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公开(公告)号：KR101286254B1
公开(公告)日：2013-07-15
申请号：KR1020110075575
申请日：2011-07-29
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/683 , H01L21/288
Abstract: 본 발명은 반도체 전기 도금용 장치에 보조적인 웨이퍼 홀더 장치를 거치하여 웨이퍼(기판)를 고정해주는 장치에 관한 것으로, 웨이퍼(기판)를 고정하고, 웨이퍼(기판) 크기에 따라 상이한 길이를 가지며, 웨이퍼(기판) 크기에 따라 교체 장착 하는 금속 전극, 웨이퍼(기판)와 결합하는 웨이퍼(기판) 거치 홈 및 웨이퍼(기판) 거치 홈과 이어져 금속 전극 폭에 대응되게 생성된 전극 거치 홈을 포함하는 홀더 기판, 전극 거치 홈에 위치하고, 금속 전극과 홀더 기판을 결합하는 전극 결합 부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
나아가, 웨이퍼(기판)를 고정하는 전극은 전극 팁을 더 포함하고 있는데, 전극 팁은 전극 끝 부분에 위치하며, 집게 또는 클립 형태로 이루어져 있고, 하방으로 절곡되어 웨이퍼(기판)를 압박하여 고정해준다.
또한, 금속 전극은 전극 결합 부재의 지름과 대응되는 폭을 가지고 수평 또는 수직의 길이 방향으로 장공을 포함하거나, 전극 팁이 구성되어 있는 전극 측면에 전극 팁을 수용하는 팁 수용 홈을 포함함으로써 전극의 길이를 조절하여 웨이퍼(기판)를 고정하면서 웨이퍼(기판)와 접촉한다.-
公开(公告)号：KR1020130013779A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：KR1020110075575
申请日：2011-07-29
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/683 , H01L21/288
Abstract: PURPOSE: An auxiliary device of a wafer holder for semiconductor electroplating is provided to easily perform electroplating on a small or large wafer by using a metal electrode for various wafers. CONSTITUTION: A metal electrode(301) fixes a wafer. The metal electrode has a length which is different according to wafer size. An electrode tip(304) is positioned in the end part of the metal electrode. A holder substrate(302) includes the wafer, a wafer holding groove(302a) and a metal electrode holding groove(302b). An electrode combination member(303) combines the metal electrode with the holder substrate.
Abstract translation: 目的：提供用于半导体电镀的晶片保持器的辅助装置，通过使用用于各种晶片的金属电极容易地在小或大晶片上进行电镀。 构成：金属电极（301）固定晶片。 金属电极具有根据晶片尺寸不同的长度。 电极头（304）位于金属电极的端部。 保持基板（302）包括晶片，晶片保持槽（302a）和金属电极保持槽（302b）。 电极组合构件（303）将金属电极与保持器基板结合。
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公开(公告)号：KR101193809B1
公开(公告)日：2012-10-23
申请号：KR1020110092872
申请日：2011-09-15
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: PURPOSE: A chemical semiconductor solar cell and a manufacturing method thereof are provided to prevent a galvanic effect by wet-etching a cap layer using a photoresist film as a mask. CONSTITUTION: A window layer(230) is formed on a photoelectric conversion cell and is composed of a compound semiconductor. A cap layer(240) is wet-etched on the window layer using a photoresist film as a mask. A grid metal pattern(250) is formed on the upper side of the cap layer. An antireflection layer(260) is formed in an area exposing the surface of the window layer.
Abstract translation: 目的：提供一种化学半导体太阳能电池及其制造方法，以通过使用光致抗蚀剂膜作为掩模将盖层湿法蚀刻来防止电偶效应。 构成：窗口层（230）形成在光电转换单元上，由化合物半导体构成。 使用光致抗蚀剂膜作为掩模，在窗口层上湿蚀刻覆盖层（240）。 栅格金属图案（250）形成在盖层的上侧。 在暴露窗口层的表面的区域中形成防反射层（260）。
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