶圆处理腔具有多边形基底,此多边形基底包括多条配置给晶圆制程腔的边与两条配置给晶圆加载/卸载腔的相邻边。配置给晶圆制程腔的多条边中的两条相邻边之间的角A大于用360�除以边的总数而计算出的角B,其中边的总数包括配置给晶圆制程腔的多条边与配置给晶圆加载/卸载腔的两条相邻边。

公开(公告)号：TW200814200A

公开(公告)日：2008-03-16

申请号：TW096128199

申请日：2007-08-01

Applicant: 日本ASM股份有限公司 ASM JAPAN K.K.

Inventor： 神力博 SHINRIKI, HIROSHI ,  井上裕章 INOUE, HIROAKI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/02 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/18 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/265 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種在反應室中在基板上沈積釕(Ru)薄膜之方法,其包括:(i)將釕前驅體之氣體供應至所述反應室中,使得所述釕前驅體之氣體被吸附至所述基板上,其中所述釕前驅體為含有非環狀二烯基之釕錯合物;(ii)將受激還原氣體供應至所述反應室中以活化吸附至所述基板上之所述釕前驅體;及(iii)重複步驟(i)及步驟(ii),藉此在所述基板上形成釕薄膜。

Abstract in simplified Chinese: 一种在反应室中在基板上沉积钌(Ru)薄膜之方法,其包括:(i)将钌前驱体之气体供应至所述反应室中,使得所述钌前驱体之气体被吸附至所述基板上,其中所述钌前驱体为含有非环状二烯基之钌错合物;(ii)将受激还原气体供应至所述反应室中以活化吸附至所述基板上之所述钌前驱体;及(iii)重复步骤(i)及步骤(ii),借此在所述基板上形成钌薄膜。