公开(公告)号：KR1020110081385A

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：KR1020100001525

申请日：2010-01-08

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 전동환 ,  박용민 ,  김창주 ,  박상혁 ,  김신근 ,  성호근 ,  강호관 ,  박원규 ,  고철기

IPC: H01L31/06

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/06

Abstract: PURPOSE: A solar cell having a p-n tunnel diode is provided to lower serial resistance by using an N-type substrate having small defect in comparison with a P-type substrate and forming an upper electrode and a lower electrode with an n-ohmic contact electrode. CONSTITUTION: In a solar cell having a p-n tunnel diode, a p-n diode tunnel(220) is formed on an n-type substrate(210) by successively laminating an n-type semiconductor and a p-type semiconductor to form a p-n junction. A photovoltatic cell(230) is formed on the p-n diode tunnel by successively laminating an n-type semiconductor and a p-type semiconductor to convert an optical signal into an electrical signal. A bottom electrode(270) is formed on the N-type substrate. A top electrode(260) is formed on the photovoltatic cell.

Abstract translation: 目的：提供具有pn隧道二极管的太阳能电池，以通过使用与P型衬底相比具有小缺陷的N型衬底来降低串联电阻，并形成具有正欧姆接触电极的上电极和下电极 。 构成：在具有p-n隧道二极管的太阳能电池中，通过依次层叠n型半导体和p型半导体以形成p-n结，在n型衬底（210）上形成p-n二极管隧道（220）。 通过依次层叠n型半导体和p型半导体将光信号转换为电信号，在p-n二极管隧道上形成光伏电池（230）。 底部电极（270）形成在N型衬底上。 顶电极（260）形成在光伏电池上。

公开(公告)号：KR101105250B1

公开(公告)日：2012-01-17

申请号：KR1020100001525

申请日：2010-01-08

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 전동환 ,  박용민 ,  김창주 ,  박상혁 ,  김신근 ,  성호근 ,  강호관 ,  박원규 ,  고철기

IPC: H01L31/06

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 상대적으로 결함이 적은 n형 기판을 이용하면서, 직렬 저항을 낮출 수 있는 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양전지는 n형 기판과, n형 기판 상에 형성되며 n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 pn 접합을 형성하는 pn 터널 다이오드와, pn 터널 다이오드 상에 형성되며 n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 광신호를 전기적 신호로 변환하는 광전 변환셀과, n형 기판의 하부에 형성되는 하부 전극과, 광전 변환셀 상에 형성되는 상부 전극을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020110081387A

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：KR1020100001528

申请日：2010-01-08

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 전동환 ,  박상혁 ,  김창주 ,  박용민 ,  신현범 ,  신흥수 ,  강호관 ,  박원규 ,  고철기

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/306

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/04 ,  H01L21/306

Abstract: PURPOSE: A solar cell having window layer with oxidation resistance is provided to implement a window with desired thickness by allowing a second window and a cap to have different etch selectivity to prevent the second window from being etched. CONSTITUTION: In a solar cell having window layer with oxidation resistance, a photovoltatic conversion cell(720) is formed on a substrate and converts an optical signal into an electrical signal. A first window layer(731) is formed on the photovoltatic conversion cell and is comprised of a compound semiconductor containing aluminum. A second window layer(732) is formed on the first window and is made of a fire resistance material. The cap layer is formed on the second window layer. The top electrode is formed on the bottom electrode and the cap layer. The second window layer has a different etch selectivity from the cap layer.

Abstract translation: 目的：提供具有耐氧化性的窗口层的太阳能电池，以通过允许第二窗口和盖具有不同的蚀刻选择性以防止第二窗口被蚀刻来实现具有期望厚度的窗口。 构成：在具有耐氧化窗口的太阳能电池中，在基板上形成光电转换元件（720），并将光信号转换为电信号。 第一窗口层（731）形成在光电转换单元上，并由包含铝的化合物半导体构成。 在第一窗口上形成第二窗口层（732）并由耐火材料制成。 盖层形成在第二窗口层上。 顶部电极形成在底部电极和盖层上。 第二窗口层具有与盖层不同的蚀刻选择性。

公开(公告)号：KR101068173B1

公开(公告)日：2011-09-27

申请号：KR1020100001528

申请日：2010-01-08

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 전동환 ,  박상혁 ,  김창주 ,  박용민 ,  신현범 ,  신흥수 ,  강호관 ,  박원규 ,  고철기

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/306

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 윈도우층의 산화를 방지하고, 캡층 제조시 윈도우층이 식각되지 않는 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양전지는 기판 상에 형성되며 광신호를 전기적 신호로 변환하는 광전 변환셀과, 광전 변환셀 상에 형성되며 알루미늄을 포함한 화합물 반도체로 이루어진 제1 윈도우층(window layer)과, 제1 윈도우층 상에 형성되며 내산화성을 갖는 물질로 이루어진 제2 윈도우층과, 제2 윈도우층 상에 형성되는 캡층(cap layer)과, 기판의 하부에 형성되는 하부 전극과 캡층 상에 형성되는 상부 전극을 구비한다. 그리고 제2 윈도우층은 캡층과 서로 다른 식각 선택비(etch selectivity)를 갖는 물질로 이루어진다.

Abstract translation: 本发明涉及防止窗层氧化并且在盖层制造期间不蚀刻窗口层的太阳能电池。 根据本发明的太阳能电池包括：光电转换单元，形成在基板上并将光信号转换为电信号;第一窗口层，形成在光电转换单元上并由含有铝的化合物半导体制成; 第二窗口层，其形成在第一窗口层上并由具有抗氧化性的材料制成;盖层，其形成在第二窗口层上;下部电极，其形成在衬底的下部上; 设置有电极。 并且第二窗口层由与盖层具有不同蚀刻选择性的材料制成。